"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование кремния, легированного ионами цинка и отожженного в кислороде
Привезенцев В.В.1, Кириленко Е.П.2, Горячев А.Н.2, Батраков А.А.3
1Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
3Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия
Email: v.privezentsev@mail.ru, epkirilenko@gmail.com, andrei.goryachev@mail.ru, batrakovaa@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Представлены результаты исследования приповерхностного слоя кремния и формирования преципитатов в образцах СZ n-Si(100), имплантированного ионами 64Zn+ с дозой 5·1016 см-2 с энергией 50 кэВ при комнатной температуре с последующим окислением при температурах от 400 до 900oС. Визуализация поверхности проведена с помощью электронного микроскопа, а приповерхностного слоя с профилированием по глубине с помощью картирования элементов методом оже-электронной спектрокопии. Анализ распределения примесных ионов в кремнии проводился на времяпролетном вторично-ионном масс-спектрометре. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследовано химическое состояние атомов матрицы кремния и примесных атомов цинка и кислорода, а также уточнен фазовый состав имплантированного и отожженных образцов. После имплантации Zn наблюдаются два максимума его концентрации: на поверхности пластины и на глубине 70 нм, при этом на поверхности и в приповерхностном слое происходит образование наночастиц фазы металлического Zn и фазы ZnO с размером порядка 10 нм. После отжига в кислороде в Si вблизи поверхности обнаружена фаза ZnO·Zn2SiO4, а на глубине 50 нм фаза Zn·ZnO. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44102.8285
  1. Metal Oxide Nanostructures and Their Applications, ed. by A. Umar, Y.-B. Hahn (Chonbuk National University, S. Korea, 2010)
  2. C. Jiang, X. Sun, G. Lo et al. Appl. Phys. Lett. 90, 263501 (2007)
  3. O. Eryu, K. Murakami, K. Takita, K. Masuda. Nucl. Instr. Meth. B, 33, 665 (1988)
  4. G. Zollo, M. Kalitzova, D. Manno, G. Vitali. J. Phys. D: Appl. Phys., 37, 2730 (2004)
  5. I. Muntele, P. Thevenard, C. Muntele, B. Chhay B, D. Ila. Mater. Res. Symp. Proc, 829, paper B.2.21 (2005)
  6. C. Li, Y. Yang, X. Sun, W. Lei, X. Zhang, B. Wang, J. Wang, B. Tay, J. Ye, G. Lo. Nanotechnology, 18, 135604 (2007)
  7. S.Chu, M. Olmedo, Zh. Yang, J. Kong, Z. Yang, J. Liu. Appl. Phys. Lett. 93, 181106 (2008)
  8. C. Li, G. Beirne, G. Kamita, G. Lakhwani, J. Wang, N. Greenham. J. Appl. Phys., 116, 114501 (2014)
  9. G.P. Smestad, M. Gratzel J. Chem. Educ., 75, 752 (1998)
  10. T. Tietze, P. Audehm, Y.-C. Chen, G. Schutz, B. Straumal, S. Protasova, A. Mazilkin, P. Straumal, T. Prokscha, H. Luetkens, Z. Salman, A. Suter, B. Baretzky, K. Fink, W. Wenzel, D. Danilov, E. Goering. Scientiv. Reps., 5: 8871, DOI: 10.1038/srep08871 (2015)
  11. J. Dodds, F. Meyers, K. Loh. Smart Struct. Syst., 12, 0.55 (2013)
  12. P. Chang. Digest J. Nanomater. Biostruct., 9, 777 (2014)
  13. C. Liu, H. Zhao, Y. Shen, G. Jia, J. Wang, Z. Mu. Nucl. Instrum. Meth. B, 326, 23 (2014)
  14. V. Privezentsev, V. Kulikauskas, A. Palagushkin, E. Steinman, A. Tereshchenko, A. Batrakov, S. Ksenich. Sol. St. Phenomena, 242, 369 (2016)
  15. V.V. Privezentsev, E.P. Kirilenko, A.N. Goryachev, A.V. Lutzau. Proc. 23th Intern. Symp. on Nanostructures (NANO 2015), (SPb Academic University, Russia) p. 49
  16. A. Milnes. Deep Impurities in Semiconductors (Wiley, N.Y., 1973)
  17. The NIST X-ray Photoelectron Spectroscopy Database. Version 4.1. http://srdata.nist.gov/xps
  18. Z. Jiang, R.A. Brown. Phys. Rev. Lett., 74, 2046 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.