"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние типа и степени легирования на морфологию por-Si, полученного гальваническим травлением
Пятилова О.В.1, Гаврилов С.А.1, Шиляева Ю.И.1, Павлов А.А.2, Шаман Ю.П.3, Дудин А.А.2
1Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
2Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
3Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ, Москва, Зеленоград, Россия
Email: 5ilova87@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Изучен процесс формирования слоев пористого кремния гальваническим травлением в растворе HF/C2H5OH/H2O2 монокристаллического Si, легированного бором и фосфором. Проведено исследование por-Si методами капиллярной конденсации азота и растровой электронной микроскопии. Установлены зависимости морфологических характеристик por-Si, таких как диаметр пор, удельная площадь и объем поверхности, толщина стенок пор, определяющих кинетику горения Si, от типа легирования и удельного сопротивления исходной пластины. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44101.8327
  1. A. Uhlir. Bell Syst. Techn., 35, (2), 333 (1956)
  2. D. Kovalev, V.Y. Timoshenko, N. Kunzner, E. Gross, F. Koch. Phys. Rev. Lett., 87, 301 (2001)
  3. C.R. Becker, S. Apperson, Ch.J. Morris, Sh. Gangopadhyay, L.J. Currano, W.A. Churaman, C.R. Stoldt. Nano Lett., 11, 803 (2011)
  4. С.К. Лазарук, А.В. Долбик, П.В. Жагиро, В.А. Лабунов, В.Е. Борисенко. ФТП, 39 (8), 917 (2005)
  5. M. du Plessis. Sensors Actuators A, 135, 666 (2007)
  6. D.R. Turner. J Electrochem. Soc., 105, 402 (1957)
  7. V. Lehmann, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 58, 856 (1991)
  8. S. Liu, C. Palsule, S. Yi, S. Gangopadhyay. Phys. Rev. B, 49 (15), 10318 (1994)
  9. J. Xu, A.J. Steck. J. Vac. Sci. Technol. B, 13 (3), 121 (1995)
  10. R.W. Fathauer, T. George, A. Ksendzov, R.P. Vasquez. Appl. Phys. Lett. 60 (8), 995 (1992)
  11. Y. Qu, L. Liao, Yu. Li, H. Zhang, Yu Huang, X. Duan. Nano Lett., 9 (12), 4539 (2009)
  12. Ch.-L. Lee, K. Tsujino, Yu. Kanda, Sh. Ikeda, M. Matsumura. J. Mater. Chem., 18, 1015 (2008)
  13. Z. Huang, N. Geyer, P. Werner, J. De Boor, U. Gosele. Advanced Mater., 23 (2) 285 (2011)
  14. C.M.A. Ashruf, P.J. French, P.M.M.C. Bressers, P.M. Sarro, J.J. Kelly. Sensors Actuators A: Physical, 66 (1-3), 284 (1998)
  15. K.W. Kolasinski. Nanoscale Res. Lett., 9, 432 (2014)
  16. T. Hadjersi, N. Gabouze, N. Yamamoto, K. Sakamaki, H. Takai, A. Ababou, E.S. Kooij. Phys. Status Solidi C, 2 (9), 3384 (2005)
  17. O.V. Pyatilova, S.A. Gavrilov, A.A. Dronov, Ya.S. Grishina, A.N. Belov. Sol. St. Phenomena, 213, 103 (2014)
  18. D. Wang, R. Ji, S. Du, A. Albrecht, P. Schaaf. Nanoscale Res. Lett., 8, 42 (2013)
  19. K.W. Kolasinski, W.B. Barclay, Y. Sun, M. Aindow. Electrochim. Acta., 158, 219 (2015)
  20. T. Hadjersi, N. Gabouze. Optical Mater., 30, 865 (2008)
  21. X. Li, P.W. Bonn. Appl. Phys. Lett., 77 (16), 2572 (2000)
  22. M. Lipinskia, J. Cichoszewski, R.P. Socha, T. Piotrowski. Acta Phys. Polon. A, 116, 117 (2009)
  23. Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели. ФТП, 37 (4), 494 (2003)
  24. V. Parkhutik. Sol. St. Electron., 43 (6), 1121 (1999)
  25. E.P. Barret, L.G. Joyner, P.P. Halenda. J. Amer. Chem. Soc., 73, 373 (1951)
  26. А.С. Вячеславов, Е.А. Померанцева, Е.А. Гудилин. Методическая разработка: Измерение площади поверхности и пористости методом капиллярной конденсации азота (М., МГУ, 2006) с. 55

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.