Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Двухслойная диэлектрическая маска Si₃N₄/SiO₂ для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT

Арутюнян С.С.^1,2, Павлов А.Ю.¹, Павлов В.Ю.¹, Томош К.Н.¹, Федоров Ю.В.¹

¹Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Ultrahigh Frequency Semiconductor Electronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Email: spartakmain@gmail.com

Поступила в редакцию: 21 января 2016 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.

PDF версия

Описана технология формирования двухслойной диэлектрической маски Si₃N₄/SiO₂ и особенности ее использования в технологии невжигаемых эпитаксиально дорощенных омических контактов для мощных HEMT на гетероструктурах AlGaN/GaN. Предложенная маска Si₃N₄/SiO₂ позволяет производить эпитаксиальное доращивание сильно легированных омических контактов методом нитридной молекулярно-лучевой эпитаксии и получать невжигаемые омические контакты с удельным сопротивлением 0.15-0.2 Ом · мм и с гладкой морфологией поверхности и края.

В.Г. Мокеров, А.Л. Кузнецов, Ю.В. Федоров, Е.Н. Енюшкина, А.С. Бугаев, А.Ю. Павлов, Д.Л. Гнатюк, А.В. Зуев, Р.Р. Галиев, Е.Н. Овчаренко, Ю.Н. Свешников, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. ФТП, 43 (4), 561 (2008)
J. Huang, M. Li, C. Tang, K. Lau. Chinese Physics B, 23 (12), (2014)
A. Subramaniam, I.N. Geok, R. Kumud, M.M.K. Chandra, C.F. Siew, S.A. Kian, V. Sahmuganathan, B.D. Surani, B. Thirumaleshwaraxcc, T. Sudhiranjan. Jpn. J. Appl. Phys., 54, 04DF12 (2015)
И.М. Аболдуев, Н.Б. Гладышева, А.А. Дорофеев, Ю.В. Колковский, В.М. Миннебаев. Тез. докл. 10-й Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы", под ред. А.В. Сахарова, В.Г. Сидорова (СПб., Россия, СПбГПУ, 2015) с. 140
М. Гольцова. Электроника: НТБ, 4, 86 (2012)
S. Dasgupta, Nidhi, D.F. Brown, F. Wu, S. Keller, J.S. Speck, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett., 96, 143 504 (2010)
J.G. Felbinger, M. Fagerlind, O. Axelsson, N. Rorsman, X. Gao, S. Guo, W.J. Schaff, L.F. Eastman. IEEE Electron Dev. Lett., 32 (7), 889 (2011)
Y. Yue, Z. Hu, J. Guo, B. Sensale-Rodrigez, G. Li, R. Wang, F. Faria, T. Fang, B. Song, X. Gao, S. Guo, T. Kosel, G. Sinder, P. Fay, J. Debdeep, H. Xing. IEEE Electron Dev. Lett., 33 (7), 988 (2012)
Nidhi, D.F. Brown, S. Keller, U.K. Mishra. Jpn. J. Appl. Phys., 49, 021 005 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель