"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Двухслойная диэлектрическая маска Si3N4/SiO2 для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT
Арутюнян С.С.1,2, Павлов А.Ю.1, Павлов В.Ю.1, Томош К.Н.1, Федоров Ю.В.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Email: spartakmain@gmail.com
Поступила в редакцию: 21 января 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.

Описана технология формирования двухслойной диэлектрической маски Si3N4/SiO2 и особенности ее использования в технологии невжигаемых эпитаксиально дорощенных омических контактов для мощных HEMT на гетероструктурах AlGaN/GaN. Предложенная маска Si3N4/SiO2 позволяет производить эпитаксиальное доращивание сильно легированных омических контактов методом нитридной молекулярно-лучевой эпитаксии и получать невжигаемые омические контакты с удельным сопротивлением 0.15-0.2 Ом · мм и с гладкой морфологией поверхности и края.
  1. В.Г. Мокеров, А.Л. Кузнецов, Ю.В. Федоров, Е.Н. Енюшкина, А.С. Бугаев, А.Ю. Павлов, Д.Л. Гнатюк, А.В. Зуев, Р.Р. Галиев, Е.Н. Овчаренко, Ю.Н. Свешников, А.Ф. Цацульников, В.М. Устинов. ФТП, 43 (4), 561 (2008)
  2. J. Huang, M. Li, C. Tang, K. Lau. Chinese Physics B, 23 (12), (2014)
  3. A. Subramaniam, I.N. Geok, R. Kumud, M.M.K. Chandra, C.F. Siew, S.A. Kian, V. Sahmuganathan, B.D. Surani, B. Thirumaleshwaraxcc, T. Sudhiranjan. Jpn. J. Appl. Phys., 54, 04DF12 (2015)
  4. И.М. Аболдуев, Н.Б. Гладышева, А.А. Дорофеев, Ю.В. Колковский, В.М. Миннебаев. Тез. докл. 10-й Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы", под ред. А.В. Сахарова, В.Г. Сидорова (СПб., Россия, СПбГПУ, 2015) с. 140
  5. М. Гольцова. Электроника: НТБ, 4, 86 (2012)
  6. S. Dasgupta, Nidhi, D.F. Brown, F. Wu, S. Keller, J.S. Speck, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett., 96, 143 504 (2010)
  7. J.G. Felbinger, M. Fagerlind, O. Axelsson, N. Rorsman, X. Gao, S. Guo, W.J. Schaff, L.F. Eastman. IEEE Electron Dev. Lett., 32 (7), 889 (2011)
  8. Y. Yue, Z. Hu, J. Guo, B. Sensale-Rodrigez, G. Li, R. Wang, F. Faria, T. Fang, B. Song, X. Gao, S. Guo, T. Kosel, G. Sinder, P. Fay, J. Debdeep, H. Xing. IEEE Electron Dev. Lett., 33 (7), 988 (2012)
  9. Nidhi, D.F. Brown, S. Keller, U.K. Mishra. Jpn. J. Appl. Phys., 49, 021 005 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.