"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование доноров в твердых растворах германий--кремний, имплантированных ионами водорода различной энергии
Покотило Ю.М.1, Петух А.Н.1, Литвинов В.В.1, Маркевич В.П.2, Абросимов Н.В.3, Камышан А.С.4, Гиро А.В.1, Соляникова К.А.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2University of Manchester, M13 9PL, Manchester, UK
3Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
4Институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко Белорусского государственного университета, Минск, Республика Беларусь
Email: Pokotilo@bsu.by
Поступила в редакцию: 26 января 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.

Исследованы профили распределения водородосодержащих доноров в твердых растворах Ge1-xSix (0≤ x≤ 0.06), имплантированных ионами водорода с энергией 200 и 330 кэВ, дозой 1·1015 см-2. Установлено, что при более высокой энергии ионов предельная концентрация доноров при постимплантационной термообработке (275oC) достигается в течение ~ 30 мин, а при более низкой энергии - в течение ~320 мин. В отличие от доноров, формирующихся вблизи поверхности, часть водородосодержащих доноров, образованных при имплантации ионов с более высокой энергией, обладает свойством бистабильности. Предельная концентрация доноров не зависит от энергии ионов, но снижается с ростом содержания примеси кремния от 1.3·1016 см-3 (x=0.008) до 1.5·1015 см-3 (x=0.062). Предполагается, что наблюдаемые различия обусловлены участием поверхности в процессе формирования доноров за счет существенного ее влияния на процессы дефектообразования, связанные с сопутствующими имплантации радиационными дефектами.
  1. В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб., Наука, 2003)
  2. Y. Ohmura, Y. Zohta, M. Kanazava. Phys. Status Solidi A, 15, 93 (1973)
  3. Yu.V. Gorelkinskii, V.O. Sigle, S. Takibaev. Phys. Status Solidi A, 22, 55 (1974)
  4. V.P. Markevich, L. Dobaczewski, K. Bonde Nielsen, V.V. Litvinov, A.N. Petukh, Yu.M. Pokotilo, N.V. Abrosimov, A.R. Peaker. Thin Sol. Films, 517, 419 (2008)
  5. N.V. Abrosimov, S.N. Rossolenko, W. Thieme, A. Gerhardt, W. Schroder, J. Cryst. Growth, 174, 182 (1997)
  6. J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersak. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 268, 1818 (2010)
  7. Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, В.В. Литвинов, В.П. Маркевич, A.R. Pieker, Н.В. Абросимов. Письма ЖТФ, 34, 1 (2008)
  8. Yu. Gorelkinskii, N.N. Nevinnyi. Nucl. Insr. Meth., 209/210, 677 (1983)
  9. Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, В.В. Литвинов, В.Г. Цвырко. ФТП, 39, 802 (2005)
  10. Y. Tokuda, A. Ito, M. Ohshima. Semicond. Sci. Technol., 13, 194 (1998)
  11. R. Hazdra, V. Komarnitskyy. Sol. St. Phenomena, 131--133, 201 (2008)
  12. Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, В.В. Литвинов, В.Г. Цвырко. Неорг. матер., 45, 1 (2009)
  13. J.G. Laven, R. Rob, H.J. Schulze, F.J. Niedernostheide, W. Schustereder, L. Frey. Solid State Sci. Techn., 2, 389 (2013)
  14. А.Р. Челядинский, В.С. Вариченко, В.Ю. Явид, В.А. Буренков. Поверхность, N 2, 110 (2004)
  15. О.В. Александров, В.В. Козловский. ФТП, 42, 262 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.