Вышедшие номера
Фотонно-кристаллический резонатор ближнего ИК диапазона на кремнии: численное моделирование и технология формирования
РФФФИ, 15-02-05272
ОНИТ РАН, программы фундаментальных исследований
Министерство образования и науки Российской Федерации, 02.В.49.21.0003
Серафимович П.Г.1,2, Степихова М.В.3,4, Казанский Н.Л.1,2, Гусев С.А.3,4, Егоров А.В.2, Скороходов Е.В.3,4, Красильник З.Ф.3,4
1Институт систем обработки изображений РАН, Самара, Россия
2Самарский государственный аэрокосмический университет им. академика С.П. Королeва (национальный исследовательский университет), Самара, Россия
3Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: mst@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 17 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.

Изложена технология изготовления фотонно-кристаллического резонатора, выполненного в виде группы отверстий на кремниевом полосковом волноводе, сформированных методом ионно-лучевого травления. Исследован паразитный эффект, связанный с конусностью отверстий, возникающий при их формировании по данной технологии. Путем численного моделирования показано, что уменьшение добротности резонатора вследствие конусности отверстий можно компенсировать с учетом их объема. Выполнен анализ влияния толщины волновода на значения резонансной длины волны и добротность фотонно-кристаллического резонатора.