"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оценка эффективности введения пористого слоя в подложку структур кремний-на-сапфире для повышения надежности приборов при облучении
Александров П.А. 1, Баранова Е.К. 1, Бударагин В.В. 1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: Alexandrov_PA@nrcki.ru
Поступила в редакцию: 23 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.

Рассмотрена эффективность введения пористого слоя, создаваемого в подложке структуры кремний-на-сапфире методом ионной имплантации ионов Не с целью повышения радиационной стойкости приборов. Проведен анализ свойств введенного слоя и его параметров, влияющих на снижение концентрации генерируемых облучением неосновных носителей заряда. Представленные результаты аналитического анализа и расчетов могут быть использованы для оптимизации режимов имплантации ионов Не при создании пористого слоя.
  1. R.A. Kjar, J. Peel. IEEE NS, 21 (6), 8 (1974)
  2. П.А. Александров, Н.Е. Белова, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов. ФТП, 49 (9), 1124 (2015)
  3. M.A. Huis, A. van Veen, F. Labohm, A.V. Fedorov, A. Schut, B.I. Kooi, I.Th.M. De Hosson. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 216 (1), 149 (2004)
  4. В.К. Киселев, С.В. Оболенский, В.Д. Скупов. ЖТФ, 69 (6), 129 (1999)
  5. Yu.V. Martynenko. Rad. Eff., 45 (1), 93 (1979)
  6. В.К. Капышев, В.В. Старых. ДАН СССР, 230 (4), 830 (1976)
  7. П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1969) гл. 6, с. 476

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.