"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Локально-эмиссионная инжекция электронов в микрозерна поверхности полупроводников АIIIВV
Жуков Н.Д.1, Глуховской Е.Г.1, Хазанов А.А.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: ndzhukov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 18 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.

На туннельном микроскопе в режиме полевой эмиссии на выбираемых локально микрозернах поверхности антимонида и арсенида индия, арсенида галлия исследованы характеристики инжекции электронов в полупроводник из нанозазора микрозонд-микрозерно. Методом сопоставления экспериментальных вольт-амперных характеристик и рассчитанных формул токопереноса установлены механизмы тока и определены параметры. Обнаружен эффект ограничения тока в микрозернах антимонида и арсенида индия, проявляющийся при уровнях инжекции более некоторого критического значения --- 6·1016 см-3 для антимонида, 4·1017 см-3 для арсенида индия. Предложена физическая модель --- локализация электронов в приповерхностной зоне микрозерна за счет их кулоновского взаимодействия.
  1. А.Г. Витухновский, А.А. Ващенко, Д.Н. Бычковский, Д.Н. Дирин, П.Н. Тананаев, М.С. Вакштейн, Д.А. Коржонов. ФТП, 47 (12), 1591 (2013)
  2. M. Achermann, M.A. Petruska, S. Kos, D.L. Smith, D.D. Koleske, V.I. Klimov. Nature, 429, 642 (2004)
  3. А.И. Михайлов, В.Ф. Кабанов, Н.Д. Жуков. Письма ЖТФ, 41 (12), 8 (2015)
  4. Е.Г. Глуховской, Н.Д. Жуков. Письма ЖТФ, 41 (14), 47 (2015)
  5. Е.Г. Глуховской, Н.Д. Жуков. Прикл. физика, N 3, 5 (2015)
  6. С.А. Рыков. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур (СПб., Наука, 2001)
  7. В.Л. Миронов. Основы сканирующей зондовой микроскопии (Н. Новгород, РАН, 2004)
  8. Н.Д. Жуков, Е.Г. Глуховской. Нанотехника, N 2 (38), 127 (2014)
  9. Н.Д. Жуков, Е.Г. Глуховской. Тез. докл. Х науч.-практ. конф. Нанотехнологии --- производству" (М., Изд-во "Янус-К", 2014) с. 144
  10. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир. 1973)
  11. О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп (М., Мир, 1967)
  12. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (М., Мир, 1975)
  13. Н.В. Егоров, Е.П. Шешин. Электронная эмиссия (М., Интеллект, 2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.