Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
К вопросу об омичности контактов Шоттки
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Email: sach@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 26 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.
Проанализированы условия реализации омических контактов в cлучае контактов Шоттки. На основе классических представлений о механизмах токопрохождения рассмотрена обобщенная модель контакта Шоттки, учитывающая термоэлектронный ток основных носителей заряда и рекомбинационный ток неосновных носителей заряда в контактах Шоттки с диэлектрическим зазором. Анализ результатов использованной модели позволил получить критерии омичности контактов Шоттки и сопоставить между собой условия малого уровня инъекции и омичности контактов Шоттки для контактов на основе кремния. Показано, что условия омичности контакта Шоттки не совпадают с таковыми для случая p-n-переходов.
- H.K. Henisch. Metal Rectifiers (Oxford, Clarendon Press, 1949) chap. V, p. 51--105
- Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965) гл. 2, с. 38--54
- S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of Semiconductor Devices. 3rd. edn (John Wiley and Sons, 2007)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
- A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, S.V. Novitskii, V.N. Sheremet, J. Li, S.A. Vitusevich. J. Appl. Phys., 111 (8), 083 701 (2012)
- A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.O. Vinogradov, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, V.N. Sheremet, S.A. Vitusevich. J. Appl. Phys., 112 (6), 063 703 (2012)
- А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, А.О. Виноградов, Л.М. Капитанчук, Р.В. Конакова, В.П. Костылев, Я.Я. Кудрик, В.П. Кладько, В.Н. Шеремет. ФТП, 47 (3), 426 (2013)
- M.V. Sullivan, J.H. Eigler. J. Electrochem. Soc., 104 (4), 226 (1957)
- M. Gershenson, R.A. Logan, D.F. Nelson. Phys. Rev., 149 (2), 580 (1966)
- Б.В. Царенков, Ю.А. Гольдберг, А.П. Изергин, Е.А. Поссе, В.Н. Равич, Т.Ю. Рафиев, Н.Ф. Сильвестрова. ФТП, 6 (4), 710 (1972)
- Б.В. Царенков, Ю.А. Гольдберг, Г.В. Гусев, В.И. Огурцов. ФТП, 8 (2), 410 (1974)
- А. Полухин, Т. Зуева, А. Солодовник. Силовая электроника, 3, 36 (2006)
- И.В. Грехов. Вестн. РАН, 78 (2), 106 (2008)
- A.G. Milnes, D.L. Feucht. Heterojunctions and Metal-Semiconductors (N.Y.--London, Academic Press, 1972)
- E.H. Roderick. Metal-Semiconductor Contacts (Oxford, Clarendon Press, 1978)
- Т. Сугано, Т. Икома, Е. Такэиси. Введение в микроэлектронику. Пер. с яп. (М., Мир, 1988) т. 1
- Н.А. Пенин. РЭ, 2 (8), 1053 (1957)
- Г.М. Авакьянц, А.Ю. Лейдерман. РЭ, 9 (4), 670 (1964)
- А.Ю. Лейдерман, П.М. Карагеоргий-Алкалаев. РЭ, 10 (4), 720 (1965)
- А.В. Саченко, О.В. Снитко. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников (Киев, Наук. думка, 1974)
- Физические методы диагностики в микро- и наноэлектронике, под общей редакцией чл.-кор. НАНУ д-ра физ.-мат. наук, проф. А.Е. Беляева и д-ра техн. наук, проф. Р.В. Конаковой (Харьков, ИСМА, 2011)
- А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы. Теория и эксперимент (М., Энергоиздат, 1987)
- Ю.В. Завражнов, И.И. Каганова, Е.З. Мазель, А.И. Миркин. Мощные высокочастотные транзисторы (М., Радио и связь, 1985)
- A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.O. Vinogradov, V.A. Pilipenko, T.V. Petlitskaya, V.M. Anischik, R.V. Konakova, T.V. Korostinskaya, V.P. Kostylyov, Ya.Ya. Kudryk, V.G. Lyapin, P.N. Romanets, V.N. Sheremet. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 17 (1), 1 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
