"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
К вопросу об омичности контактов Шоттки
Саченко А.В.1, Беляев А.Е.1, Конакова Р.В.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: sach@isp.kiev.ua
Поступила в редакцию: 26 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2016 г.

Проанализированы условия реализации омических контактов в cлучае контактов Шоттки. На основе классических представлений о механизмах токопрохождения рассмотрена обобщенная модель контакта Шоттки, учитывающая термоэлектронный ток основных носителей заряда и рекомбинационный ток неосновных носителей заряда в контактах Шоттки с диэлектрическим зазором. Анализ результатов использованной модели позволил получить критерии омичности контактов Шоттки и сопоставить между собой условия малого уровня инъекции и омичности контактов Шоттки для контактов на основе кремния. Показано, что условия омичности контакта Шоттки не совпадают с таковыми для случая p-n-переходов.
  1. H.K. Henisch. Metal Rectifiers (Oxford, Clarendon Press, 1949) chap. V, p. 51--105
  2. Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965) гл. 2, с. 38--54
  3. S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of Semiconductor Devices. 3rd. edn (John Wiley and Sons, 2007)
  4. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 41 (11), 1281 (2007)
  5. A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, S.V. Novitskii, V.N. Sheremet, J. Li, S.A. Vitusevich. J. Appl. Phys., 111 (8), 083 701 (2012)
  6. A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.O. Vinogradov, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, V.N. Sheremet, S.A. Vitusevich. J. Appl. Phys., 112 (6), 063 703 (2012)
  7. А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, А.О. Виноградов, Л.М. Капитанчук, Р.В. Конакова, В.П. Костылев, Я.Я. Кудрик, В.П. Кладько, В.Н. Шеремет. ФТП, 47 (3), 426 (2013)
  8. M.V. Sullivan, J.H. Eigler. J. Electrochem. Soc., 104 (4), 226 (1957)
  9. M. Gershenson, R.A. Logan, D.F. Nelson. Phys. Rev., 149 (2), 580 (1966)
  10. Б.В. Царенков, Ю.А. Гольдберг, А.П. Изергин, Е.А. Поссе, В.Н. Равич, Т.Ю. Рафиев, Н.Ф. Сильвестрова. ФТП, 6 (4), 710 (1972)
  11. Б.В. Царенков, Ю.А. Гольдберг, Г.В. Гусев, В.И. Огурцов. ФТП, 8 (2), 410 (1974)
  12. А. Полухин, Т. Зуева, А. Солодовник. Силовая электроника, 3, 36 (2006)
  13. И.В. Грехов. Вестн. РАН, 78 (2), 106 (2008)
  14. A.G. Milnes, D.L. Feucht. Heterojunctions and Metal-Semiconductors (N.Y.--London, Academic Press, 1972)
  15. E.H. Roderick. Metal-Semiconductor Contacts (Oxford, Clarendon Press, 1978)
  16. Т. Сугано, Т. Икома, Е. Такэиси. Введение в микроэлектронику. Пер. с яп. (М., Мир, 1988) т. 1
  17. Н.А. Пенин. РЭ, 2 (8), 1053 (1957)
  18. Г.М. Авакьянц, А.Ю. Лейдерман. РЭ, 9 (4), 670 (1964)
  19. А.Ю. Лейдерман, П.М. Карагеоргий-Алкалаев. РЭ, 10 (4), 720 (1965)
  20. А.В. Саченко, О.В. Снитко. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников (Киев, Наук. думка, 1974)
  21. Физические методы диагностики в микро- и наноэлектронике, под общей редакцией чл.-кор. НАНУ д-ра физ.-мат. наук, проф. А.Е. Беляева и д-ра техн. наук, проф. Р.В. Конаковой (Харьков, ИСМА, 2011)
  22. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы. Теория и эксперимент (М., Энергоиздат, 1987)
  23. Ю.В. Завражнов, И.И. Каганова, Е.З. Мазель, А.И. Миркин. Мощные высокочастотные транзисторы (М., Радио и связь, 1985)
  24. A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, A.O. Vinogradov, V.A. Pilipenko, T.V. Petlitskaya, V.M. Anischik, R.V. Konakova, T.V. Korostinskaya, V.P. Kostylyov, Ya.Ya. Kudryk, V.G. Lyapin, P.N. Romanets, V.N. Sheremet. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 17 (1), 1 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.