"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гетероструктуры GaAs/InGaAsN для многопереходных солнечных элементов
Никитина Е.В.1, Гудовских А.С.1,2, Лазаренко А.А.1, Пирогов Е.В.1, Соболев М.С.1, Зеленцов К.С.1, Морозов И.А.1, Егоров А.Ю.3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: nikitina@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Исследованы гетероструктуры солнечных элементов на основе материалов GaAs/InGaAsN cо сверхрешеткой InAs/GaAsN, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Тестовый солнечный элемент p-GaAs/i-(InAs/GaAsN)/n-GaAs с активным слоем InGaAsN толщиной 0.9 мкм имеет напряжение холостого хода 0.4 В (при освещенности АМ1.5G) и квантовую эффективность >0.75 на длине волны 940 нм (при нулевых потерях на отражение), что соответствует току короткого замыкания 26.58 мА/см2 (АМ1.5G, 100 мВт/см2). Высокое значение напряжения холостого хода показывает возможность использования InGaAsN как материала с шириной запрещенной зоны 1 эВ в четырехкаскадных солнечных элементах.
  1. R.R. King, D.C. Law, K.M. Edmondson, C.M. Fetzer, G.S. Kinsey, H. Yoor, R.A. Sherif, N.H. Karam. Appl. Phys. Lett., 90, 183 516 (2007)
  2. D.J. Friedman, J.F. Geisz, S.R. Kurtz, J.M. Olson. J. Cryst. Growth, 195, 409 (1998)
  3. S.R. Kurtz, A.A. Allerman, E.D. Jones, J.M. Gee, J.J. Banas, B.E. Hammons. Appl. Phys. Lett., 74, 729 (1999)
  4. S.R. Kurtz, A.A. Allerman, C.H. Seager, R.M. Sieg, E.D. Jones. Appl. Phys. Lett., 77, 400 (2000)
  5. A. Khan, S.R. Kurtz, S. Prasad, S.W. Johnston, J. Gou. Appl. Phys. Lett., 90, 243 509 (2007)
  6. Reported timeline of solar cell energy conversion efficiencies from National Renewable Energy Laboratory (National Center for Photovoltaics, USA). http://www.nrel.gov/ncpv/
  7. M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E.D. Dunlop. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 21, 827 (2013)
  8. А.И. Баранов, А.С. Гудовских, Е.В. Никитина, А.Ю. Егоров. Письма ЖТФ, 39 (24), 88 (2013)
  9. W. Walukiewicz, W. Shan, K.M. Yu, J.W. Ager. In: Dilute Nitride Semiconductors, ed. by M. Henini (Elsevier, Amsterdam, 2005) p. 325

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.