"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотодиодная линейка 1x64 на основе двойной гетeроструктуры p-InAsSbP/n-InAs0.92Sb0.08/n+-InAs
ФЦП, "Разработка технологии получения полупроводниковых фоточувствительных материалов для матричных инфракрасных фотоприемников и тепловизоров", 14.576.21.0057
Ильинская Н.Д. 1, Карандашев С.А. 1, Карпухина Н.Г.2, Лавров А.А. 1,2, Матвеев Б.А. 1, Ременный М.А. 1, Стусь Н.М. 1,2, Усикова А.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "ИоффеЛЕД", Санкт-Петербург, Россия
Email: Natalya.ilynskaya@mail.ioffe.ru, ksa08@yandex.ru, ioffeled@mail.ru, lavrov_albert@list.ru, Mremennyy@mail.ioffe.ru, n.stu@mail.ru, usikova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик, фотоэлектрических и люминесцентных свойств монолитной диодной линейки 1x64 на основе двойной гетероструктуры p-InAsSbP/ n-InAsSb/n+-InAs, освещаемой со стороны подложки n+-InAs и чувствительной в области 4 мкм. Проведен анализ механизмов токопрохождения в диапазоне температур 77-353 K, а также фоточувствительности и быстродействия с учетом пространственного распределения неравновесного излучения и данных вольт-фарадных измерений.
  1. Б.А. Матвеев. Фотоника, N 6 (48), 80 (2014)
  2. M. Kohring, S. Bottger, U. Willer, W. Schade. Sensors (Basel), 15 (5), 12 092 (2015). DOI:10.3390/s150512092
  3. G.Y. Sotnikova, G.A. Gavrilov, S.E. Aleksandrov, A.A. Kapralov, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, M.A. Remennyy. IEEE Sens. J., 10 (2), 225 (2010)
  4. С.Е. Александров, Г.А. Гаврилов, Г.Ю. Сотникова, А.Л. Тер-Мартиросян. ФТП, 48 (1), 129 (2014)
  5. G.Yu. Sotnikova, S.E. Aleksandrov, G.A. Gavrilov, A.A. Kapralov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, M. Saadaoui, D. Zymelka. Abstracts of the 42th Freiburg Infrared Colloquium (2015) p. 89
  6. V.I. Stafeev. Proc. SPIE, 4340, 240 (2000). DOI:10.1117/12.407737
  7. Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Н.Г. Карпухина, А.А. Лавров, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Усикова. Прикл. физика, N 6, 47 (2014)
  8. I.C. Sandall, S. Zhang, Ch.H. Tan. Opt. Express, 21 (22), 25 783 (2013). DOI:10.1364/OE.21.025780
  9. P.N. Brunkov, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, A.A. Lavrov, B.A. Matveev, M.A. Remennyy, N.M. Stus', A.A. Usikova. Infr. Phys. Technol., 73, 232 (2015)
  10. P.C. Klipstein, O. Klin, S. Grossman, N. Snapi, I. Lukomsky, M. Brumer, M. Yassen, D. Aronov, E. Berkowicz, A. Glozman, T. Fishman, O. Magen, I. Shtrichman, E. Weiss. Proc. SPIE, 8012,  80122R1 (2011). DOI:10.1117/12.883238
  11. D. Gibson, C. MacGregor. Sensors, 13, 7079 (2013). DOI:10.3390/s130607079
  12. L. Zhang, W. Sun, Y. Xu, L. Zhang, J. Si. Infr. Phys. Technol., 65, 129 (2014)
  13. A. Rogalski. Infrared Detectors, 2nd edn. ISBN 978-1-4200-7671-4 (CRC press, Tailor and Francis group, 2012)
  14. В.М. Базовкин, А.А. Гузев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, А.С. Ларшин, В.Г. Половинкин. Прикл. физика, N 2, 97 (2005)
  15. В.И. Иванов-Омский, Б.А. Матвеев. ФТП, 41 (3), 257 (2007).
  16. Б.А. Матвеев. Фотоника, N 3 (51), 152 (2015)
  17. Yu.P. Yakovlev, I.A. Andreev, S. Kizhayev, E.V. Kunitsyna, М.P. Mikhailova. Proc. SPIE, 6636, 66360D1 (2007). DOI:10.1117/12.742322

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.