"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Зарядоперенос в выпрямляющих оксидных гетероструктурах и оксидные элементы доступа ReRAM
Петрозаводский государственный университет, Программа стратегического развития Петрозаводского государственного университета на 2012−2016 гг.
Министерство образования и науки Российской Федерации, 2014/154
Министерство образования и науки Российской Федерации, 3.757.2014/K
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований по приоритетным тематическим направлениям исследований, 16-19-00135
Стефанович Г.Б. 1, Пергамент А.Л. 1, Борисков П.П. 1, Куроптев В.А. 1, Стефанович Т.Г.1
1Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия
Email: gstef@yandex.ru, aperg@petrsu.ru, boriskov@psu.karelia.ru, v.a.kuroptev@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Обсуждаются основные аспекты синтеза и экспериментального исследования диодных оксидных гетероструктур в плане их использования в качестве селекторных диодов --- элементов доступа в оксидной резистивной памяти. Показано, что зарядоперенос в данных материалах существенно отличается от механизма проводимости в p-n-переходах на основе традиционных полупроводников (Si, Ge, AIIIBV), а модель должна учитывать электронные свойства оксидов, главным образом низкую дрейфовую подвижность носителей заряда. Установлено, что увеличение прямого тока требует наличия в составе гетероструктур оксида с малой шириной запрещенной зоны (<1.3 эВ). Исследованы гетероструктуры с оксидами Zn, In-Zn (IZO), Ti, Ni и Cu, среди которых гетеропереход CuO-IZO имеет наибольшую плотность прямого тока (104  А/см2).
  1. В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, Изд-во науч.-техн. лит., 2000)
  2. P. Lippens, M. Buchel, D. Chiu, C. Szepesi. Thin Sol. Films, 532, 94 (2013)
  3. M. Pavan, S. Ruhle, A. Ginsburg, D.A. Keller, H.-N. Barad, P.M. Sberna, D. Nunes, R. Martins, A.Y. Anderson, A. Zaban, E. Fortunato. Solar Energy. Mater. Solar Cells, 132, 549 (2015)
  4. D. Choi, W.J. Maeng, J.-S. Park. Appl. Surf. Sci., 313, 585 (2014)
  5. G. Congedo, C. Wiemer, A. Lamperti, E. Cianci, A. Molle, F.G. Volpe, S. Spiga. Thin Sol. Films, 533, 9 (2014)
  6. G.W. Burr, B.N. Kurdi, J.C. Scott, C.H. Lam, K. Gopalakrishnan, R.S. Shenoy. IBM J. Res. Develop., 52, 449 (2008)
  7. Y. Fujisaki. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 040 001 (2013)
  8. M.-J. Lee, S.I. Kim, C.B. Lee, H. Yin, S.-E. Ahn, B.S. Kang, K.H. Kim, J.C. Park, C.J. Kim, I. Song, S.W. Kim, G. Stefanovich, J.H. Lee, S.J. Chung, Y.H. Kim, Y.S. Park. Adv. Funct. Mater., 19, 1587 (2009)
  9. S.B. Zhang, S.H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 63, 75201 (2001)
  10. R. van de Krol, H.L. Tuller. Solid State Ionics, 150, 167 (2002)
  11. Э.С. Фалькевич. Технология полупроводникового кремния (М., Металлургия, 1992)
  12. P.A. Cox. Transition Metal Oxides: An Introduction to their Electronic Structure and Properties (Oxford, Clarendon Press, 1992)
  13. L.J. Van der Pauw. Philips Tech. Rev., 20, 220 (1958)
  14. K. Seonghyun, P. Jubong, W. Jiyong, C. Chunhum, L. Wootae, S. Jungho, C. Godeuni, P. Sangsu, L. Daeseok, H.L. Byoung, H. Hyunsang. Microelectronic Engin., 107, 33 (2013)
  15. А.Л. Пергамент, Г.Б. Стефанович, Ф.А.Чудновский. ФТТ, 36 (10), 988 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.