Вышедшие номера
Зарядоперенос в выпрямляющих оксидных гетероструктурах и оксидные элементы доступа ReRAM
Петрозаводский государственный университет, Программа стратегического развития Петрозаводского государственного университета на 2012−2016 гг.
Министерство образования и науки Российской Федерации, 2014/154
Министерство образования и науки Российской Федерации, 3.757.2014/K
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований по приоритетным тематическим направлениям исследований, 16-19-00135
Стефанович Г.Б. 1, Пергамент А.Л. 1, Борисков П.П. 1, Куроптев В.А. 1, Стефанович Т.Г.1
1Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия
Email: gstef@yandex.ru, aperg@petrsu.ru, boriskov@psu.karelia.ru, v.a.kuroptev@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 июля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Обсуждаются основные аспекты синтеза и экспериментального исследования диодных оксидных гетероструктур в плане их использования в качестве селекторных диодов - элементов доступа в оксидной резистивной памяти. Показано, что зарядоперенос в данных материалах существенно отличается от механизма проводимости в p-n-переходах на основе традиционных полупроводников (Si, Ge, AIIIBV), а модель должна учитывать электронные свойства оксидов, главным образом низкую дрейфовую подвижность носителей заряда. Установлено, что увеличение прямого тока требует наличия в составе гетероструктур оксида с малой шириной запрещенной зоны (<1.3 эВ). Исследованы гетероструктуры с оксидами Zn, In-Zn (IZO), Ti, Ni и Cu, среди которых гетеропереход CuO-IZO имеет наибольшую плотность прямого тока (104  А/см2).