Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Биосенсорные свойства нанопроволочных транзисторов с защитным слоем диэлектрика Al₂O₃, нанесенным методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения

Попов В.П.¹, Ильницкий М.А.¹, Жанаев Э.Д.¹, Мяконьких А.В.², Руденко К.В.², Глухов А.В.³

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

³ОАО Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ, Новосибирск, Россия

Email: popov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 12 августа 2015 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучены свойства защитных диэлектрических слоев оксида алюминия Al₂O₃, нанесенных на уже изготовленные кремниевые нанопроволочные транзисторные биочипы методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения (PEALD) перед корпусированием, в зависимости от режимов нанесения и отжига. Покрытие естественного окисла кремния слоем Al₂O₃ нанометровой толщины незначительно уменьшает фемтомольную чувствительность биосенсоров, но обеспечивает их стабильность в биожидкостях. В деионизованной воде транзисторы с отожженным оксидом алюминия закрываются из-за захвата на поверхностные состояния отрицательного заряда величиной <(1-10)·10¹¹ см^-2. Подача положительного потенциала на подложку (V_sub>25 В) позволяет устранять отрицательный заряд и проводить многократные измерения в жидкости по крайней мере в течение полугода.

J. Hahm, C.M. Lieber. Nano Lett., 4 (1), 51 (2004)
F. Patolsky, G. Zheng, O. Hayden, M. Lakadamyali, X. Zhuang, C.M. Lieber. Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 101, 14 017 (2004)
N. Elfstrom, R. Juhasz, I. Sychugov, T. Engfeldt, A. Eriksson, A.E. Karlstrom, J. Linnros. Nano Lett., 7 (9), 2608 (2007)
Yu.D. Ivanov, T.O. Pleshakova, A.F. Kozlov, K.A. Malsagova, N.V. Krohin, V.V. Shumyantseva, I.D. Shumov, V.P. Popov, O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, A.L. Aseev, A.I. Archakov. Lab on a Chip, 12, 5104 (2012)
О.В. Наумова, Б.И. Фомин, Л.Н. Сафронов, Д.А. Насимов, М.А. Ильницкий, Н.В. Дудченко, С.Ф. Девятова, Э.Д. Жанаев, В.П. Попов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Автометрия, 45 (4), 6 (2009)
O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, N.V. Dudchenko, S.F. Devyatova, E.D. Zhanaev, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Yu.D. Ivanov, A.I. Archakov. Semicond. Sci. Technol., 25, 055 004 (2010)
W. Zhou, X. Dai, T.-M. Fu, C. Xie, J. Liu, C.M. Lieber. Nano Lett., 14, 1614 (2014)
E. Langereis, M. Creatore, S.B.S. Heil, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. Appl. Phys. Lett., 89, 081 915 (2006)
V.P. Popov, A.K. Gutakovskii, L.N. Safronov, I.E. Tyschenko, S.K. Zhuravlev, A.B. Talochkin, I.V. Antonova, O.V. Naumova, V.I. Obodikov, A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, J. Domagala, A. Romano-Rodrigues, A. Bachrouri. In: Progress in SOI Structures and Devices, Operating at Extreme Conditions, ed. by F. Balestra, A. Nazarov, V.S. Lysenko. NATO Sci. Ser. II: Mathematics, Physics and Chemistry (Kluwer Academic Publ., 2002) v. 58. p. 269
M. Ratzke, M. Kappa, D. Wolfframm, S. Kouteva-Arguirova, J. Reif. Appl. Surf. Sci., 247, 128 (2005)
H.C. Cheng, C.Y. Wu, P.Y. Hsu, C.L. Wang, T.C. Liao, Y.L. Wu. IEEE Electron. Dev. Lett., 33 (9), 1312 (2011)
В.П. Попов, М.А. Ильницкий, О.В. Наумова, А.Н. Назаров. ФТП, 48 (10), 1348 (2014)
F. Gasparyan, I. Zadorozhnyi, S. Vitusevich. J. Appl. Phys., 117, 174 506 (2015)
N.F. Malyarenko, O.V. Naumova, B.I. Fomin, E.D. Zhanaev, V.P. Popov. Proc. 15th Int. Conf. and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM'2014) (Erlagol, 2014)
T. Miyazaki, T. Inoue, Y. Shirosaki, M. Kawashita, T. Matsubara, H. Kanetaka. J. Mater. Sci.: Mater. Med., 25, 453 (2014)
M. Szekeres, E. Tombacz. Colloids Surf. A: Physicochem. Eng. Aspects, 414, 302 (2012)
Jo. Lutzenkirchen, A. Abdelmonem, R. Weerasooriya, F. Heberling, V. Metz, R. Marsac. Geochem. Trans., 15:9 (2014)
J. Lee, H. Jeona, D.G. Oh, J. Szanyi, J.H. Kwak. Appl. Catalysis A, 500, 58 (2015)
A.K. Nanda Kumar, S. Prasanna, B. Subramanian, S. Jayakumar, G. Mohan Rao. J. Appl. Phys., 117, 125 307 (2015).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель