"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Биосенсорные свойства нанопроволочных транзисторов с защитным слоем диэлектрика Al2O3, нанесенным методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения
Попов В.П.1, Ильницкий М.А.1, Жанаев Э.Д.1, Мяконьких А.В.2, Руденко К.В.2, Глухов А.В.3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
3ОАО Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ, Новосибирск, Россия
Email: popov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 12 августа 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Изучены свойства защитных диэлектрических слоев оксида алюминия Al2O3, нанесенных на уже изготовленные кремниевые нанопроволочные транзисторные биочипы методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения (PEALD) перед корпусированием, в зависимости от режимов нанесения и отжига. Покрытие естественного окисла кремния слоем Al2O3 нанометровой толщины незначительно уменьшает фемтомольную чувствительность биосенсоров, но обеспечивает их стабильность в биожидкостях. В деионизованной воде транзисторы с отожженным оксидом алюминия закрываются из-за захвата на поверхностные состояния отрицательного заряда величиной <(1-10)·1011 см-2. Подача положительного потенциала на подложку (Vsub>25 В) позволяет устранять отрицательный заряд и проводить многократные измерения в жидкости по крайней мере в течение полугода.
  1. J. Hahm, C.M. Lieber. Nano Lett., 4 (1), 51 (2004)
  2. F. Patolsky, G. Zheng, O. Hayden, M. Lakadamyali, X. Zhuang, C.M. Lieber. Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 101, 14 017 (2004)
  3. N. Elfstrom, R. Juhasz, I. Sychugov, T. Engfeldt, A. Eriksson, A.E. Karlstrom, J. Linnros. Nano Lett., 7 (9), 2608 (2007)
  4. Yu.D. Ivanov, T.O. Pleshakova, A.F. Kozlov, K.A. Malsagova, N.V. Krohin, V.V. Shumyantseva, I.D. Shumov, V.P. Popov, O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, A.L. Aseev, A.I. Archakov. Lab on a Chip, 12, 5104 (2012)
  5. О.В. Наумова, Б.И. Фомин, Л.Н. Сафронов, Д.А. Насимов, М.А. Ильницкий, Н.В. Дудченко, С.Ф. Девятова, Э.Д. Жанаев, В.П. Попов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Автометрия, 45 (4), 6 (2009)
  6. O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, N.V. Dudchenko, S.F. Devyatova, E.D. Zhanaev, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Yu.D. Ivanov, A.I. Archakov. Semicond. Sci. Technol., 25, 055 004 (2010)
  7. W. Zhou, X. Dai, T.-M. Fu, C. Xie, J. Liu, C.M. Lieber. Nano Lett., 14, 1614 (2014)
  8. E. Langereis, M. Creatore, S.B.S. Heil, M.C.M. van de Sanden, W.M.M. Kessels. Appl. Phys. Lett., 89, 081 915 (2006)
  9. V.P. Popov, A.K. Gutakovskii, L.N. Safronov, I.E. Tyschenko, S.K. Zhuravlev, A.B. Talochkin, I.V. Antonova, O.V. Naumova, V.I. Obodikov, A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, J. Domagala, A. Romano-Rodrigues, A. Bachrouri. In: Progress in SOI Structures and Devices, Operating at Extreme Conditions, ed. by F. Balestra, A. Nazarov, V.S. Lysenko. NATO Sci. Ser. II: Mathematics, Physics and Chemistry (Kluwer Academic Publ., 2002) v. 58. p. 269
  10. M. Ratzke, M. Kappa, D. Wolfframm, S. Kouteva-Arguirova, J. Reif. Appl. Surf. Sci., 247, 128 (2005)
  11. H.C. Cheng, C.Y. Wu, P.Y. Hsu, C.L. Wang, T.C. Liao, Y.L. Wu. IEEE Electron. Dev. Lett., 33 (9), 1312 (2011)
  12. В.П. Попов, М.А. Ильницкий, О.В. Наумова, А.Н. Назаров. ФТП, 48 (10), 1348 (2014)
  13. F. Gasparyan, I. Zadorozhnyi, S. Vitusevich. J. Appl. Phys., 117, 174 506 (2015)
  14. N.F. Malyarenko, O.V. Naumova, B.I. Fomin, E.D. Zhanaev, V.P. Popov. Proc. 15th Int. Conf. and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM'2014) (Erlagol, 2014)
  15. T. Miyazaki, T. Inoue, Y. Shirosaki, M. Kawashita, T. Matsubara, H. Kanetaka. J. Mater. Sci.: Mater. Med., 25, 453 (2014)
  16. M. Szekeres, E. Tombacz. Colloids Surf. A: Physicochem. Eng. Aspects, 414, 302 (2012)
  17. Jo. Lutzenkirchen, A. Abdelmonem, R. Weerasooriya, F. Heberling, V. Metz, R. Marsac. Geochem. Trans., 15:9 (2014)
  18. J. Lee, H. Jeona, D.G. Oh, J. Szanyi, J.H. Kwak. Appl. Catalysis A, 500, 58 (2015)
  19. A.K. Nanda Kumar, S. Prasanna, B. Subramanian, S. Jayakumar, G. Mohan Rao. J. Appl. Phys., 117, 125 307 (2015).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.