"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4H-SiC JBS-диодов Шоттки
Левинштейн М.Е.1, Иванов П.А.1, Zhang Q.J.2, Palmour J.W.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2CREE Inc., Silicon Dr., Durham NC, USA
Поступила в редакцию: 20 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Прямые импульсные изотермические вольт-амперные характеристики 4H-SiC JBS с номинальным блокирующим напряжением 1700 В измерены в температурном диапазоне от -80oC до + 90oC (193-363 K) вплоть до значений плотностей тока j~ 5600 А/см2 при - 80oC и 3000 А/см2 при + 90oC. При этих измерениях перегрев структуры по отношению к температуре окружающей среды Delta T не превышал нескольких градусов. При больших значениях плотности тока наблюдается эффективная инжекция неосновных носителей (дырок) в базу структуры, сопровождающаяся появлением S-образного дифференциального сопротивления. Измерены также импульсные изотермические вольт-амперные характеристики при температуре 77 K.
  1. L.M. Hillkirk. Sol. St. Electron., 48, 2181 (2004)
  2. M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, T.T. Mnatsakanov, J.W. Palmour, M.K. Das, B.A. Hull. Sol. St. Electron., 52, 1802 (2008)
  3. J. Baliga. IEEE Electron Dev. Lett., 8, 407 (1987)
  4. J. Wu, L. Fursin, Y. Li, P. Alexandrov, M. Weiner, J.H. Zhao, Semicond. Sci. Technol., 21, 987 (2006)
  5. П.А. Иванов, И.В. Грехов, А.С. Потапов, О.И. Коньков, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова, O. Korol'kov, N. Sleptsuk. ФТП, 46, 411 (2012)
  6. J.D. Caldwell, R.E. Stahlbush, E.A. Imhoff, K.D. Hobart, M.J. Tadjer, Q. Zhang, A. Agarwal. J. Apll. Phys., 106, 044 504 (2009)
  7. C. Buttay, C. Raynaud, H. Morel, G. Civrac, M.-L. Locatelli, F. Morel. IEEE Trans. Electron Dev., 59, 761 (2012)
  8. H. Carslow, J. Jager. Conduction of Heat in Solids (Clarendon Press, Oxford, 1959)
  9. F. Cappelluti, F. Bonani, G. Ghione. Proc. Int. Semicond. Dev. Res. Symp. ISDRS '09, Dec. 9-11 (College Park, MD, USA, 2009) p. 1
  10. B.L. Maas, N.D. Clements, V. Rinaldi. IEEE Trans. Magnetics, 29, 1017 (1993)
  11. R. Perez, N. Mestres, M. Vellveh, P. Godignon, J. Mill. Semicond. Sci. Technol., 21, 670 (2006)
  12. C.M. Johnson, M. Rahimo, N.G. Wright, D.A. Hinchley, A.B. Horsfall, D.J. Morrison, A. Knights. Industry Applications Conference, 2000. Conf. Record of the 2000 IEEE, 5, 2941 (2000)
  13. J.W. Palmour, M.E. Levinshtein, P.A. Ivanov, Q.J. Zhang. J. Phys. D: Appl. Phys., 48, 235 103 (2015)
  14. M. Berthou, B. Asllani, P. Brosselard, P. Godignon. Proc. 16th Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM'2014, Dubai, UAE. Nov. 25-26. Mater. Sci. Forum, 821-823, 583 (2015)
  15. T. Chailloux, C. Calvez, D. Tournier, D. Planson. Proc. 16th Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM'2014, Dubai, UAE, Nov. 25-26. Mater. Sci. Forum, 821-823, 814 (2015)
  16. http://www.cree.com/~/media/Files/Cree/Power/Data Sheets/ CPW31700S010B.pdf
  17. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur, eds., Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe (John Wiley \& Sons, Inc. N. Y. 2001)
  18. G. Pensl, F. Giobanu, T. Frank, M. Krieger, S. Reshanov, F. Shmid, M. Weidner. SiC Material Properties. In: SiC Materials and Devices (M. Shur, S. Rumyantsev, M Levinshtein, eds (World Scientific, Singapore-New Jersey-London-Hong Kong, 2006)
  19. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-переходов в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
  20. M.E. Levinshtein, T.T. Mnatsakanov, P.A. Ivanov, J.W. Palmour, M.K. Das, B.A. Hull. Semicond. Sci. Technol., 22, 253 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.