Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Атомные ступени на ультраплоской поверхности Si(111) при сублимации

Ситников С.В.¹, Латышев А.В.^1,2, Косолобов С.С.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 10 ноября 2015 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

PDF версия

Методом сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии in situ проведены исследования кинетики атомных ступеней на ультраплоской поверхности кремния (111) при температурах 1050-1350^oC. Впервые экспериментально показано, что скорость смещения атомной ступени при сублимации нелинейным образом зависит от ширины прилегающей к ступени террасы. Установлено, что атомный механизм процессов массопереноса на поверхности кремния при температурах выше 1200^oC определяется зарождением и диффузией поверхностных вакансий, а не адсорбированных атомов кремния. Проведенные исследования позволили оценить энергию активации процесса растворения вакансии с поверхности в объем кремния, которая составила (4.3±0.05) эВ.

P. Finnie, Y. Homma. Surf. Sci., 500, 437 (2002)
Ch. Misbah, O. Pierre-Louis, Y. Saito. Rev. Mod. Phys., 82, 981 (2010)
W. Burton, N. Cabrera, F. Frank. Phil. Trans., A243, 299 (1951)
Yu. Hervieu, I. Markov. Surf. Sci., 628, 76 (2014)
J.W. Evans, P.A. Thiel, M.C. Bartelt. Surf. Sci. Rep., 61, 1 (2006)
J.A. Venables, G.D.T Spiller, M. Hanbucken. Rep. Prog. Phys., 47, 399 (1984)
K.L. Man, A.B. Pang, M.S. Altman. Surf. Sci., 601, 4669 (2007)
P. Finnie, Y. Homma, J. Vac. Sci. Tehnol. A, 18, 1941 (2000)
H. Hibino, C.-W. Hu, T. Ogino, I.S.T. Tsong. Phys. Rev. B, 63, 245 402 (2001)
H.-C. Jeong, E.D. Williams. Surf. Sci. Rep., 34, 171 (1999)
A.V. Latyshev, A.L. Aseev, A.B. Krasilnikov, S.I. Stenin. Surf. Sci., 213, 157 (1989)
Y. Homma, H. Hibino, T. Ogino. Phys. Rev. B, 58, 13 146 (1998)
A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev, S.I. Stenin, Surf. Sci., 227, 24 (1990)
J.M. Bermond, J.J. Metois, X. Egea, C. Alfonso. Surf. Sci., 330, 48 (1995)
A.V. Latyshev, A.L. Aseev, A.B. Krasilnikov, S.I. Stenin. Phys. Status Solidi A, 113, 421 (1989)
Y. Fukaya, Y. Shigeta. Phys. Rev. Lett., 85, 5150 (2000)
Y. Homma, H. Hibino, T. Ogino, N. Aizawa. Phys. Rev. B, 55, R10 237 (1997)
Y. Fukaya, Y. Shigeta. Phys. Rev. B, 65, 195 415 (2002)
C. Misbah, O. Pierre-Louis, A. Pimpinelli. Phys. Rev. B, 51, 17 283 (1995)
A. Pimpinelli, J. Villain. Physica A, 204, 521 (1994)
С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Патент RU 2453874
A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev. Ultramirosсopy, 48, 377 (1993)
S. Sitnikov, S. Kosolobov, A. Latyshev. Surf. Sci., 633, L1 (2015)
N. Shimizu, Y. Tanishiro, K. Takayanagi, K. Yagi. Surf. Sci., 191, 28 (1987)
С.С. Косолобов, А.Л. Асеев, А.В. Латышев. ФТП., 35 (9), 1084 (2001) [Semicondutors, 35, 1038 (2001)]
N. Kitamura, M.G. Lagally, M.B. Webb. Phys. Rev. Lett., 71, 2082 (1993)
Y.-N. Yang, E.D. Williams. Phys. Rev. Lett., 72, 1862 (1994)
Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела (Наука, 1978)
M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubia. Phys. Rev. B, 55, 14 279 (1997)
D.A. Antoniadis, I. Moskowitz. J. Appl. Phys., 53, 6788 (1982)
M. Suezawa, N. Fukata, Y. Iijima, I. Yonenaga. J. Appl. Phys., 53, 091 302 (2014)
R. Kube, H. Bracht, E. Huger, H. Schmidt, J. Lundsgaard Hansen, A. Nylandsted Larsen, J.W. Ager III, E.E. Haller, T. Geue, J. Stahn. Phys. Rev. B, 88, 085 206 (2013)
Y. Homma, P. Finnie, M. Uwaha. Surf. Sci., 492, 125 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель