"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке
Президиум РАН, №1 ” Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий“
Министерство образования и науки Российской Федерации, соглашение от 27 августа 2013 г. между МОН РФ и ННГУ, № 02.В.49.21.0003
Алешкин В.Я.1,2, Дубинов А.А. 1,2, Кудрявцев К.Е.1,2, Юнин П.А.1,2, Дроздов М.Н.1,2, Вихрова О.В.3, Некоркин С.М.3, Звонков Б.Н.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: aleshkin@ipmras.ru, sanya@ipmras.ru, konstantin@ipmras.ru, yunin@ipmras.ru, drm@ipmras.ru, vikhrova@nifti.unn.ru, nekorkin@nifti.unn.ru, zvonkov@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 27 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Исследованы структурные и оптические свойства метаморфного объемного слоя GaAsSb, выращенного на GaAs-подложке. При достижении величины плотности мощности возбуждения (длина волны 0.65 мкм) 9 кВт/см2 при температуре жидкого азота и 230 кВт/см2 при комнатной температуре наблюдалась суперлюминесценция на длинах волн 0.943 и 0.992 мкм соответственно.
  1. Y. Zhu, N. Jain, S. Vijayaraghavan, D.K. Mohata, S. Datta, D. Lubyshev, J.M. Fastenau, W.K. Liu, N. Monsegue, M.K. Hudait. J. Appl. Phys., 112, 024 306 (2012)
  2. A. Bosacchi, S. Franchi, P. Allegri, V. Avanzini, A. Baraldi, R. Magnanini, M. Berti, D. De Salvador, S.K. Sinha. J. Cryst. Growth, 201-202, 858 (1999)
  3. S. Xiaoguang, W. Shuling, J.S. Hsu, R. Sidhu, X.G. Zheng, X. Li, J.C. Campbell, A.L. Holmes. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 8, 817 (2002)
  4. В.Я. Алешкин, А.А. Афоненко, Н.В. Дикарева, А.А. Дубинов, К.Е. Кудрявцев, С.В. Морозов, С.М. Некоркин. ФТП, 47 (11), 1486 (2013)
  5. T. Anan, M. Yamada, K. Nishi, K. Kurihara, K. Tokutome, A. Kamei, S. Sugou. Electron. Lett., 37, 566 (2001)
  6. H.Y. Liu, Y. Qiu, C.Y. Jin, T. Walther, A.G. Cullis. Appl. Phys. Lett., 92, 111 906 (2008)
  7. Ю.Ф. Бирюлин, Р.Р. Ичкитидзе, В.К. Кригель, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 13 (6), 1235 (1979)
  8. G. Borghs, K. Bhattacharyya, K. Denette, P. Van Mieghem, R. Mertens. J. Appl. Phys., 66, 4381 (1989)
  9. O. Madelung. Semiconductors: Data Handbook (Springer-Verlag, 2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.