Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке

Президиум РАН, №1 ” Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий“

Министерство образования и науки Российской Федерации, соглашение от 27 августа 2013 г. между МОН РФ и ННГУ, № 02.В.49.21.0003

Алешкин В.Я.^1,2, Дубинов А.А. ^1,2, Кудрявцев К.Е.^1,2, Юнин П.А.^1,2, Дроздов М.Н.^1,2, Вихрова О.В.³, Некоркин С.М.³, Звонков Б.Н.³

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

³Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Email: aleshkin@ipmras.ru, sanya@ipmras.ru, konstantin@ipmras.ru, yunin@ipmras.ru, drm@ipmras.ru, vikhrova@nifti.unn.ru, nekorkin@nifti.unn.ru, zvonkov@nifti.unn.ru

Поступила в редакцию: 27 октября 2015 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы структурные и оптические свойства метаморфного объемного слоя GaAsSb, выращенного на GaAs-подложке. При достижении величины плотности мощности возбуждения (длина волны 0.65 мкм) 9 кВт/см² при температуре жидкого азота и 230 кВт/см² при комнатной температуре наблюдалась суперлюминесценция на длинах волн 0.943 и 0.992 мкм соответственно.

Y. Zhu, N. Jain, S. Vijayaraghavan, D.K. Mohata, S. Datta, D. Lubyshev, J.M. Fastenau, W.K. Liu, N. Monsegue, M.K. Hudait. J. Appl. Phys., 112, 024 306 (2012)
A. Bosacchi, S. Franchi, P. Allegri, V. Avanzini, A. Baraldi, R. Magnanini, M. Berti, D. De Salvador, S.K. Sinha. J. Cryst. Growth, 201-202, 858 (1999)
S. Xiaoguang, W. Shuling, J.S. Hsu, R. Sidhu, X.G. Zheng, X. Li, J.C. Campbell, A.L. Holmes. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 8, 817 (2002)
В.Я. Алешкин, А.А. Афоненко, Н.В. Дикарева, А.А. Дубинов, К.Е. Кудрявцев, С.В. Морозов, С.М. Некоркин. ФТП, 47 (11), 1486 (2013)
T. Anan, M. Yamada, K. Nishi, K. Kurihara, K. Tokutome, A. Kamei, S. Sugou. Electron. Lett., 37, 566 (2001)
H.Y. Liu, Y. Qiu, C.Y. Jin, T. Walther, A.G. Cullis. Appl. Phys. Lett., 92, 111 906 (2008)
Ю.Ф. Бирюлин, Р.Р. Ичкитидзе, В.К. Кригель, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 13 (6), 1235 (1979)
G. Borghs, K. Bhattacharyya, K. Denette, P. Van Mieghem, R. Mertens. J. Appl. Phys., 66, 4381 (1989)
O. Madelung. Semiconductors: Data Handbook (Springer-Verlag, 2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель