"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рентгенопроводимость монокристаллического ZnSe
Дегода В.Я.1, Подуст Г.П.1
1Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, Киев, Украина
Email: degoda@univ.kiev.ua
Поступила в редакцию: 29 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.

Экспериментально полученные вольт-амперные и люкс-амперные характеристики рентгенопроводимости и рентгенолюминесценции монокристаллов селенида цинка имеют нелинейный характер. Проведенный теоретический анализ кинетики рентгенопроводимости показал, что даже при наличии мелких и глубоких ловушек для свободных носителей в полупроводниковом образце интегральные характеристики рентгенопроводимости (люкс-амперные и вольт-амперные зависимости) должны быть линейными. Можно предположить, что нелинейности экспериментально полученных вольт-амперных и люкс-амперных характеристик могут быть обусловлены характером генерации свободных носителей при рентгеновском облучении --- генерацией сотен тысяч свободных носителей противоположного знака в локальной области диаметром < 1 мкм и кулоновским взаимодействием свободных носителей противоположных знаков.
  1. Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка (Кишинев, Штиинца, 1984)
  2. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкман. Физика соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (М., Наука, 1986)
  3. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк. Оптические свойства полупроводников (Справочник) (Киев., Наук. думка, 1987)
  4. Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов, В.Д. Рыжиков. Селенид цинка. Получение и оптические свойства (М., Наука, 1992)
  5. Л.В. Атрощенко, С.Ф. Бурачас, Л.П. Гальчинецкий, Б.В. Гринев, В.Д. Рыжиков, Н.Г. Старжинский. Кристаллы сцинтилляторов и детекторы ионизирующих излучений на их основе (Киев. наук. думка, 1998)
  6. A.O. Sofiienko, V.Y. Degoda. Rad. Measurements, 47, 27 (2012)
  7. M.S. Brodyn, V.Ya. Degoda, A.O. Sofiienko, B.V. Kozhushko, V.T. Vesna. Rad. Measurements, 65, 36 (2014)
  8. В.Д. Рыжиков. Сцинтилляционные кристаллы полупроводниковых соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (М.; НИИТЭХИМ, 1989)
  9. Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов, Е.М. Гаврищук. ФТП, 35, 534 (2001)
  10. А.П. Оконечников. Автореф. докт. дис. (Екатеринбург, 1996)
  11. В.Я. Дегода Основи кiнетики фотоелектричних явищ у кристалофосфорах (Киев, ВПЦ "Киiвський унiверситет", 2009)
  12. Э.И. Адирович. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов (М., ГИТТЛ, 1956)
  13. M.В. Фок. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров (М., Наука, 1964)
  14. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
  15. В.В. Антонов-Романовский. Кинетика люминесценции кристаллофосфоров (М., Наука, 1966)
  16. Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел (М., Мир, 1962)
  17. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., ГИФМЛ, 1963)
  18. S. Datta. Quantum Transport: Atom to Transistor (N. Y., Cambridge University Press, 2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.