"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ударная ионизация в неоднородно разогретых кремниевых p+-n-n+- и n+-p-p+-структурах
Мусаев А.М.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 6 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Приведены результаты экспериментального исследования, эффектов изменения тока ударной ионизации в кремниевых диффузионных p+-n-n+- и n+-p-p+-структурах при неоднородном их разогреве. Показано, что обнаруженные эффекты связаны с трансформацией зонных энергетических уровней, которые обусловлены термоупругими напряжениями структур.
  1. В.Н. Добровольский, В.А. Романов. ФТП, 26, 1361 (1992)
  2. В.Н. Добровольский, С.Б. Грязнов. ФТП, 26, 1366 (1992)
  3. В.Н. Добровольский, И.Е. Пальцев. ФТП, 28, 266 (1994)
  4. W. Rindner. Appl. Phys. Lett., 6, 225 (1965)
  5. А.Д. Коваленко. Термоупругость (Киев, Вища шк., 1975) гл. 2
  6. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972) гл. 5, с. 374
  7. А.Л. Полякова. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1979) гл. 3
  8. Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Е.Л. Ивченко, М.Е. Левинштейн, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах (СПб., Наука, 2000) гл. 2, с. 102

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.