Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Ударная ионизация в неоднородно разогретых кремниевых p+-n-n+- и n+-p-p+-структурах
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия 
Поступила в редакцию: 6 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.
Приведены результаты экспериментального исследования, эффектов изменения тока ударной ионизации в кремниевых диффузионных p+-n-n+- и n+-p-p+-структурах при неоднородном их разогреве. Показано, что обнаруженные эффекты связаны с трансформацией зонных энергетических уровней, которые обусловлены термоупругими напряжениями структур.
- В.Н. Добровольский, В.А. Романов. ФТП, 26, 1361 (1992)
- В.Н. Добровольский, С.Б. Грязнов. ФТП, 26, 1366 (1992)
- В.Н. Добровольский, И.Е. Пальцев. ФТП, 28, 266 (1994)
- W. Rindner. Appl. Phys. Lett., 6, 225 (1965)
- А.Д. Коваленко. Термоупругость (Киев, Вища шк., 1975) гл. 2
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972) гл. 5, с. 374
- А.Л. Полякова. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1979) гл. 3
- Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Е.Л. Ивченко, М.Е. Левинштейн, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин. Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах (СПб., Наука, 2000) гл. 2, с. 102
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
