Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2016, выпуск 4 » Статья стр. 465
<<<>>>
Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3C-SiC(111)
Бенеманская Г.В.1,2, Дементьев П.А.1,2, Кукушкин С.А.2, Лапушкин М.Н.1,2, Сеньковский Б.В.3, Тимошнев С.Н.2,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Helmholtz-Zentrum Berlin fur Materialen und Energie, Elektronenspeicherring BESSY II D, Berlin, Germany
4Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: Galina.Benemanskaya@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.
PDF версия
Впервые исследованы электронные свойства наноинтерфейса Ва/SiC(111) методом фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхротронного излучения в диапазоне энергий 80-450 эВ. Эксперименты проведены in situ в сверхвысоком вакууме при ультратонких Ва-покрытиях на образцах SiC(111), выращенных новым методом замещения атомов подложки. Обнаружено, что Ва-адсорбция вызывает появление индуцированных поверхностных состояний с энергиями связи 1.9, 6.2 и 7.5 эВ. Эволюция поверхностных состояний и спектров остовных уровней Si 2p и C 1s показывает, что формирование интерфейса Ba/SiC происходит за счет переноса заряда от адатомов Ba к поверхностным атомам кремния и нижерасположенным атомам углерода.
  1. S.E. Saddow, A.Agrawal. Advances in Silicon Carbide Processing and Applications (2004). ISBN 1-58053-740-5
  2. P. Soukiassian, H.B. Enriquez. J. Phys.: Condens Matter, 16, 1611 (2004)
  3. T. Seyller. J. Phys.: Condens Matter, 16, 1755 (2004)
  4. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys., 113, 024 909 (2013)
  5. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 313 001 (2014)
  6. S.W. King, R.J. Nemanich, R.F. Davis. Phys. Status Solidi B, 252, 391 (2015)
  7. Y. Hoshino, T. Nishimura, T. Yoneda, K. Ogawa, H. Namba, Y. Kido. Surf. Sci., 505, 234 (2002)
  8. S. Watcharinyanon, C. Virojanadara, L.I. Johansson. Surf. Sci., 605, 1918 (2011)
  9. S. Watcharinyanon, L.I. Johansson, C. Xia, C. Virojanadara. J. Appl. Phys., 111, 083 711 (2012)
  10. V. van Elsbergen, T.U. Kampen, W. Monch. J. Appl. Phys.. 79, 316 (1996)
  11. C. Virojanadara, L.I. Johansson. Surf. Sci., 600, 436 (2006)
  12. L.I. Johansson, C. Virojanadara. Phys. Status Solidi B, 248, 667 (2011)
  13. B. Wenzien, P. Kackell, F. Bechstedt, G. Cappellini. Phys. Rev. B, 52, 10 897 (1995)
  14. V.M. Bermudez, J.P. Long. Appl. Phys. Lett., 66, 475 (1995)
  15. H.W. Yeom, Y.-C. Chao, I. Matsuda, S. Hara, S. Yoshida, R.I.G. Uhrberg. Phys. Rev. B, 58, 10 540 (1998)
  16. Г.В. Бенеманская, Г.Э. Франк-Каменецкая, Н.М. Шмидт. ЖЭТФ, 130, 506 (2006)
  17. A.G. Fedorus, A.G. Naumovets, Yu.S. Vedula. Phys. Status Solidi A, 13, 445 (1972)
  18. C.P. Cheng, I.H. Hong, T.W. Pi. Phys. Rev. B, 58, 4066 (1998)
  19. T. Okuda, K.S. An, A. Harasawa, T. Kinoshita. Phys. Rev. B, 71, 085 317 (2005)
  20. Г.В. Бенеманская, В.Н. Жмерик, М.Н. Лапушкин, С.Н. Тимошнев. Письма ЖЭТФ, 91, 739 (2010)
  21. P.-A. Glans, T. Balasubramanian, M. Syvajarvi, R. Yakimova, L.I. Johansson. Surf. Sci., 470, 284 (2001)
  22. R. Verucchi, L. Aversa, M.V. Nardi, S. Taioli, S. Beccara, D. Alfae, L. Nasi, F. Rossi, G. Salviati, S. Iannotta. J. Am. Chem. Soc., 134, 17 400 (2012)
  23. G.V. Benemanskaya, P.A. Dementev, S.А. Kukushkin, M.N. Lapushkin, A.V. Osipov, B. Senkovskiy, S.N. Timoshnev. Mater. Phys. Mech., 22, 183 (2015)
  24. C.H. Park, B.-H. Cheong, K.-H. Lee, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 49, 4485 (1994)
  25. L. Wenchang, Y. Weidong, Z. Kaiming. J. Phys. Condens. Matter, 3, 9079 (1991)
  26. J. Wang, L. Zhang, Q. Zeng, G.L. Vignoles, L. Cheng, A. Guette. Phys. Rev. B, 79, 125 304 (2009)
  27. L.I. Johansson, F. Owman, P. Martensson. Phys. Rev. B, 53, 19 793 (1996)
  28. J. Schardt, J. Bernhardt, U. Starke, K. Heinz. Phys. Rev. B, 62, 10 335 (2000)
  29. М.В. Гомоюнова, Г.С. Гребенюк, И.И. Пронин, С.М. Соловьев, Д.Е. Марченко, Д.В. Вялых. ФТТ, 53, 564 (2011)
  30. М.В. Гомоюнова, Г.С. Гребенюк, К.М. Попов, И.И. Пронин, Письма ЖТФ, 39 (8), 1 (2013)
  31. R. Takahashi, H. Handa, Shunsuke, K. Imaizumi, H. Fukidome, A. Yoshigoe, Yu. Teraoka, M. Suemitsu. Jph. J. Appl. Phys., 50, 070 103 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme