Вышедшие номера
Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3C-SiC(111)
Бенеманская Г.В.1,2, Дементьев П.А.1,2, Кукушкин С.А.2, Лапушкин М.Н.1,2, Сеньковский Б.В.3, Тимошнев С.Н.2,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Helmholtz-Zentrum Berlin fur Materialen und Energie, Elektronenspeicherring BESSY II D, Berlin, Germany
4Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: Galina.Benemanskaya@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 сентября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Впервые исследованы электронные свойства наноинтерфейса Ва/SiC(111) методом фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхротронного излучения в диапазоне энергий 80-450 эВ. Эксперименты проведены in situ в сверхвысоком вакууме при ультратонких Ва-покрытиях на образцах SiC(111), выращенных новым методом замещения атомов подложки. Обнаружено, что Ва-адсорбция вызывает появление индуцированных поверхностных состояний с энергиями связи 1.9, 6.2 и 7.5 эВ. Эволюция поверхностных состояний и спектров остовных уровней Si 2p и C 1s показывает, что формирование интерфейса Ba/SiC происходит за счет переноса заряда от адатомов Ba к поверхностным атомам кремния и нижерасположенным атомам углерода.