Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Природа оранжевой (2 эВ) фотолюминесценции в пленках SiO2, имплантированных большими дозами ионов Si+
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 17 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.
Изучены спектры фотолюминесценции и спектры возбуждения фотолюминесценции в пленках SiO2, имплантированных большими дозами ионов Si+ (3 ат%), в зависимости от температуры последующего отжига. Показано, что в спектрах доминируют две полосы фотолюминесценции с максимумом 2.7 и 2 эВ, соотношение интенсивностей которых с ростом температуры отжига изменяется в пользу первой. Обе полосы фотолюминесценции имеют основной максимум возбуждения с энергией 5.1 эВ. В спектре возбуждения полосы ~2 эВ присутствуют также пики 3.8 и 4.6 эВ. Сделано заключение, что природа оранжевой полосы фотолюминесценции в имплантированных пленках SiO2 обусловлена излучательными переходами между уровнями центров, связанных с дефицитом кислорода (=Si-Si= или =Si:), и уровнями немостикового кислорода (=Si-Oo).
- M.-y. Hao, H. Hwang, J.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 62, 1530 (1993)
- S-H. Choi, R.G. Elliman. Appl. Phys. Lett., 75, 968 (1999)
- B. Mrstik, H.L. Hughes, P.J. McMarr, R.K. Lawrence, D.I. Ma, I.P. Isaacson, R.A. Walker. IEEE Trans. Nucl. Sci., 47, 2189 (2000)
- T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa, A.N. Nazarov, I.N. Osiyuk, V.S. Lysenko. Appl. Phys. Lett., 81, 2575 (2002)
- T. Shimizu-Iwajama, S. Nakao, K. Saitoh. Appl. Phys. Lett., 65, 1814 (1994)
- P. Mutti, G. Ghislotti, S. Bertoni, L. Bonoldi, G.F. Cerofolini, L. Meda, E. Grilli, M. Guzzi. Appl. Phys. Lett., 66, 851 (1995)
- W. Skorupa, R.A. Yankov, I.E. Tyschenko, H. Frob, T. Bohme, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 68, 2410 (1996)
- L. Rebohle, J. von Borany, R.A. Yankov, W. Skorupa, I.E. Tyschenko, H. Frob, K. Leo. Appl.Phys. Lett., 71, 2809 (1997)
- T. Shimizu-Iwajama, T. Terao, A. Kamiya, M. Takeds, S. Nakao, K. Saitoh. Nanostruct. Mater., 5, 307 (1995)
- V. Gritsenko, H. Wong. Crit. Rev. Solid State Mat. Sci., 36, 129 (2011)
- В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск, Наука, Сиб. отд-ние, 1993) гл. 6, с. 200
- E.P. O'Reilly, J. Robertson. Phys. Rev. B, 27, 3780 (1983)
- G.W. Arnold. IEEE Trans. Nucl. Sci., NS-20, 220 (1973)
- E.M. Dianov, V.O. Sokolov, V.B. Sulimov. J. Non-Cryst. Solids. 149, 5 (1992)
- L. Rebohle, J. von Borany, H. Frob, W. Skorupa. Appl. Phys. B, 71, 131 (2000)
- Y. Sakurai. J. Appl. Phys., 87, 755 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
