Вышедшие номера
Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах CdxHg1-xTe: учет излучательной рекомбинации
Баженов Н.Л.1, Мынбаев К.Д.1,2, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Анализируется вероятность излучательной рекомбинации носителей заряда в узкощелевых полупроводниках на примере твердых растворов CdxHg1-xTe. Получены выражения для мнимой части диэлектрической проницаемости и вероятности излучательной рекомбинации в рамках трехзонной модели Кейна с учетом непараболической зависимости энергии носителей от волнового вектора. Показано, что учет такой непараболичности энергетического спектра носителей приводит к модификации зависимости мнимой части диэлектрической проницаемости от частоты. Проведено сравнение выражений для вероятности излучательной рекомбинации, полученных в рамках простой параболической модели и модели Кейна с учетом и без учета эффекта непараболичности. Показано, что вклады в рекомбинацию переходов электронов в зоны тяжелых и легких дырок близки и при вычислении вероятности излучательной рекомбинации пренебрегать вкладом легких дырок нельзя.