Вышедшие номера
Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках "напряженный кремний-на-изоляторе" с тонким слоем окисла
Байдакова Н.А.1,2, Бобров А.И.2, Дроздов М.Н.1,2, Новиков А.В.1,2, Павлов Д.А.2, Шалеев М.В.1, Юнин П.А.1,2, Юрасов Д.В.1,2, Красильник З.Ф.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Исследована возможность использования подложек на основе структур "напряженный кремний на-изоляторе" с тонким (25 нм) захороненным слоем окисла для роста светоизлучающих SiGe-структур. Показано, что в отличие от подложек "напряженный кремний-на-изоляторе" с толстым (сотни нм) оксидным слоем температурная стабильность подложек с тонким окислом значительно ниже. Отработаны методики химической и термической очистки поверхности таких подложек, позволяющие как сохранить упругие напряжения в тонком слое Si на окисле, так и обеспечить очистку поверхности от загрязняющих примесей. Продемонстрирована возможность роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии на таких подложках светоизлучающих SiGe-структур высокого кристаллического качества.