"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Создание центров рекомбинации носителей зарядов в сапфировой подложке КНС-структур
Александров П.А.1, Белова Н.Е.1, Демаков К.Д.1, Шемардов С.Г.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Предложен способ получения высококачественных радиационно стойких КНС-структур при создании слоя наноразмерных пор в сапфире с помощью ионной имплантации гелия, то есть путем создания центров рекомбинации носителей заряда, при этом одновременно улучшается и качество кремниевого слоя. Обсуждается вопрос о термостабильности пор с тем, чтобы на получившемся модифицированном образце КНС можно было создать микросхему. Слой пор, имея большую совокупную поверхность, существенно уменьшает время жизни носителей заряда, генерируемых во время облучения работающей микросхемы, что приводит к уменьшению заряда на границе раздела кремний--сапфир и к повышению радиационной стойкости.
  1. S.S. Lau, J.W. Mayer, T.W. Sigmon. USA Patent, N 4177084 (1979)
  2. I. Golecki. USA Patent, N 4588447 (1986)
  3. M.L. Burgener, R.E. Reedy. USA Patent, N 5416043 (1995)
  4. П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Нано- и микросистемная техника, 3, 54 (2008)
  5. П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. ФТП, 43 (5), 627 (2009)
  6. П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. ФТП, 44 (10), 1433 (2010)
  7. П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Патент РФ, N 2427941 (2011)
  8. П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. ФТП, 47 (2), 264 (2013)
  9. А.А. Шелухин, Ю.В. Балакшин, В.С. Черныш, С.А. Голубков, Н.Н. Егоров, А.И. Сидоров. ФТП, 48 (4), 535 (2014)
  10. В.М. Воротынцев, Е.Л. Шолобов, В.А. Герасимов. ФТП, 45 (12), 1662 (2011)
  11. П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов. Неопубликованные материалы
  12. S. Yerchi, U. Serincan, I. Dogan, S. Tokay, M. Genisel, A. Aydinli, R. Turan. J. Appl. Phys., 100 (7), 074 301 (2006)
  13. S. Yerchi, M. Kulaksi, U. Serincan, M. Barozzi, M. Bersani, R. Turan. J. Appl. Phys., 102 (2),024 309 (2007)
  14. C.J. Park, Y.H. Kwon, Y.H. Lee, T.W. Kang, H.Y. Cho, S.Kim, S.H. Choi, R.G. Elliman. Appl. Phys. Lett., 84 (14), 2667 (2004)
  15. W.T. Spratt, M. Huang, C. Jia, L. Wang, V.K. Kamineni, A.C. Diebold, H. Xia. Appl. Phys. Lett., 99 (11), 111 909 (2011)
  16. М.И. Гусева, Ю.В. Мартыненко. УФН, 13 (4), 671 (1981)
  17. C.C. Griffioen, J.H. Evans, P.C. de Jong, A. van Veen. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 27 (3), 417 (1987)
  18. H. Trinkaus, B. Hollander, St. Rongen, S. Mantl, H.-J. Herzog, J. Kuchebecker, T. Hackbarth. Appl. Phys. Lett., 76 (24), 32 (2000)
  19. J. Cai, P.M. Mooney, S.H. Christiansen, H. Chen, J.O. Chu, J.A. Ott. J. Appl. Phys., 95 (10), 5347 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.