Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Пространственно-контролируемый рост одиночных квантовых точек InP

Власов А.С.¹, Минтаиров А.М.^1,2, Калюжный Н.А.¹, Минтаиров С.А.¹, Салий Р.А.¹, Денисюк А.И.³, Бабунц Р.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA

³Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 18 ноября 2014 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследован процесс МОС-гидридной эпитаксии квантовых точек InP/GaInP на "дефектах" подложки (GaAs), сформированных сфокусированным пучком ионов Ga⁺. Показано, что в системе InP/GaInP могут быть получены упорядоченные массивы квантовых точек с плотностью 0.25 мкм^-2. Показано, что эффективная люминесценция может быть получена при использовании двух слоев квантовых точек, разделенных буфером GaAs/GaInP.

Single Quantum Dots: Fundamentals, Applications and New Concepts, ed. by P. Michler (Springer, 2003)
M. Bommer, W.-M. Schulz, R. Rossbach, M. Jetter, P. Michler, T. Thomay, A. Leitenstorfer, R. Bratschitschl. J. Appl. Phys., 110, 063 108 (2011)
V. Zwiller, T. Aichele, W. Seifert, J. Persson, O. Benson. Appl. Phys. Lett., 82, 1509 (2003)
R. Rodel, A. Bauer, S. Kremling, S. Reitzenstein, S. Hofling, M. Kamp, L. Worschech, A. Forchel. Nanotechnology, 23, 015 605 (2012)
Y. Chu, A.M. Mintairov, Y. He, J.L. Merz, N.A. Kalugnyy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov. Phys. Status Solidi C, 8 (2), 325 (2011)
V. Baumann, F. Stumpf, Ch. Schneider, S. Kremling, KL. Worschech, A. Forchel, S. Hofling, M. Kamp. Appl. Phys. Lett., 100, 091 109 (2012)
D. Dalacu, M.E. Reimer, S. Frederick, D. Kim, J. Lapointe, P.J. Poole, G.C. Aers, R.L. Williams, W.R. McKinnon, M. Korkusinski, P. Hawrylak. Laser Photon. Rev., 4 (2), 283 (2010)
M. Mehta, D. Reuter, A. Melnikov, A.D. Wieck, A. Remfoh. Appl. Phys. Lett., 91, 123 108 (2007)
A.J. Martin, T.W. Saucer, G.V. Rodriquez, V. Sih, J.M. Millunchick. Nanotechnology, 23, 135 401 (2012)
V. Baumann, F. Stumpf, T. Steinl, A. Forchel, C. Schneider, S. Hofling, M. Kamp. Nanotechnology, 23, 375 301 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель