"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Пространственно-контролируемый рост одиночных квантовых точек InP
Власов А.С.1, Минтаиров А.М.1,2, Калюжный Н.А.1, Минтаиров С.А.1, Салий Р.А.1, Денисюк А.И.3, Бабунц Р.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Исследован процесс МОС-гидридной эпитаксии квантовых точек InP/GaInP на "дефектах" подложки (GaAs), сформированных сфокусированным пучком ионов Ga+. Показано, что в системе InP/GaInP могут быть получены упорядоченные массивы квантовых точек с плотностью 0.25 мкм-2. Показано, что эффективная люминесценция может быть получена при использовании двух слоев квантовых точек, разделенных буфером GaAs/GaInP.
  • Single Quantum Dots: Fundamentals, Applications and New Concepts, ed. by P. Michler (Springer, 2003)
  • M. Bommer, W.-M. Schulz, R. Rossbach, M. Jetter, P. Michler, T. Thomay, A. Leitenstorfer, R. Bratschitschl. J. Appl. Phys., 110, 063 108 (2011)
  • V. Zwiller, T. Aichele, W. Seifert, J. Persson, O. Benson. Appl. Phys. Lett., 82, 1509 (2003)
  • R. Rodel, A. Bauer, S. Kremling, S. Reitzenstein, S. Hofling, M. Kamp, L. Worschech, A. Forchel. Nanotechnology, 23, 015 605 (2012)
  • Y. Chu, A.M. Mintairov, Y. He, J.L. Merz, N.A. Kalugnyy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov. Phys. Status Solidi C, 8 (2), 325 (2011)
  • V. Baumann, F. Stumpf, Ch. Schneider, S. Kremling, KL. Worschech, A. Forchel, S. Hofling, M. Kamp. Appl. Phys. Lett., 100, 091 109 (2012)
  • D. Dalacu, M.E. Reimer, S. Frederick, D. Kim, J. Lapointe, P.J. Poole, G.C. Aers, R.L. Williams, W.R. McKinnon, M. Korkusinski, P. Hawrylak. Laser Photon. Rev., 4 (2), 283 (2010)
  • M. Mehta, D. Reuter, A. Melnikov, A.D. Wieck, A. Remfoh. Appl. Phys. Lett., 91, 123 108 (2007)
  • A.J. Martin, T.W. Saucer, G.V. Rodriquez, V. Sih, J.M. Millunchick. Nanotechnology, 23, 135 401 (2012)
  • V. Baumann, F. Stumpf, T. Steinl, A. Forchel, C. Schneider, S. Hofling, M. Kamp. Nanotechnology, 23, 375 301 (2012)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.