"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Пространственно-контролируемый рост одиночных квантовых точек InP
Власов А.С.1, Минтаиров А.М.1,2, Калюжный Н.А.1, Минтаиров С.А.1, Салий Р.А.1, Денисюк А.И.3, Бабунц Р.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Исследован процесс МОС-гидридной эпитаксии квантовых точек InP/GaInP на "дефектах" подложки (GaAs), сформированных сфокусированным пучком ионов Ga+. Показано, что в системе InP/GaInP могут быть получены упорядоченные массивы квантовых точек с плотностью 0.25 мкм-2. Показано, что эффективная люминесценция может быть получена при использовании двух слоев квантовых точек, разделенных буфером GaAs/GaInP.
  1. Single Quantum Dots: Fundamentals, Applications and New Concepts, ed. by P. Michler (Springer, 2003)
  2. M. Bommer, W.-M. Schulz, R. Rossbach, M. Jetter, P. Michler, T. Thomay, A. Leitenstorfer, R. Bratschitschl. J. Appl. Phys., 110, 063 108 (2011)
  3. V. Zwiller, T. Aichele, W. Seifert, J. Persson, O. Benson. Appl. Phys. Lett., 82, 1509 (2003)
  4. R. Rodel, A. Bauer, S. Kremling, S. Reitzenstein, S. Hofling, M. Kamp, L. Worschech, A. Forchel. Nanotechnology, 23, 015 605 (2012)
  5. Y. Chu, A.M. Mintairov, Y. He, J.L. Merz, N.A. Kalugnyy, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov. Phys. Status Solidi C, 8 (2), 325 (2011)
  6. V. Baumann, F. Stumpf, Ch. Schneider, S. Kremling, KL. Worschech, A. Forchel, S. Hofling, M. Kamp. Appl. Phys. Lett., 100, 091 109 (2012)
  7. D. Dalacu, M.E. Reimer, S. Frederick, D. Kim, J. Lapointe, P.J. Poole, G.C. Aers, R.L. Williams, W.R. McKinnon, M. Korkusinski, P. Hawrylak. Laser Photon. Rev., 4 (2), 283 (2010)
  8. M. Mehta, D. Reuter, A. Melnikov, A.D. Wieck, A. Remfoh. Appl. Phys. Lett., 91, 123 108 (2007)
  9. A.J. Martin, T.W. Saucer, G.V. Rodriquez, V. Sih, J.M. Millunchick. Nanotechnology, 23, 135 401 (2012)
  10. V. Baumann, F. Stumpf, T. Steinl, A. Forchel, C. Schneider, S. Hofling, M. Kamp. Nanotechnology, 23, 375 301 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.