"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние бимодальности массива квантовых точек на оптические свойства и пороговые характеристики лазеров на их основе
Надточий А.М.1,2,3, Минтаиров С.А.3, Калюжный Н.А.3, Рувимов С.C.4, Шерняков Ю.М.3, Паюсов А.C.1,3, Максимов М.В.1,2,3, Жуков А.Е.1,2
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA
Поступила в редакцию: 29 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Синтезированы гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs на вицинальных подложках GaAs (001). Исследованы спектры фотолюминесценции и пороговые характеристики полосковых лазеров в диапазоне температур 10-400 K, а также структурные свойства квантовых точек с помощью просвечивающей электронной микроскопии. При анализе спектров фотолюминесценции обнаружена бимодальность массива квантовых точек, приводящая к необычному температурному поведению спектров фотолюминесценции и плотности порогового тока. Рассмотрена модель заполнения бимодального массива квантовых точек носителями заряда, описывающая наблюдаемые явления.
  • N.N. Ledentsov,V.M. Ustinov,V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Z.I. Alferov, D. Bimberg. Semiconductors, 32 (4), 343 (1998)
  • S.S. Mikhrin, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.P. Vasil'ev, E.S. Semenova, V.M. Ustinov, M.M. Kulagina, E.V. Nikitina, I.P. Soshnikov, Y.M. Shernyakov, D.A. Livshits, N.V. Kryjanovskaya, D.S. Sizov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Z.I. Alferov. Semiconductors, 36 (11), 1315 (2002)
  • S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, I.L. Krestnikov, A.V. Kozhukhov, D.A. Livshits, N.N. Ledentsov, Yu.M. Shernyakov, I.I. Novikov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 20, 340 (2005)
  • N.V. Kryzhanovskaya, I.S. Mukhin, E.I. Moiseev, I.I. Shostak, A.A. Bogdanov, A.M. Nadtochiy, M.V. Maximov, A.E. Zhukov, M.M. Kulagina, K.A. Vashanova, Yu.M. Zadiranov, S.I. Troshkov, A.A. Lipovskii, A. Mintairov. Opt. Express, 22 (21), 25 782 (2014)
  • A. Kovsh, I. Krestnikov, D. Livshits, S. Mikhrin, J. Weimer, A. Zhukov. Opties. Lett., 32, 793 (2007)
  • S.A. Blokhin, A.V. Sakharov, A.M. Nadtochy, A.S. Pauysov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Lantratov, S.A. Mintairov, N.A. Kaluzhniy, M.Z. Shvarts. Semiconductors, 43, 514 (2009)
  • A. Luque, A. Marti. Phys. Rev. Lett., 78, 5014 (1997)
  • Д.Г. Васильев, В.П. Евтихиев, В.Е. Токранов, И.В. Кудряшов, В.П. Кочерешко. ФТТ, 40 (5), 855 (1998)
  • S. Liang, H.L. Zhu, W. Wang. J. Appl. Phys., 100, 103 503 (2006)
  • T. Yang, S. Tsukamoto, J. Tatebayashi, M. Nishioka, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 85 (14), 2753 (2004)
  • C.M. Lee, S.H. Choi, J.C. Seo, J.I. Lee, J.Y. Leem, I.K. Han. J. Korean Phys. Soc., 46 (6), 1615 (2004)
  • Y.C. Zhang, C.J. Huang, F.Q. Liu, B. Xu, J. Wu, Y.H. Chen, D. Ding, W.H. Jang, X.L. Ye, Z.G. Wang. J. Appl. Phys., 90 (4), 1973 (2001)
  • G. Saint-Girons, I. Sagnes. J. Appl. Phys., 91 (12), 10 115 (2002)
  • B. Bansal. J. Appl. Phys., 100, 093 107 (2006)
  • H. Kissel, U. Muller, C. Walther, W.T. Masselink. Phys. Rev. B, 62 (11), 723 (2000)
  • H.L. Wang, D. Ning, S.L. Feng. J. Cryst. Growth, 209, 630 (2000)
  • Y.C. Zhang, C.J. Huang, F.Q. Liu, B. Xu, D. Ding, W.H. Jiang, Y.F. Li, X.L. Ye, J. Wu, Y.H. Chen, Z.G. Wang. J. Cryst. Growth, 219, 199 (2000)
  • W.H. Jiang, X.L. Ye, B. Xu, H.Z. Xu, D. Ding, J.B. Liang, Z.G. Wang. J. Appl. Phys., 88 (5), 2529 (2000)
  • A.A. Emelway, S. Birudavolu, P.S. Wong, Y.-B. Jiang, H. Xu, S. Huang, D.L. Huffaker. J. Appl. Phys., 93 (6), 3529 (2003)
  • L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
  • I.I. Novikov, M.V. Maksimov, Y.M. Shernyakov, N.Y. Gordeev, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, N.A. Maleev, A.P. Vasil'ev, V.M. Ustinov, Z.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Semiconductors, 37 (10), 1239 (2003)
  • A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, A.Y. Egorov, A.R. Kovsh, N.N. Ledentsov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul'nikov, N.Y. Gordeev, S.V. Zaitsev, P.S. Kop'ev. Semiconductors, 42, 93 (1997)
  • A. Patane, A. Polimeni, M. Henini, L. Eaves, P.C. Main. J. Appl. Phys., 85 (1), 625 (1999).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.