"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модель оптической ячейки на основе конкуренции генерации модовых структур различной добротности в мощных полупроводниковых лазерах
Подоскин А.А.1, Шашкин И.С.1, Слипченко С.О.1, Пихтин Н.А.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Предложена модель, описывающая работу полностью оптической ячейки, основанной на конкуренции генерации мод резонатора Фабри--Перо и высокодобротной замкнутой моды в мощных полупроводниковых лазерах. На основе скоростных уравнений рассмотрены условия переключения генерации между модами Фабри--Перо для основного и возбужденного уровней лазерной генерации и замкнутой модой при возрастании внутренних оптических потерь в условиях высоких уровней токовой накачки. Рассмотрены условия работы оптической ячейки в режиме модулятора мощного лазерного излучения (обратимое переключение модовых структур) и в режиме ячейки памяти с бистабильным необратимым переключением генерации между модовыми структурами различной добротности.
  1. H. Wenzel, A. Klehr, S. Schwertfeger, A. Liero, Th. Hoffmann, O. Brox, M. Thomas, G. Erbert, G. Trankle. Proc. SPIE, 8241, 82410V (2012)
  2. M.J. Connely. Semiconductor optical amplifiers (Kluwer Academic Publishers, 2002)
  3. B. Ryvkin, E.A. Avrutin, J.T. Kostamovaara. J. Lightwave Technol., 27 (12), 2125 (2009)
  4. С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, А.Ю. Лешко, Н.А. Пихтин, В.В. Забродский, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (10), 1431 (2011)
  5. С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Н.А. Пихтин, А.Л. Станкевич, Н.А. Рудова, А.Ю. Лешко, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (5), 682 (2011)
  6. С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Ю. Лешко, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (5), 672 (2011)
  7. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, A.Yu. Leshko, A.V. Rozhkov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Conf. on Lasers and Electro-Optics (Munich, Germany, 2013) paper CB--p. 24
  8. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, A.Yu. Leshko, A.V. Rozhkov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. 15th Int. Conf. on Laser Optics (St. Petersburg, Russia, 2012), paper TuR3-13. Technical Inst. RAS, Russia
  9. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Laser Phys., 24 (10), 105 001 (2014)
  10. L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (N.Y., John Wiley \& Sons Inc., 1995)
  11. С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, И.С. Шашкин, В.В. Золотарев, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. ФТП, 48 (5), 705 (2014)
  12. С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, К.С. Борщев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 40 (8), 1017 (2006)
  13. Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, А.Д. Бондарев, Л.С.Вавилова, И.С.Тарасов. ФТП, 48 (10), 1377 (2014)
  14. И.С. Шашкин, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Д.А. Веселов, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (9), 1230 (2012)
  15. B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. J. Appl. Phys., 97, 113 106 (2005)
  16. X. Wang, P. Crump, H. Wenzel, A. Liero, T. Hoffmann, A. Pietrzak, C.M. Schultz, A. Klehr, A. Ginolas, S. Einfeldt, F. Bugge, G. Erbert, G. Trankle. IEEE J. Quant. Electron., 46 (5), 658 (2010)
  17. H. Wenzel, P. Crump, A. Pietrzak, X. Wang, G. Erbert, G. Trankle. New J. Phys., 12, 085 007 (2010)
  18. Д.А. Веселов, В.А. Капитонов, Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, И.С. Тарасов. Квант. электрон., 44 (11), 993 (2014)
  19. H. Wenzel. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 19 (5), 1 502 913 (2013)
  20. Л.В. Асрян. Квант. электрон., 35 (12), 1117 (2005)
  21. C.B. Su, R. Olshansky. Appl. Phys. Lett., 41 (9), 833 (1982)
  22. C.B. Su, R. Olshansky, J. Manning, W. Powazinik. Appl. Phys. Lett., 44 (11), 1030 (1984).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.