"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Модель оптической ячейки на основе конкуренции генерации модовых структур различной добротности в мощных полупроводниковых лазерах
Подоскин А.А.1, Шашкин И.С.1, Слипченко С.О.1, Пихтин Н.А.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Предложена модель, описывающая работу полностью оптической ячейки, основанной на конкуренции генерации мод резонатора Фабри--Перо и высокодобротной замкнутой моды в мощных полупроводниковых лазерах. На основе скоростных уравнений рассмотрены условия переключения генерации между модами Фабри--Перо для основного и возбужденного уровней лазерной генерации и замкнутой модой при возрастании внутренних оптических потерь в условиях высоких уровней токовой накачки. Рассмотрены условия работы оптической ячейки в режиме модулятора мощного лазерного излучения (обратимое переключение модовых структур) и в режиме ячейки памяти с бистабильным необратимым переключением генерации между модовыми структурами различной добротности.
  • H. Wenzel, A. Klehr, S. Schwertfeger, A. Liero, Th. Hoffmann, O. Brox, M. Thomas, G. Erbert, G. Trankle. Proc. SPIE, 8241, 82410V (2012)
  • M.J. Connely. Semiconductor optical amplifiers (Kluwer Academic Publishers, 2002)
  • B. Ryvkin, E.A. Avrutin, J.T. Kostamovaara. J. Lightwave Technol., 27 (12), 2125 (2009)
  • С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, А.Ю. Лешко, Н.А. Пихтин, В.В. Забродский, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (10), 1431 (2011)
  • С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Н.А. Пихтин, А.Л. Станкевич, Н.А. Рудова, А.Ю. Лешко, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (5), 682 (2011)
  • С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Ю. Лешко, И.С. Тарасов. ФТП, 45 (5), 672 (2011)
  • S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, A.Yu. Leshko, A.V. Rozhkov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Conf. on Lasers and Electro-Optics (Munich, Germany, 2013) paper CB--p. 24
  • S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, A.Yu. Leshko, A.V. Rozhkov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. 15th Int. Conf. on Laser Optics (St. Petersburg, Russia, 2012), paper TuR3-13. Technical Inst. RAS, Russia
  • S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Laser Phys., 24 (10), 105 001 (2014)
  • L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (N.Y., John Wiley \& Sons Inc., 1995)
  • С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, И.С. Шашкин, В.В. Золотарев, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. ФТП, 48 (5), 705 (2014)
  • С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, К.С. Борщев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 40 (8), 1017 (2006)
  • Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, А.Д. Бондарев, Л.С.Вавилова, И.С.Тарасов. ФТП, 48 (10), 1377 (2014)
  • И.С. Шашкин, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Д.А. Веселов, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. ФТП, 46 (9), 1230 (2012)
  • B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. J. Appl. Phys., 97, 113 106 (2005)
  • X. Wang, P. Crump, H. Wenzel, A. Liero, T. Hoffmann, A. Pietrzak, C.M. Schultz, A. Klehr, A. Ginolas, S. Einfeldt, F. Bugge, G. Erbert, G. Trankle. IEEE J. Quant. Electron., 46 (5), 658 (2010)
  • H. Wenzel, P. Crump, A. Pietrzak, X. Wang, G. Erbert, G. Trankle. New J. Phys., 12, 085 007 (2010)
  • Д.А. Веселов, В.А. Капитонов, Н.А. Пихтин, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, В.В. Шамахов, И.С. Шашкин, И.С. Тарасов. Квант. электрон., 44 (11), 993 (2014)
  • H. Wenzel. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 19 (5), 1 502 913 (2013)
  • Л.В. Асрян. Квант. электрон., 35 (12), 1117 (2005)
  • C.B. Su, R. Olshansky. Appl. Phys. Lett., 41 (9), 833 (1982)
  • C.B. Su, R. Olshansky, J. Manning, W. Powazinik. Appl. Phys. Lett., 44 (11), 1030 (1984).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.