"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение технологических параметров роста в системе InAs-GaAs для синтеза "многомодальных" квантовых точек InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
Салий Р.А.1, Минтаиров С.А.1, Брунков П.Н.1,2,3, Надточий А.М.2,4, Паюсов А.С.1,2, Калюжный Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Исследованы особенности роста в системе InAs-GaAs при использовании метода газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Определены зависимости содержания In в твердом растворе InxGa1-xAs и зависимости скорости роста InAs от мольного потока In в широком диапазоне температур (480 - 700oC). Исследованы процессы роста квантовых точек InAs на GaAs с различной разориентацией поверхности. Найдены условия осаждения квантовых точек InAs с малым количеством дефектов и высокой плотностью на "подслое" GaAs, выращенном с высокой скоростью. Разработана эпитаксиальная технология формирования квантовых точек InAs с многомодальным распределением по размеру и расширенным спектром фотолюминесценции, что может быть эффективно использовано при конструировании фотоэлектрических преобразователей с квантовыми точками в активной области.
  1. M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E.D. Dunlop. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 22, 701 (2014)
  2. R.R. King, D.C. Law, K.M. Edmondson, C.M. Fetzer, G.S. Kinsey, H. Yoon, R.A. Sherif, N.H. Karam. Appl. Phys. Lett., 90, 183 516 (2007)
  3. W. Guter, J. Schone, S. Philipps, M. Steiner, G. Siefer, A. Wekkeli, E. Welser, E. Oliva, A.W. Bett, F. Dimroth. Appl. Phys. Lett., 94, 223 504 (2009)
  4. D.C. Law, X.Q. Liu, J.C. Boisvert, E.M. Redher, C.M. Fetzer, S. Mesropian, R.R. King, K.M. Edmondson, B. Jun, R.L. Woo, D.D. Krut, P.T. Chiu, D.M. Bhusari, S.K., Sharma, N.H. Karam. Proc. 38th IEEE Photovolt. Spec. Conf. (Austin, TX, 2012) p. 003 146
  5. A. Luque, A. Marti. Phys. Rev. Lett., 78, 5014 (1997)
  6. V. Aroutiounian, S. Petrosyan, A. Khachatryan, K. Touryan. J. Appl. Phys., 89, 2268 (2001)
  7. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32 (4), 385 (1998)
  8. С.А. Блохин, А.В. Сахаров, А.М. Надточий, А.С. Паюсов, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, В.М. Лантратов, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, М.З. Шварц. ФТП, 43 (4), 537 (2009) [Semiconductors, 43, 514 (2009)]
  9. C.G. Bailey, D.V. Forbes, S.J. Polly, Z.S. Bittner, Y. Dai, Chelsea Mackos, R.P. Raffaelle, S.M. Hubbard. IEEE J. Photovolt., 2, 269 (2012)
  10. N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, V.M. Lantratov. Proc. 24th Eur. Photovol. Solar Energy Conf. (Hamburg, Germany, 2009) p. 538
  11. L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G.Le Roux. Appl. Phys. Lett., 47 (10), 1099 (1985)
  12. В.А. Севрюк, П.Н. Брунков, И.В. Шальнев, А.А. Гуткин, Г.В. Климко, С.В. Гронин, С.В. Сорокин, С.Г. Конников. ФТП, 47, 7 (2013)
  13. K. Sears, S. Mokkapati, H.H. Tan, C. Jagadish. In: Self-Assembled Quantum Dots, ed by Z.M. Wang (Springer, 2008) ch. 12, p. 359
  14. G.B. Stringfellow. Organometallic Vapor-Phase Epitaxy: Theory and Practice, 2nd edn. (Academic Press, San Diego, 1999) ch. 3.4.
  15. Z.Y. Xu, Z.D. Lu, X.P. Yang, Z.L. Yuan, B.Z. Zheng, J.Z. Xu, W.K. Ge, Y. Wang, L.L. Chang. Phys. Rev. B, 54, 11 528 (1996).
  16. Y. Tang, D.H. Rich, I. Mukhametzhanov, P. Chen, A. Madhukar. J. Appl. Phys., 84, 3342 (1998)
  17. Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, С.А. Блохин, М.В. Максимов, Е.С. Семенова, А.П. Васильев, А.Е. Жуков, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Д. Бимберг. ФТП, 39 (10), 1230 (2005)
  18. B. Bansal. J. Appl. Phys., 100, 093197 (2006).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.