"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Молекулярно-пучковая эпитаксия короткопериодных сверхрешеток ZnSSe/CdSe для применения в многопереходных солнечных элементах AIIIBV/AIIBVI
Сорокин С.В.1, Гронин С.В.1, Седова И.В.1, Климко Г.В.1, Европейцев Е.А.1, Байдакова М.В.1, Ситникова А.А.1, Торопов А.А.1, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Представлены результаты по выращиванию методом молекулярно-пучковой эпитаксии короткопериодных переменно-напряженных сверхрешеток (СР) ZnSxSe1-x/CdSe с эффективным значением ширины запрещенной зоны в диапазоне Eg~ 2.5-2.7 эВ, псевдоморфных подложкам GaAs (001). Регистрация осцилляций интенсивности отраженного пучка в дифракции быстрых отраженных электронов использовалась для in situ контроля параметров сверхрешеток. Разработан метод определения параметров сверхрешеток (составы и толщины отдельных слоев сверхрешеток) на основе совместного анализа выращенных структур методами низкотемпературной фотолюминесценции и рентгеновской дифрактометрии. Сверхрешетки ZnSxSe1-x/CdSe продемонстрировали параметры, близкие к расчетным значениям, и низкую плотность структурных дефектов при толщине ~ 300 нм, существенно превышающей критическую для объемных слоев AIIBVI, обладающих таким же рассогласованием постоянной решетки.
  1. S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Gronin, G.V. Klimko, K.G. Belyaev, S.V. Ivanov, A. Alyamani, E.V. Lutsenko, A.G. Vainilovich, G.P. Yablonskii. Electron. Lett., 48 (2), 118 (2012)
  2. С.В. Иванов. Тр. XVII Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника", 11--15 марта, Нижний Новгород, Россия, 2013. С. 452
  3. M.A. Haase, J. Xie, T.A. Ballen, J. Zhang, B. Hao, Z.H. Yang, T.J. Miller, X. Sun, T.L. Smith, C.A. Leatherdale. Appl. Phys. Lett., 96, 231 116 (2010)
  4. M.M. Zverev, N.A. Gamov, E.V. Zdanova, V.N. Studionov, D.V. Peregoudov, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Gronin, P.S. Kop'ev, I.M. Olikhov, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi B, 247 (6), 1561 (2010)
  5. М.М. Зверев, Н.А. Гамов, Е.В. Жданова, Д.В. Перегудов, В.Б. Студенов, С.В. Иванов, И.В. Седова, С.В. Сорокин, С.В. Гронин, П.С. Копьев. Письма ЖТФ, 33 (24), 1 (2007)
  6. Е.В. Луценко, А.Г. Войнилович, Н.В. Ржеуцкий, В.Н. Павловский, Г.П. Яблонский, С.В. Сорокин, С.В. Гронин, И.В. Седова, П.С. Копьев, С.В. Иванов, М. Аланзи, А. Хамидалддин, А. Альямани. Квант. электрон., 43 (5), 418 (2013)
  7. S. Fujisaki, J.-I. Kasai, R. Akimoto, Sh. Tanaka, Sh. Tsuji, T. Hasama, H. Ishikawa. Appl. Phys. Express, 5, 062 101 (2012)
  8. S. Takagi, Y. Enya, T. Kyono, M. Adachi, Y. Yoshizumi, T. Sumitomo, Y. Yamanaka, T. Kumano, S. Tokuyama, K. Sumiyoshi, N. Saga, M. Ueno, K. Katayama, T. Ikegami, T. Nakamura, K. Yanashima, H. Nakajima, K. Tasai, K. Naganuma, N. Fuutagawa, Y. Takiguchi, T. Hamaguchi, M. Ikeda. Appl. Phys. Express, 5 (8), 082 102 (2012)
  9. M.A. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E.D. Dunlop. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 21, 1 (2013)
  10. S.-N. Wu, D. Ding, S.R. Johnson, S.-Q. Yu, Y.-H. Zhang. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 18, 328 (2010)
  11. S.V. Gronin, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, G.V. Klimko, K.G. Belyaev, A.V. Lebedev, A.A. Sitnikova, A.A. Toropov, S.V. Ivanov. Phys. Status. Solidi. C, 9, 1833 (2012)
  12. S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, P.S. Kop'ev, J.R. Kim, H.D. Jung, H.S. Park. J. Cryst. Growth, 159, 16 (1996)
  13. S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, I.L. Krestnikov, N.N. Faleev, B.Ya. Ber, I.V. Sedova, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 184/185, 70 (1998)
  14. S.V. Ivanov, S.V. Sorokin, I.V. Sedova. Molecular beam epitaxy of wide-gap II-VI laser heterostructures. In: M. Henini (ed.) Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production (Elsevier Inc., 2013) p. 611
  15. S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, I.V. Sedova, A.A. Sitnikova, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, A. Waag, H.-J. Lugauer, G. Reuscher, M. Keim, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 74, 498 (1999)
  16. N. Peranio, A. Rosenauer, D. Gerthsen, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Ivanov. Phys. Rev. B, bf 61 (23), 16 015 (2000)
  17. R.N. Kyutt, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, M. Karlsteen, M. Willander. Appl. Phys. Lett., 75, 373 (1999)
  18. S. Fujita, Y. Wu, Y. Kawakami, S. Fujita. J. Appl. Phys., 72 (11), 5233 (1992)
  19. S.J. Hwang, W. Shan, J.J. Song, Z.Q. Zhu, T. Yao. Appl. Phys. Lett., 64 (17), 2267 (1994)
  20. Z. Zhu, H. Yoshihara, K. Takebayashi, T. Yao. Appl. Phys. Lett., 63, 1678 (1993)
  21. F. Flack, N. Samarth, V. Nikitin, P.A. Crowell, J. Shi, J. Levy, D.D. Awschalom. Phys. Rev. B, 54 (24), R17312 (1996)
  22. M. Rabe, M. Lowisch, F. Henneberger. J. Cryst. Growth, 184/185, 248(1998)
  23. Chris G. Van de Walle. Phys. Rew. B, 39 (3), 1871 (1989)
  24. S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys --- Group-IV, III--V and II--VI Semiconductors (John Wiley \& Sons Ltd., United Kingdom, 2009)
  25. Jan H. van der Merwe, W.A. Jesser. J. Appl. Phys., 63 (5), 1509 (1988)
  26. A. Lebedev, S. Sorokin, A. Toropov, T. Shubina, N. Il'inskaya, O. Nekrutkina, S. Ivanov, G. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. Acta Phys. Polon. A, 94, 421 (1998)
  27. J. Petruzzello, B.L. Greenberg, D.A. Cammack, R. Dalby. J. Appl. Phys., 63, 2299 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.