Определено влияние типа возбуждения иона Er³⁺ на спетры фотолюминесценции кристаллических пленок ZnO(ZnO<Ce, Yb, Er>) в случае резонансного с lambda=532 нм (переход иона Er^{3+ 4} S_3/2, ² H_11/2-⁴ I_15/2) и нерезонансного (с lambda=325 нм, в области вблизи краевого излучения ZnO) возбуждений. Показано, что при резонансном возбуждении имеются линии с различной интенсивностью излучения, характерные для внутрицентрового 4f перехода иона Er³⁺ с lambda=1535 нм, при легировании тремя РЗИ (Ce< Yb, Er) или при варьировании легирования двумя примесями - (Ce, Er), (Er,Yb) - кристаллических пленок ZnO, вне зависимости от температуры измерения (T=83 и 300 K). Легирование редкоземельными примесями Ce, Yb, Er кристаллических пленок ZnO приводит к эффективному механизму передачи энергии к РЗИ, вследствие чего наблюдается интенсивное излучение иона Er³⁺ в ИК-области спектра с lambda_max=1535 нм. Kick-out механизм диффузии использован при последовательном введении примесей в полупроводниковую матрицу и проведении постростовых отжигов исследуемых пленок ZnO. Кристаллические пленки ZnO, легированные Ce, Yb, Er, имеют также интенсивное излучение в видимой области спектра при комнатной температуре, что делает их перспективным материалом для оптоэлектроники.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.