"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Интенсивность излучения линии lambda=1.54 мкм в пленках ZnO, полученных магнетронным распылением, легированных Ce, Yb, Er методом диффузии
Мездрогина М.М.1, Еременко М.В.1, Смирнов А.Н.1, Петров В.Н.1, Теруков Е.И.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Определено влияние типа возбуждения иона Er3+ на спетры фотолюминесценции кристаллических пленок ZnO(ZnO<Ce, Yb, Er>) в случае резонансного с lambda=532 нм (переход иона Er3+ 4 S3/2, 2 H11/2-4 I15/2) и нерезонансного (с lambda=325 нм, в области вблизи краевого излучения ZnO) возбуждений. Показано, что при резонансном возбуждении имеются линии с различной интенсивностью излучения, характерные для внутрицентрового 4f перехода иона Er3+ с lambda=1535 нм, при легировании тремя РЗИ (Ce< Yb, Er) или при варьировании легирования двумя примесями --- (Ce, Er), (Er,Yb) --- кристаллических пленок ZnO, вне зависимости от температуры измерения (T=83 и 300 K). Легирование редкоземельными примесями Ce, Yb, Er кристаллических пленок ZnO приводит к эффективному механизму передачи энергии к РЗИ, вследствие чего наблюдается интенсивное излучение иона Er3+ в ИК-области спектра с lambdamax=1535 нм. Kick-out механизм диффузии использован при последовательном введении примесей в полупроводниковую матрицу и проведении постростовых отжигов исследуемых пленок ZnO. Кристаллические пленки ZnO, легированные Ce, Yb, Er, имеют также интенсивное излучение в видимой области спектра при комнатной температуре, что делает их перспективным материалом для оптоэлектроники.
  • Zinc Oxide Bulk. Thin Films and Nanostructures Processing, Properties and Applications / Eds C. Jagadish, S. Pearton. (Elsevier, 2006)
  • D.C. Look. J. Electron. Mater., 35, 1299 (2006)
  • Z.L. Wang. Appl. Phys. A --- Materials Science and Processing. DOI: 10.1007/s00339-007-3942-8 (2007)
  • P.M. Parthangal, R.E. Cavicchi, M.R. Zachariah. Nanotechnology, 17, 3786 (2006)
  • H.J. Lozukowski, W.M. Jadwisienczak. Phys. Status Solidi B, 1, 18 (2007)
  • A. Thurber, G.L. Beausolbel, G.A. Alanko, J.J. Andhel, M.S. Jones, L.M. Jonson, C.B. Hanna, D.A. Tenne, A. Punnose. J. Appl. Phys., 109, 07C305, (2011)
  • А.А. Каминский, Б.М. Антипенко. Многоуровневые функциональные схемы кристаллических лазеров (М., Наука, 1989) с. 199
  • D.L. Dexter. J. Chem. Phys., 21 (5), 836, (1953)
  • Handbook of laser science and technology, ed. M.J. Weber (Boca Reton, CRC Press, 1982) v. 1
  • Р.Ш. Малкович. Математика диффузии в полупроводниках (Л., Наука, 1999) с. 175
  • М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, С.М. Голубенко, С.Н. Разумов. ФТТ, 54 (6), 1155 (2012)
  • G. Brauer, W. Anwand et al. Phys. Rev. B, 79, 115 212 (2009); U. Ozgur et al. J. Appl. Phys., 98, 041 301 (2005)
  • S. Iwan, S. Bambang, J.L. Zhao, S.T. Tan, H.M. Fan, L. Sun, S. Zhang, H.H. Ryu, S.W. Sun. Physica B, 407, 2721 (2012)
  • H. Zhou, T. Komori, M. Yoshino, M. Morinaga. Appl. Phys. Lett., 86, 041 107 (2005)
  • X.M. Duan, C. Stampfl, M.M.M. Bilek, D.R. McKenzzie. Phys. Rev. B, 79, 235 208, (2009)
  • Ж.П. Сюше. Физическая химия полупроводников (М., Металлургия, 1969)
  • X. Liu, Y. Teng, Y. Zhuang, J. Xie, Y. Qiao, G. Dong, D. Chen, J. Qiu. Optics Lett., 34 (22), 3505 (2009)
  • J.X. Meng, K.W. Chea, Zh.Pu. Shi, J.Q. Li. Appl. Phys. Lett., 91, 151 107 (2007)
  • M. Ishi, Sh. Komuro, T. Morikawa, Y. Aoyagi. J. Appl. Phys., 89 (7), 3679 (2001)
  • М.М. Мездрогина, Г.Н. Мосина, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова. ФТП, 35 (6), 714 (2001)
  • Peterson, Ch.H. Brimont, M. Gallot, G. Shrenber, C. Uplag-Bullet, C. Collins, A. Dinia. J. Appl. Phys., 107, 123 522 (2010)
  • М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, Е.И. Теруков, Ю.В. Кожанова. ФТП, 46 (7), 925 (2012)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.