"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Интенсивность излучения линии lambda=1.54 мкм в пленках ZnO, полученных магнетронным распылением, легированных Ce, Yb, Er методом диффузии
Мездрогина М.М.1, Еременко М.В.1, Смирнов А.Н.1, Петров В.Н.1, Теруков Е.И.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Определено влияние типа возбуждения иона Er3+ на спетры фотолюминесценции кристаллических пленок ZnO(ZnO<Ce, Yb, Er>) в случае резонансного с lambda=532 нм (переход иона Er3+ 4 S3/2, 2 H11/2-4 I15/2) и нерезонансного (с lambda=325 нм, в области вблизи краевого излучения ZnO) возбуждений. Показано, что при резонансном возбуждении имеются линии с различной интенсивностью излучения, характерные для внутрицентрового 4f перехода иона Er3+ с lambda=1535 нм, при легировании тремя РЗИ (Ce< Yb, Er) или при варьировании легирования двумя примесями --- (Ce, Er), (Er,Yb) --- кристаллических пленок ZnO, вне зависимости от температуры измерения (T=83 и 300 K). Легирование редкоземельными примесями Ce, Yb, Er кристаллических пленок ZnO приводит к эффективному механизму передачи энергии к РЗИ, вследствие чего наблюдается интенсивное излучение иона Er3+ в ИК-области спектра с lambdamax=1535 нм. Kick-out механизм диффузии использован при последовательном введении примесей в полупроводниковую матрицу и проведении постростовых отжигов исследуемых пленок ZnO. Кристаллические пленки ZnO, легированные Ce, Yb, Er, имеют также интенсивное излучение в видимой области спектра при комнатной температуре, что делает их перспективным материалом для оптоэлектроники.
  1. Zinc Oxide Bulk. Thin Films and Nanostructures Processing, Properties and Applications / Eds C. Jagadish, S. Pearton. (Elsevier, 2006)
  2. D.C. Look. J. Electron. Mater., 35, 1299 (2006)
  3. Z.L. Wang. Appl. Phys. A --- Materials Science and Processing. DOI: 10.1007/s00339-007-3942-8 (2007)
  4. P.M. Parthangal, R.E. Cavicchi, M.R. Zachariah. Nanotechnology, 17, 3786 (2006)
  5. H.J. Lozukowski, W.M. Jadwisienczak. Phys. Status Solidi B, 1, 18 (2007)
  6. A. Thurber, G.L. Beausolbel, G.A. Alanko, J.J. Andhel, M.S. Jones, L.M. Jonson, C.B. Hanna, D.A. Tenne, A. Punnose. J. Appl. Phys., 109, 07C305, (2011)
  7. А.А. Каминский, Б.М. Антипенко. Многоуровневые функциональные схемы кристаллических лазеров (М., Наука, 1989) с. 199
  8. D.L. Dexter. J. Chem. Phys., 21 (5), 836, (1953)
  9. Handbook of laser science and technology, ed. M.J. Weber (Boca Reton, CRC Press, 1982) v. 1
  10. Р.Ш. Малкович. Математика диффузии в полупроводниках (Л., Наука, 1999) с. 175
  11. М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, С.М. Голубенко, С.Н. Разумов. ФТТ, 54 (6), 1155 (2012)
  12. G. Brauer, W. Anwand et al. Phys. Rev. B, 79, 115 212 (2009); U. Ozgur et al. J. Appl. Phys., 98, 041 301 (2005)
  13. S. Iwan, S. Bambang, J.L. Zhao, S.T. Tan, H.M. Fan, L. Sun, S. Zhang, H.H. Ryu, S.W. Sun. Physica B, 407, 2721 (2012)
  14. H. Zhou, T. Komori, M. Yoshino, M. Morinaga. Appl. Phys. Lett., 86, 041 107 (2005)
  15. X.M. Duan, C. Stampfl, M.M.M. Bilek, D.R. McKenzzie. Phys. Rev. B, 79, 235 208, (2009)
  16. Ж.П. Сюше. Физическая химия полупроводников (М., Металлургия, 1969)
  17. X. Liu, Y. Teng, Y. Zhuang, J. Xie, Y. Qiao, G. Dong, D. Chen, J. Qiu. Optics Lett., 34 (22), 3505 (2009)
  18. J.X. Meng, K.W. Chea, Zh.Pu. Shi, J.Q. Li. Appl. Phys. Lett., 91, 151 107 (2007)
  19. M. Ishi, Sh. Komuro, T. Morikawa, Y. Aoyagi. J. Appl. Phys., 89 (7), 3679 (2001)
  20. М.М. Мездрогина, Г.Н. Мосина, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова. ФТП, 35 (6), 714 (2001)
  21. Peterson, Ch.H. Brimont, M. Gallot, G. Shrenber, C. Uplag-Bullet, C. Collins, A. Dinia. J. Appl. Phys., 107, 123 522 (2010)
  22. М.М. Мездрогина, М.В. Еременко, Е.И. Теруков, Ю.В. Кожанова. ФТП, 46 (7), 925 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.