"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механизм генерирования структурных дефектов и особенности зонной структуры полупроводника HfNi1-xCoxSn
Ромака В.А.1,2, Rogl P.3, Ромака В.В.2, Стаднык Ю.В.4, Крайовский В.Я.2, Kaczorowski D.5, Наконечный И.Н.2, Горынь А.М.4
1Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина
2Национальный университет Львовская политехника", Львов, Украина
3Венский университет, Вена, Австрия
4Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
5Институт низких температур и структурных исследований Польской академии наук, Вроцлав, Польша
Поступила в редакцию: 24 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Исследованы кристаллическая и электронная структуры, магнитные, энергетические и кинетические характеристики полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Co (HfNi1-xCoxSn), в диапазонах температур T=80-400 K, концентрации кобальта NCoA~9.5·1019-5.7·1021 см-3 (x=0.005-0.30) и напряженности магнитного поля H≤10 кЭ. Установлен механизм изменения степени компенсации полупроводника как результат трансформации кристаллической структуры в процессе легирования, приводящий к генерированию структурных дефектов акцепторной и донорной природы. Результаты расчета электронной структуры согласуются с экспериментальными данными, а полупроводник HfNi1-xCoxSn является перспективным термоэлектрическим материалом. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского--Эфроса.
  • В.А. Ромака, P. Rogl, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, E.K. Hlil, В.Я. Крайовский, А.М. Горынь. ФТП, 46 (9), 1130 (2012)
  • V.V. Romaka, P. Rogl, L. Romaka, Yu. Stadnyk, A. Grytsiv, O. Lakh, V. Krayovsky. Intermetallics, 35, 45 (2013)
  • C. Uher, J. Yang, S. Hu, D.T. Morelli, G.P. Meisner. Phys. Rev. B, 59 (13), 8615 (1999)
  • T.M. Tritt, M.A. Sabramanian. MRS Bulletin, 31 (3), 188 (2006)
  • G.S. Nolas, J. Poon, M. Kanatzidis. MRS Bulletin, 31 (3), 199 (2006)
  • В.А. Ромака, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык. Интерметаллические полупроводники: свойства и применения (Львов, Львовская политехника, 2011)
  • Л.И. Анатычук. Термоэлементы и термоэлектрические устройства (Киев, Наук. думка, 1979)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal. Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7, 378--381 (2001)
  • M. Schroter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G.G. Reddy. Phys. Rev. B, 52, 188 (1995)
  • V.L. Moruzzi, J.F. Janak, A.R. Williams. Calculated electronic properties of metals (N.Y., Pergamon Press, 1978)
  • В.А. Ромака, P. Rogl, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, E.K. Hlil, В.Я. Крайовский, А.М. Горынь. ФТП, 47 (9), 1157 (2013)
  • В.А. Ромака, P. Rogl, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык, Р.О. Корж, В.Я. Крайовский, А.М. Горынь. ФТП, 48 (12), 1585 (2014)
  • В.А. Ромака, P. Rogl, В.В. Ромака, D. Kaczorowski, Ю.В. Стаднык, Р.О. Корж, В.Я. Крайовский, Т.М. Ковбасюк. ФТП, 49 (3), 299 (2015)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 61, 816 (1971)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62, 1156 (1972)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.