"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние ударной ионизации примесей на динамические характеристики p+-n--n+-диодов на основе 4H-SiC при низкой температуре (77 K)
Иванов П.А.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

Измерены низкотемпературные (77 K) переходные характеристики включения p+-n--n+-диодов на основе 4H-SiC в импульсном режиме. С помощью простой аналитической модели объяснено влияние примесного пробоя в сильно легированном p+-эмиттере на динамику роста тока после подачи на диод импульсов прямого смещения большой амплитуды.
  1. G. Pensil, F. Ciobanu, T. Fran, M. Krieger, S. Reshanov, F. Schmid, M. Weidner. Int. J. High Speed Electron. Syst., 15 (4), 705 (2005)
  2. Ю.Б. Васильев, П.А. Иванов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, Г.Ю. Васильева, Ю.Л. Иванов, А.О. Захарьин, В.И. Санкин, А.В. Бобылев, J. Gupta, J. Kolodzey, А.В. Андрианов. Тр. XVII Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 2013) т. 2 (секция 3), с. 384
  3. A.V. Andrianov, J.P. Gupta, J. Kolodzey, V.I. Sankin, A.O. Zakhar'in, Yu.B. Vasilyev. Appl. Phys. Lett., 103, 221 101 (2013)
  4. А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, Ю.Л. Иванов, М.С. Кипа. Письма ЖЭТФ, 91, 102 (2010)
  5. И.В. Грехов, П.А. Иванов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 41, 561 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.