"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Расчет оптимальной конфигурации двухслойной пленки ITO для использования в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов
Павлюченко А.С.1, Марков Л.К.1, Смирнова И.П.1, Закгейм Д.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

В работе с использованием модели, основанной на применении метода матриц переноса, рассчитывалось отражение от многослойных покрытий, используемых в составе контактов в AlInGaN-светодиодах. Рассмотрены композиции ITO/SiO2/Ag, в которых пленка ITO состояла из двух слоев с разными значениями показателя преломления. Толщины слоев материала ITO варьировались в заданном диапазоне. Рассчитывались угловые зависимости коэффициента отражения света обеих поляризаций, на основе которых была получена интегральная отражательная способность контакта. Проанализированы зависимости интегральной отражательной способности контакта и коэффициента отражения света при его падении по нормали к плоскости контакта от толщин слоев ITO. В результате предложена оптимизированная конфигурация отражающего контакта к области p-GaN светодиодных кристаллов на основе AlInGaN.
  1. Huiyong Liu, V. Avrutin, N. Izyumskaya, U. Ozgur, H. Morko c. Superlat. Microstr., 48, 458 (2010)
  2. J.K. Kim, T. Gessmann, E.F. Schubert, J.-Q. Xi, H. Luo, J. Cho, C. Sone, Y. Park. Appl. Phys. Lett., 88, 013 501 (2006)
  3. J.K. Kim, S. Chhajed, M.F. Schubert, E.F. Schubert, A.J. Fischer, M.H. Crawford, J. Cho, H. Kim, C. Sone. Advanced Mater., 20, 801 (2008)
  4. J.J. Wierer, D.A. Steigerwald, M.R. Krames, J.J. O'Shea, M.J. Ludowise, G. Christenson, Y.C. Shen, C. Lowery, P.S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N.F. Gardner, R.S. Kern, S.A. Stockman. Appl. Phys. Lett., 78, 3379 (2001)
  5. Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, С.А. Гуревич, М.М. Кулагина, Е.М. Аракчеева, Г.А. Онушкин, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. ФТП, 39 (7), 885 (2005)
  6. R. Goldhahn, S. Shokhovets, J. Scheiner, G. Gobsch, T.S. Cheng, C.T. Foxon, U. Kaiser, G.D. Kipshidze, W. Richter. Phys. Stat. Solidi A, 177, 107 (2000)
  7. B. Santic, F. Scholz. Meas. Sci. Technol., 19, 1 (2008)
  8. F.T. Shum, W.W. So, S.D. Lester. Patent US 7,573,074 B2, Aug. 11, 2009
  9. H.S. Venugopalan, A. DiCarlo, X. Gao, S. Libon, B.S. Shelton, E. Stefanov, T. Zhang, I. Eliashevich, S.E. Weaver, M. Hsing, B. Kolodin, T. Soules, D. Florescu, S. Guo, M. Pophristic, B. Peres. Proc. SPIE, 4996, 195 (2003)
  10. M. Donofrio, J. Ibbetson, Z.J. Yao. Patent US 8,368,100 B2, Feb. 5, 2013
  11. S.J. Pearton, J.C. Zolper, R.J. Shul, F. Ren. J. Appl. Phys., 86, 1 (1999)
  12. S.A. Smith, C.A. Wolden, M.D. Bremser, A.D. Hanser, R.F. Davis. Appl. Phys. Lett., 71, 3631 (1997)
  13. R.J. Shul. In: GaN and Related Materials II, ed. by S.J. Pearton (Gordon and Breach, N. Y., 1998)
  14. X.A. Cao, S.J. Pearton, A.P. Zhang, G.T. Dang, F. Ren, R.J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, J.M. Van Hove. Appl. Phys. Lett., 75, 2569 (1999)
  15. И.П. Смирнова, Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, М.В. Кукушкин, С.И. Павлов. ФТП, 48, 61 (2014)
  16. Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко , М.В. Кукушкин, Д.А. Закгейм, С.И. Павлов. ФТП, 48, 1713 (2014)
  17. М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.