Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптоэлектронные пары светодиод-фотодиод на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования углекислого газа

Безъязычная Т.В.¹, Богданович М.В.¹, Кабанов В.В.¹, Кабанов Д.М.¹, Лебедок Е.В.¹, Паращук В.В.¹, Рябцев А.Г.¹, Рябцев Г.И.¹, Шпак П.В.¹, Щемелев М.А.¹, Андреев И.А.², Куницына Е.В.², Шерстнев В.В.², Яковлев Ю.П.²

¹Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь B.I.Stepanov Institute of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, Minsk, Belarus

B.I.Stepanov Institute of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, Minsk, Belarus

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 18 декабря 2014 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

PDF версия

Проведены экспериментальные исследования спектральных характеристик светодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP, излучающих в диапазоне длин волн от 3.5-4.5 мкм. Показано, что температурный сдвиг максимума длины волны излучения светодиода в интервале температур 80-313 K составляет 1.8 нм/K. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны активного слоя InAs_0.88Sb_0.12 описывается формулой Варшни с характерными параметрами: E_g0=0.326 эВ, alpha=2.917·10^-4 эВ/K, beta=168.83 K. Результаты проведенных измерений концентраций углекислого газа с использованием исследуемых светодиодов показали возможность достоверного детектирования СО₂ в диапазоне концентраций 300-100 000 ppm.

L.S. Rothman et al. J. Quant. Spectr. Rad. Trans., 110, 533 (2009)
Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Б.В. Пушный, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37, 980 (2003)
А.С. Головин, А.А. Петухов, С.С. Кижаев, Ю.П. Яковлев. ПЖТФ, 37, 15 (2011)
А.Н. Именков, Е.А. Гребенщикова, Д.А. Старостенко, В.В. Шерстнев, Г.Г. Коновалов, И.А. Андреев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 47, 690 (2013)
G.Yu. Sotnikova, G.A. Gavrilov, S.E. Aleksandrov, A.A. Kapralov, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, M.A. Remennyy. IEEE Sensors Journal, 10, 225 (2010)
В.П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1975) с. 86
Л.И. Буров, Е.В. Лебедок, В.К. Кононенко, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев. ЖПС, 74, 790 (2007)
В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев, М.А. Щемелев, В.В. Шерстнев, А.П. Астахова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 43, 522 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель