Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2015, выпуск 6 » Статья стр. 847
<<<>>>
Прыжковый транспорт в области объемного заряда p-n-структур с квантовыми ямами InGaN/GaN как источник избыточного 1/f шума и потерь эффективности светодиодов
Бочкарева Н.И.1, Клочков А.В.1, Коготков В.С.2, Ребане Ю.Т.1, Вирко М.В.2, Шретер Ю.Г.1, Иванов А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.
PDF версия
Показано, что в светодиодах с квантовыми ямами InGaN/GaN эффективность излучения и уровень 1/f шума коррелируют с изменением дифференциального сопротивления диода при увеличении тока. Анализ результатов показывает, что прыжковый транспорт по состояниям дефектов через n-область объемного заряда приводит к ограничению тока туннельным сопротивлением в области средних токов и шунтированию n-барьера при больших токах. Увеличение среднего числа туннелирующих электронов вызывает подавление токового 1/f шума в области средних токов. Сильный рост плотности токового шума при больших токах, SJ propto J3, связывается с уменьшением среднего числа туннелирующих электронов при уменьшении высоты и ширины n-барьера с ростом прямого смещения. Более быстрый рост туннельно-рекомбинационной утечки тока вдоль протяженных дефектов по сравнению с ростом тока туннельной инжекции приводит к падению эффективности излучения.
  1. Y.C. Shen, G.O. Mueller, S. Watanabe, N.F. Gardner, A. Munkholm, M.R. Krames, Appl. Phys. Lett., 91, 141 101 (2007)
  2. T. Mukai, M. Yamada, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys., pt 1, 38, 3976 (1999)
  3. Н.И. Бочкарева, Д.В. Тархин, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.С. Леликов, И.А. Мартынов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 41, 88 (2007)
  4. J. Hader, J.V. Moloney, S.W. Koch. Appl. Phys. Lett., 96, 221 106 (2010)
  5. T.J. Badcook, S. Hammersley, D. Watson-Parris, P. Dawson, M.J. Godfrey, M.J. Kappers, C. McAleese, R.A. Oliver, C.J. Humphreys. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 08JK10 (2013)
  6. J. Mickevivcius, G. Tamulaitis, M. Shur, M. Shatalov, J. Yang, R. Gacka. Appl. Phys. Lett., 103, 011 906 (2013)
  7. Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Р.И. Горбунов, А.С. Зубрилов, Ю.С. Леликов, Ф.Е. Латышев, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. ФТП, 44, 822 (2010)
  8. N.I. Bochkareva, Y.T. Rebane, Y.G. Shreter. Appl. Phys. Lett., 103, 191 101 (2013)
  9. I.A. Pope, P.M. Smowton, P. Blood, J.D. Thomson, M.J. Kappers, C.J. Humphreys. Appl. Phys. Lett., 82, 2755 (2003)
  10. A. Hori, D. Yasunaga, A. Satake, K. Fujiwara. Appl. Phys. Lett., 79, 3723 (2001)
  11. B. Monemar, B.E. Sernelius. Appl. Phys. Lett., 91, 181 103 (2007)
  12. N.I. Bochkareva, V.V. Voronenkov, R.I. Gorbunov, A.S. Zubrilov, Y.S. Lelikov, P.E. Latyshev, Y.T. Rebane, A.I. Tsyuk, Y.G. Shreter. Appl. Phys. Lett., 96, 133 502 (2010)
  13. H.C. Casey, jr., J. Muth, S. Krishnankutty, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett., 68, 2867 (1996)
  14. P. Perlin, M. Osinski, P.G. Eliseev, V.A. Smagley, J. Mu, M. Banas, P. Sartori. Appl. Phys. Lett., 69, 1680 (1996)
  15. Н.И. Бочкарева, E.A. Zhirnov, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 39, 627 (2005)
  16. Н.И. Бочкарева, Д.В. Тархин, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.С. Леликов, И.А. Мартынов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 41, 88 (2007)
  17. J.P. Donnelly, A.G. Milnes. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-14, 63 (1967)
  18. Б.Л. Шарма, Р.Л. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Радио и связь, 1979)
  19. H. Qiu, C. Hoggatt, W. Melton, M.W. Leksono, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., 66, 2712 (1995)
  20. Н.И. Бочкарева, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер. ФТП, 48, 1107 (2014)
  21. Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Р.И. Горбунов, А.С. Зубрилов, Ф.Е. Латышев, Ю.С. Леликов, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. ФТП, 46, 1054 (2012)
  22. J. del Alamo, R.M. Swanson. IEEE Trans. Electron Dev. Lett., EDL-7, 629 (1986)
  23. E. Muller, D. Gerthzen, P. Bruckner, F. Scholz, Th. Gruber, A. Waag. Phys. Rev. B, 73, 245 316 (2006)
  24. Н.И. Бочкарева, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, А.В. Клочков, Ю.Г. Шретер. ФТП, 40, 122 (2006)
  25. Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Р.И. Горбунов, Ф.Е. Латышев, Ю.С. Леликов, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. ФТП, 47, 115 (2013)
  26. R.F. Voss. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 11, L923 (1978)
  27. B.I. Shklovskii. Sol. St. Commun., 33, 273 (1980)
  28. F.N. Hooge. Physica, 60, 130 (1972)
  29. S. Bychikhin, D. Pogany, L.K.J. Vandamme, G. Meneghesso, E. Zanoni. J. Appl. Phys., 97, 123 714 (2005)
  30. S. Sawyer, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur, N. Pala, Yu. Bilenko, J.P. Zhang, X. Hu, A. Lunev, J. Deng, R. Gaska. J. Appl. Phys., 100, 034 504 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme