"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Тепловое сопротивление дисковых микролазеров сверхмалого диаметра
Жуков А.Е.1,2,3, Крыжановская Н.В.1,3, Максимов М.В.4,1,3, Липовский А.А.1,3, Савельев А.В.1,2,3, Шостак И.И.1, Моисеев Э.И.1, Кудашова Ю.В.1, Кулагина М.М.4, Трошков С.И.4
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский научный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

Обнаружено, что тепловое сопротивление микролазеров AlGaAs/GaAs типа "подвешенный диск" диаметром 1.7-4 мкм с квантовыми точками InAs/InGaAs в активной области обратно пропорционально квадрату диаметра микродиска с коэффициентом пропорциональности 3.2·10-3 K·см2/Вт и составляет 120-20oC/мВт.
  1. K. Srinivasan, M. Borselli, O. Painter, A. Stintz, S. Krishna. Opt. Exp., 14, 1094 (2006)
  2. Н.В. Крыжановская, А.Е. Жуков, А.М. Надточий, М.В. Максимов, Э.И. Моисеев, М.М. Кулагина, А.В. Савельев, Е.М. Аракчеева, А.А. Липовский, Ф.И. Зубов, A. Kapsalis, C. Mesaritakis, D. Syvridis, A. Mintairov, D. Livshits. ФТП, 47, 1396 (2013)
  3. F. Albert, T. Braun, T. Heindel, C. Schneider, S. Reitzenstein, S. Hoefling, L. Worschech, A. Forchel. Appl. Phys. Lett., 97, 101 108 (2010)
  4. Y.-H. Chen, Y.-K. Wu, L.J. Guo. Appl. Phys. Lett., 98, 131 109 (2011)
  5. A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, A.A. Lipovskii, I.S. Mukhin, E.I. Moiseev, I.I. Shostak, A.V. Savel'ev, A.A. Bogdanov, D.V. Karpov, J. Laukkanen, J. Tommila, D. Livshits. Int. Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW) (St.Petersburg \& Luge, Russia, 2014)
  6. A.N. Al-Omari, G.P. Carey, S. Hallstein, J.P. Watson, G. Dang, K.L. Lear. IEEE Photon. Technol. Lett., 18, 1225 (2006)
  7. Y.-C. Chang, L.A. Coldren. Appl. Phys. A, 95, 1033 (2009)
  8. N. Iwai, K. Takaki, H. Shimizu, S. Imai, Y. Kawakita, S. Kamiya, K. Hiraiwa, T. Takagi, T. Ishikawa, N. Tsukiji, A. Kasukawa. Furukawa Rev., 37, 1 (2010)
  9. A. Demir, G. Zhao, D.G. Deppe. Electron. Lett., 46, 1147 (2010)
  10. P.P. Baveja, B. Koegel, P. Westbergh, J.S. Gustavsson, A. Haglund, D.N. Maywar, G.P. Agrawal, A. Larsson. Opt. Exp., 19, 15 490 (2011)
  11. M. Fujita, A. Sakai, T. Baba. IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., 5, 673 (1999)
  12. T. Ide, T. Baba, J. Tatebayashi, S. Iwamoto, T. Nakaoka, Y. Arakawa. Opt. Exp., 13, 1615 (2005)
  13. http://www.matprop.ru/GaAs\_optic
  14. W. Nakwaski, M. Osinski. Electron. Lett., 28, 572 (1992)
  15. R. Michalzik, K.J. Ebeling. In: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Devices, ed. by H.E. Li, K. Iga [Springer Series in Photonics, 6, 53 (2003)
  16. Properties of Aluminium Gallium Arsenide, ed. by S. Adachi (INSPEC, London, 1993)
  17. Н.В. Крыжановская, А.Е. Жуков, А.М. Надточий, И.А. Словинский, М.В. Максимов, М.М. Кулагина, А.В. Савельев, Е.М. Аракчеева, Ю.М. Задиранов, С.И. Трошков, А.А. Липовский. ФТП, 46, 1063 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.