Вышедшие номера
Электрические свойства структур Pd-оксид-InP
Гребенщикова Е.А.1, Евстропов В.В.1, Ильинская Н.Д.1, Мельников Ю.С.2, Серебренникова О.Ю.1, Сидоров В.Г.2, Шерстнёв В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 августа 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

С целью создания датчика водорода, способного эффективно работать при комнатной температуре, изготовлены МОП структуры Pd-анодный оксид-InP. Изучены механизмы проводимости структур при 100-300 K. Установлено, что оксид ведет себя как омическое сопротивление, а выпрямляющие свойства структур определяются потенциальным барьером на границе оксид-InP с термотуннельным механизмом проводимости. Структуры существенно изменяют свои характеристики в присутствии водорода в окружающей среде.