"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические свойства структур Pd-оксид-InP
Гребенщикова Е.А.1, Евстропов В.В.1, Ильинская Н.Д.1, Мельников Ю.С.2, Серебренникова О.Ю.1, Сидоров В.Г.2, Шерстнёв В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 августа 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

С целью создания датчика водорода, способного эффективно работать при комнатной температуре, изготовлены МОП структуры Pd-анодный оксид-InP. Изучены механизмы проводимости структур при 100-300 K. Установлено, что оксид ведет себя как омическое сопротивление, а выпрямляющие свойства структур определяются потенциальным барьером на границе оксид-InP с термотуннельным механизмом проводимости. Структуры существенно изменяют свои характеристики в присутствии водорода в окружающей среде.
  1. V.M. Arutyunian. ISJAEE, 3 (23), 21 (2005)
  2. V.M. Arutyunian. ISJAEE, 3 (47), 33 (2007)
  3. Х.М. Салихов Автореф. докт. дис. СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (2010)
  4. М. Шур. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1992) кн. 1, гл. 2, с. 209. [Пер. с англ.: M. Shur. Physics of Semicoductor Devices (Prentice-Hall, Inc., 1990)]
  5. А.Т. Гореленок, В.Г. Груздов, В.В. Евстропов, В.Г. Сидоров, И.С. Тарасов, Л.М. Федоров. ФТП, 18 (6), 1032 (1984)
  6. А.Я. Шик. ФТП, 17 (7), 1295 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.