"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами
Байдусь Н.В.1, Вихрова О.В.1, Звонков Б.Н.1, Малышева Е.И.1, Труфанов А.Н.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова, ГСП-486 Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

Было изучено влияние нейтронного облучения на люминесценцию гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками. Обнаружено, что в результате нейтронного облучения происходит как дефектообразование, так и радиационный отжиг ростовых дефектов. Квантовые точки более устойчивы к нейтронному облучению в сравнении с квантовыми ямами. Показано, что слой квантовых точек InAs/GaAs, расположенный вблизи поверхности, менее чувствителен к облучению нейтронами в сравнении с его объемным расположением. В этом случае может наблюдаться увеличение интенсивности фото- и электролюминесценции после нейтронного облучения, связанное с эффектами радиационного отжига. Обнаружено большое влияние упругих напряжений в квантовых ямах InGaAs/GaAs на степень гашения интенсивности фотолюминесценции при облучении нейтронами. В гетероструктурах с квантовыми ямами эффект радиационного отжига проявляется в длинноволновом сдвиге пика фотолюминесценции вследствие уменьшения упругих напряжений после нейтронного облучения. Легирование кремнием буферного слоя GaAs также уменьшает величину этого спектрального сдвига.
  1. P.T. Grifin, M.S. Yazo, T.F. Guerd, J.С. Kelly. IEEE Trans. Nucl. Sci., 36, 1937 (1989)
  2. W. Lu, Y.L. Ji, G.B. Chen, N.Y. Tang, X.S. Chen, S.C. Shen, Q.X. Zhao, M. Willander. Appl. Phys. Lett., 83, 4300 (2003)
  3. N.A. Sobolev, A. Cavaco, M.C. Carmo, M. Grundmann, F. Heinrichsdorff, D. Bimberg. Phys. Status Solidi B, 224, 93 (2001)
  4. R. Leon, G.M. Swift, B. Magness, W.A. Taylor, Y.S. Tang et al. Appl. Phys. Lett., 76, 2074 (2000)
  5. Б.Н. Звонков, В.В. Подольский, В.П. Лесников и др. Высокочистые вещества, 4, 114 (1993)
  6. А.В. Бобыль, Р.В. Канакова, В.К. Кононов, В.Г. Малинин, М.М. Малышев, И.В. Прокопенко, М.И. Слуцкий, Ю.А. Тхорик. Электрон. техн. Сер. управление качеством, 4(151)-5(152), 31 (1992)
  7. P.J. Poole, S. Charbonneau, G.C. Aers, T.E. Jackman, M. Buchanan, M. Dion, R.D. Goldberg, I.V. Mitchell. J. Appl. Phys., 78, 2367 (1995)
  8. L. Fu, H.H. Tan, M.B. Johnston, M. Gal, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 85, 6786 (1999)
  9. Г.П. Пека, О.А. Токалин. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 14, 1 (1988)
  10. М.Л. Дмитрук, Р.В. Конакова. Вестн. АН УССР 6, 18 (1989)
  11. И.А. Карпович, А.В. Аншон, Н.В. Байдусь, Л.М. Батукова, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, С.М. Планкина. ФТП, 28, 104 (1994)
  12. И.А. Карпович, А.В. Аншон, Д.О. Филатов. ФТП, 32, 1089 (1998)
  13. К.Д. Клинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 31, 533 (1997)
  14. Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980) с. 12
  15. D.I. Tetelbaum, D.V. Guseinov, V.K. Vasiliev, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.S. Korolev, S.V. Obolensky, A.N. Kachemtsev. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 326, 41 (2014)
  16. R. Sreekumar, A. Mandal, S.K. Gupta, S. Chakrabarti. Mater. Res. Bulletin, 46, 1786 (2011)
  17. А. Chahboun, M.I. Vasilevskiy, N.V. Baidus, A. Cavaco, N.A. Sobolev, M.C. Carmo, E. Alves, B.N. Zvonkov. J. Appl. Phys., 103, 083 548 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.