Было изучено влияние нейтронного облучения на люминесценцию гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками. Обнаружено, что в результате нейтронного облучения происходит как дефектообразование, так и радиационный отжиг ростовых дефектов. Квантовые точки более устойчивы к нейтронному облучению в сравнении с квантовыми ямами. Показано, что слой квантовых точек InAs/GaAs, расположенный вблизи поверхности, менее чувствителен к облучению нейтронами в сравнении с его объемным расположением. В этом случае может наблюдаться увеличение интенсивности фото- и электролюминесценции после нейтронного облучения, связанное с эффектами радиационного отжига. Обнаружено большое влияние упругих напряжений в квантовых ямах InGaAs/GaAs на степень гашения интенсивности фотолюминесценции при облучении нейтронами. В гетероструктурах с квантовыми ямами эффект радиационного отжига проявляется в длинноволновом сдвиге пика фотолюминесценции вследствие уменьшения упругих напряжений после нейтронного облучения. Легирование кремнием буферного слоя GaAs также уменьшает величину этого спектрального сдвига.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.