"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические исследования вертикального транспорта носителей в переменно-напряженной сверхрешетке ZnS0.4Se0.6/CdSe
Европейцев Е.А.1, Сорокин С.В.1, Гронин С.В.1, Седова И.В.1, Климко Г.В.1, Иванов С.В.1, Торопов А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

Представлены результаты теоретического проектирования и экспериментальных оптических исследований переменно-напряженной сверхрешетки (СР) CdSe/ZnSySe1-y (y~ 0.4) с эффективной шириной запрещенной зоны Egeff~2.580 эВ и толщиной ~300 нм, изготовленной методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs. Толщины и состав слоев сверхрешетки определялись на основании расчетов параметров мини-зон, исходя из условий решеточного согласования сверхрешетки как целой с подложкой GaAs и достижения высокой эффективности транспорта фотовозбужденных носителей вдоль оси роста структуры. Фотолюминесцентные исследования транспортных свойств структуры, включающей сверхрешетку с одной расширенной квантовой ямой, показали, что характерное время диффузии носителей при 300 K оказывается существенно меньше времен, определяемых рекомбинационными процессами. Такие свехрешетки представляются перспективными для формирования широкозонной фотоактивной области многопереходного солнечного элемента, объединяющего соединения групп АIIIВV и АIIВVI.
  1. Y.H. Zhang, S.N. Wu, D. Ding, S.Q. Yu, S.R. Johnson. Proc. 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conf. San Diego, CA, USA (2008)
  2. T.V. Shubina, S.V. Ivanov, A.A. Toropov, G.N. Aliev, M.G. Tkatchman, S.V. Sorokin, N.D. Il'inskaya, P.S. Kop'ev. J. Cryst. Growth, 184/185, 596 (1998)
  3. H.J. Lozykowsky, V.K. Shastri. J. Appl. Phys., 69, 3235 (1991)
  4. C. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)
  5. S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (Chippenham, John Wiley\& Sons Ltd, 2009)
  6. Yi-Hong Wu. IEEE J. Quant. Electron., 30, 1562 (1994)
  7. T. Nakayama. Sol. St. Electron., 37, 1077 (1994)
  8. A. Qteish, R.J. Needs. Phys. Rev. B, 45, 1317 (1992)
  9. D. Olguin, R. Baquero. Phys. Rev. B, 51, 16 891 (1995)
  10. M. Willatzen, M. Cardona, N.E. Christensen. Phys. Rev. B, 51, 17 992 (1995)
  11. H. Kukimoto, S. Shionoya. J. Phys. Chem. Sol., 29, 935 (1968)
  12. P. Lawaetz. Phys. Rev. B, 4, 3460 (1971)
  13. V. Pellegrini, R. Atamasov, A. Tredicucci, F. Beltram, C. Amzulini, L. Sobra, L. Vanzetti, A. Francioso. Phys. Rev. B, 51, 5171 (1995)
  14. S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, I.V. Sedova, P.S. Kop'ev, G.R. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. J. Appl. Phys., 83, 3168 (1998)
  15. R.N. Kyutt, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, S.V. Ivanov, M. Karlsteen, M. Willander. Appl. Phys. Lett., 75 (3), 373 (1999)
  16. А.К. Ghatak, K. Thyagarajan, M.R. Shenoy. IEEE J. Quant. Electron., 24, 1524 (1988)
  17. F. Piazza, L. Pavesi, A. Vinattieri, J. Martinez-Pastor, M. Colocci. Phys. Rev. B, 47 (16), 10 625 (1993)
  18. A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, R.N. Kyutt, S.V. Ivanov, M. Karlsteen, M. Willander, G.R. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. Phys. Rev. B, 59, 2510 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.