Представлены результаты теоретического проектирования и экспериментальных оптических исследований переменно-напряженной сверхрешетки (СР) CdSe/ZnS_ySe_1-y (y~ 0.4) с эффективной шириной запрещенной зоны E_g^eff~2.580 эВ и толщиной ~300 нм, изготовленной методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs. Толщины и состав слоев сверхрешетки определялись на основании расчетов параметров мини-зон, исходя из условий решеточного согласования сверхрешетки как целой с подложкой GaAs и достижения высокой эффективности транспорта фотовозбужденных носителей вдоль оси роста структуры. Фотолюминесцентные исследования транспортных свойств структуры, включающей сверхрешетку с одной расширенной квантовой ямой, показали, что характерное время диффузии носителей при 300 K оказывается существенно меньше времен, определяемых рекомбинационными процессами. Такие свехрешетки представляются перспективными для формирования широкозонной фотоактивной области многопереходного солнечного элемента, объединяющего соединения групп А^IIIВ^V и А^IIВ^VI.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.