Исследовано влияние термического отжига в аргоне и воздействие кислородной плазмы на фотоэлектрические свойства структур GaAs-Ga₂O₃-Me. Пленки оксида галлия получали фотостимулированным электрохимическим окислением эпитаксиальных слоев арсенида галлия n-типа проводимости. После нанесения оксидные пленки были аморфными, но обработка в кислородной плазме приводила к зарождению кристаллитов beta-Ga₂O₃. Пленки, не подвергнутые термическому отжигу, оказываются непрозрачными в видимом и УФ диапазонах, a в структурах на основе таких пленок отсутствует фототок. После отжига при 900^oC в течение 30 мин пленки оксида галлия содержат только кристаллиты Ga₂O₃ beta-фазы и становятся прозрачными. При освещении Ga₂O₃-GaAs-структур в видимом диапазоне появляется фототок. Эффект можно объяснить поглощением излучения в GaAs. Величина фототока и его зависимость от напряжения определяются временем экспозиции в кислородной плазме. В УФ диапазоне чувствительность структур возрастает с уменьшением длины волны излучения, начиная с lambda≤ 230 нм. Это связано с поглощением в пленке Ga₂O₃. Уменьшение чувствительности структур с увеличением длительности воздействия кислородной плазмы может быть за счет введения дефектов как на границе Ga₂O₃-GaAs, так и в пленке Ga₂O₃.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.