"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические характеристики структур металл- Ga2O3-GaAs
Калыгина В.М.1, Вишникина В.В.1, Петрова Ю.С.1, Прудаев И.А.1, Яскевич Т.М.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 27 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

Исследовано влияние термического отжига в аргоне и воздействие кислородной плазмы на фотоэлектрические свойства структур GaAs-Ga2O3-Me. Пленки оксида галлия получали фотостимулированным электрохимическим окислением эпитаксиальных слоев арсенида галлия n-типа проводимости. После нанесения оксидные пленки были аморфными, но обработка в кислородной плазме приводила к зарождению кристаллитов beta-Ga2O3. Пленки, не подвергнутые термическому отжигу, оказываются непрозрачными в видимом и УФ диапазонах, a в структурах на основе таких пленок отсутствует фототок. После отжига при 900oC в течение 30 мин пленки оксида галлия содержат только кристаллиты Ga2O3 beta-фазы и становятся прозрачными. При освещении Ga2O3-GaAs-структур в видимом диапазоне появляется фототок. Эффект можно объяснить поглощением излучения в GaAs. Величина фототока и его зависимость от напряжения определяются временем экспозиции в кислородной плазме. В УФ диапазоне чувствительность структур возрастает с уменьшением длины волны излучения, начиная с lambda≤ 230 нм. Это связано с поглощением в пленке Ga2O3. Уменьшение чувствительности структур с увеличением длительности воздействия кислородной плазмы может быть за счет введения дефектов как на границе Ga2O3-GaAs, так и в пленке Ga2O3.
  1. R. Droopad, M. Passlack, N. England, K. Rajagopalan, J. Abrokwah, A. Kummel. Microelectron. Eng., 80, 138 (2005)
  2. O. Seok, W. Ahn, Y-S. Kim, M-W. Ha, M-K. Han. http://www.intechopen.com/books/semiconductor- technologies/gan-based-metal-oxide-semiconductor-devices
  3. S.K. Gupra, J. Sinh, J. Akhtar. http://www.intechopen.com/books/physics-and-technology- of-silicon-carbide-devices/materials-and-processing-for-gate- dielectrics-on-silicon-carbide-sic-surface
  4. S. Nakagomi, T. Moto, S. Takahashi, Y. Kokubun. Appl. Phys. Lett., 103, 072 105 (2013)
  5. T. Oshima, T. Okuno, N. Arai, N. Suzuki, S. Ohira, S. Fujita. Appl. Phys. Express, 1, 011 202 (2008)
  6. R. Suzuki, S. Nakagomi, Y. Kokubun, N. Arai, S. Ohira. Appl. Phys. Lett., 94, 222 102 (2009)
  7. Y. Kokubun, K. Miura, F. Endo, S.Nakagomi. Appl. Phys. Lett., 90, 031 912 (2007)
  8. F.K. Shan, G.X. Liu, G.H. Lee, I.S. Kim, B.C. Shin. J. Appl. Phys., 98, 023 504 (2005)
  9. Y. Zhang, J. Yan, Q. Li, C. Qu, L. Zhang, T. Li. Physica B, 3079 (2011)
  10. L. Kong, J. Ma, C. Luan, W. Mi, Y. Lv. Thin Solid Films, 520, 4270 (2012)
  11. S-A. Lee, J-Y. Hwang, J-P. Kim, S-Y. Jeon, C-R. Cho. Appl. Phys. Lett., 89, 182 906 (2006)
  12. В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, Е.П. Найден, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 46 (2), 278 (2012)
  13. В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, С.Ю. Цупий, Т.М. Яскевич. ФТП, 47 (5), 598 (2013)
  14. Т.М. Яскевич, Д.Л. Будницкий, В.М. Калыгина, Н.И. Кожинова, И.А. Прудаев, И.М. Егорова. Изв. вузов. Физика, 56 (8/3), 153 (2013)
  15. Y. Kokubun, K. Miura, F. Endo, S. Nakagomi. Appl. Phys. Lett., 90, 031 912 (2007)
  16. S.-T. Su, W.Y. Weng, C.J. Chiu, S.J. Chang. National Cheng Kung University. http://ir.lib.ncku.edu.tw/retrieve/104641/Effect+of+Thermal+ Annealing+on+Ga-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=--Based+Solar-Blind+ Photodetectors+Prepared+by+RF+Sputter\_Abstract.pdf
  17. В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, Е.П. Найден, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, М.С. Скакунов, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 45 (8), 1130 (2011)
  18. В.М. Калыгина, К.И. Валиев, А.Н. Зарубин, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 46 (8), 1027 (2012)
  19. J. Hao, M. Cocivera. J. Appl. Phys. D: Appl. Phys., 35, 433 (2002)
  20. В.М. Калыгина, В.В. Вишникина, А.Н. Зарубин, Ю.С. Петрова, М.С. Скакунов, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. Изв. вузов. Физика, 56 (9), 11 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.