Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией
Мынбаев К.Д.1,2, Шиляев А.В.1, Баженов Н.Л.1, Ижнин А.И.3,4, Ижнин И.И.3, Михайлов Н.Н.5, Варавин В.С.5, Дворецкий С.А.5,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Научно-исследовательский институт материалов НПП "Карат", Львов, Украина
4Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
5Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Научно-исследовательский институт материалов НПП "Карат", Львов, Украина
4Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
5Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.
Методом фотолюминесценции исследованы акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Сопоставление спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев, выращенных на подложках GaAs (CdHgTe/GaAs), со спектрами гетероэпитаксиальных слоев CdHgTe/Si показало, что специфическими для гетероэпитаксиальных слоев CdHgTe/GaAs являются акцепторные центры с энергией залегания около 18 и 27 мэВ. Обсуждается возможная природа обнаруженных состояний и ее связь с условиями синтеза гетероэпитаксиальных слоев и, в частности, с вакансионным легированием, происходящим в условиях дефицита ртути при эпитаксии и постростовой обработке.
- J.D. Benson, L.O. Bubulac, P.J. Smith, R.N. Jacobs, J.K. Markunas, M. Jaime-Vasquez, L.A. Almeida, A. Stoltz, J.M. Arias, G. Brill, Y. Chen, P.S. Wijewarnasuriya, S. Farrell, U. Lee. J. Electron. Mater., 41, 2971 (2012)
- T.J. de Lyon, R.D. Rajavel, B.Z. Nosho, S. Terterian, M.L. Beliciu, P.R. Patterson, D.T. Chang, M.F. Boag-O'Brien, B.T. Holden, R.N. Jacobs, J.D. Benson. J. Electron. Mater., 39, 1058 (2010)
- W. Lei, R.J. Gu, J. Antoszewski, J. Dell, L. Faraone. J. Electron. Mater., 43, 2788 (2014)
- Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35, 1092 (2001)
- M.F. Vilela, D.D. Lofgreen, E.P.G. Smith, M.D. Newton, G.M. Venzor, J.M. Peterson, J.J. Franklin, M. Reddy, Y. Thai, E.A. Patten, S.M. Johnson, M.Z. Tidrow. J. Electron. Mater., 37, 1645 (2008)
- И.И. Ижнин, К.Д. Мынбаев, М.В. Якушев, А.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, Н.Л. Баженов, А.В. Шиляев, Г.В. Савицкий, R. Jakiela, А.В. Сорочкин, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий. ФТП, 46, 1363 (2012)
- К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, А.В. Сорочкин, В.Г. Ремесник, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 45, 900 (2011)
- X. Zhang, J. Shao, L. Chen, X. Lu, S. Guo, L. He, J. Chu. J. Appl. Phys., 110, 043 503 (2011)
- I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, H.V. Savytskyy, O.I. Fitsych, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, K.D. Mynbaev. Opto-Electronics. Rev., 20, 375 (2012)
- И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, J. Рiotrowski, К.Д. Мынбаев. Изв. вузов. Физика, 9/2, 89 (2013)
- A.I. Izhnin, A.I. Izhnin, K.D. Mynbaev, N.L. Bazhenov, A.V. Shilyaev, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, O.I. Fitsych, A.V. Voitsekhovsky. Opto-Electronics Rev., 21, 390 (2013)
- A. Rogalski. Rep. Progr. Phys., 68, 2267 (2005)
- И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, Е.И. Фицыч, М.В. Якушев, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий. ФТП, 48, 207 (2014)
- К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, М.В. Якушев, Д.В. Марин, В.С. Варавин, Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий. Письма ЖТФ, 40 (16), 65 (2014)
- П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 38, 1207 (2004)
- J.P. Laurenti, J. Camassel, A. Bouhemadou, B. Toulouse, R. Legros, A. Lusson. J. Appl. Phys., 67, 6454 (1990)
- В.И. Иванов-Омский, К.Е. Миронов, К.Д. Мынбаев, В.В. Богобоящий. ФТП, 25, 1423 (1991)
- F. Gemain, I. C. Robin, G. Feuillet. J. Appl. Phys., 114, 213 706 (2013)
- I.C. Robin, M. Taupin, R. Derone, P. Ballet, A. Lusson. J. Electron. Mater., 39, 868 (2010)
- I.C. Robin, M. Taupin, R. Derone, A. Sollignac, P. Ballet, A. Lusson. Appl. Phys. Lett., 95, 202 104 (2009)
- F. Gemain, I.C. Robin, S. Brochen, P. Ballet, O. Gravrand, G. Feuillet. Appl. Phys. Lett., 102, 142 104 (2013)
- I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, K.D. Mynbaev, O.E. Fitsych, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, M. Pociask-Bialy, A.V. Voitsekhovskii, E. Sheregii. J. Appl. Phys., 115, 163 501 (2014)
- А.И. Ижнин, И.И. Ижнин, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский, Н.Л. Баженов, В.А. Смирнов, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, Г.Ю. Сидоров. Письма ЖТФ, 35 (3), 103 (2009)
- Y. Chang, J.H. Chu, W.G. Tang, W.Z. Shen, D.Y. Tang. Infr. Phys. Technol., 37, 747 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
