Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2015, выпуск 3 » Статья стр. 379
<<<>>>
Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией
Мынбаев К.Д.1,2, Шиляев А.В.1, Баженов Н.Л.1, Ижнин А.И.3,4, Ижнин И.И.3, Михайлов Н.Н.5, Варавин В.С.5, Дворецкий С.А.5,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Научно-исследовательский институт материалов НПП "Карат", Львов, Украина
4Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
5Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.
PDF версия
Методом фотолюминесценции исследованы акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Сопоставление спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев, выращенных на подложках GaAs (CdHgTe/GaAs), со спектрами гетероэпитаксиальных слоев CdHgTe/Si показало, что специфическими для гетероэпитаксиальных слоев CdHgTe/GaAs являются акцепторные центры с энергией залегания около 18 и 27 мэВ. Обсуждается возможная природа обнаруженных состояний и ее связь с условиями синтеза гетероэпитаксиальных слоев и, в частности, с вакансионным легированием, происходящим в условиях дефицита ртути при эпитаксии и постростовой обработке.
  1. J.D. Benson, L.O. Bubulac, P.J. Smith, R.N. Jacobs, J.K. Markunas, M. Jaime-Vasquez, L.A. Almeida, A. Stoltz, J.M. Arias, G. Brill, Y. Chen, P.S. Wijewarnasuriya, S. Farrell, U. Lee. J. Electron. Mater., 41, 2971 (2012)
  2. T.J. de Lyon, R.D. Rajavel, B.Z. Nosho, S. Terterian, M.L. Beliciu, P.R. Patterson, D.T. Chang, M.F. Boag-O'Brien, B.T. Holden, R.N. Jacobs, J.D. Benson. J. Electron. Mater., 39, 1058 (2010)
  3. W. Lei, R.J. Gu, J. Antoszewski, J. Dell, L. Faraone. J. Electron. Mater., 43, 2788 (2014)
  4. Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35, 1092 (2001)
  5. M.F. Vilela, D.D. Lofgreen, E.P.G. Smith, M.D. Newton, G.M. Venzor, J.M. Peterson, J.J. Franklin, M. Reddy, Y. Thai, E.A. Patten, S.M. Johnson, M.Z. Tidrow. J. Electron. Mater., 37, 1645 (2008)
  6. И.И. Ижнин, К.Д. Мынбаев, М.В. Якушев, А.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, Н.Л. Баженов, А.В. Шиляев, Г.В. Савицкий, R. Jakiela, А.В. Сорочкин, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий. ФТП, 46, 1363 (2012)
  7. К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, А.В. Сорочкин, В.Г. Ремесник, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 45, 900 (2011)
  8. X. Zhang, J. Shao, L. Chen, X. Lu, S. Guo, L. He, J. Chu. J. Appl. Phys., 110, 043 503 (2011)
  9. I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, H.V. Savytskyy, O.I. Fitsych, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, K.D. Mynbaev. Opto-Electronics. Rev., 20, 375 (2012)
  10. И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, J. Рiotrowski, К.Д. Мынбаев. Изв. вузов. Физика, 9/2, 89 (2013)
  11. A.I. Izhnin, A.I. Izhnin, K.D. Mynbaev, N.L. Bazhenov, A.V. Shilyaev, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, O.I. Fitsych, A.V. Voitsekhovsky. Opto-Electronics Rev., 21, 390 (2013)
  12. A. Rogalski. Rep. Progr. Phys., 68, 2267 (2005)
  13. И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, Е.И. Фицыч, М.В. Якушев, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий. ФТП, 48, 207 (2014)
  14. К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, М.В. Якушев, Д.В. Марин, В.С. Варавин, Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий. Письма ЖТФ, 40 (16), 65 (2014)
  15. П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, А.П. Коробкин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 38, 1207 (2004)
  16. J.P. Laurenti, J. Camassel, A. Bouhemadou, B. Toulouse, R. Legros, A. Lusson. J. Appl. Phys., 67, 6454 (1990)
  17. В.И. Иванов-Омский, К.Е. Миронов, К.Д. Мынбаев, В.В. Богобоящий. ФТП, 25, 1423 (1991)
  18. F. Gemain, I. C. Robin, G. Feuillet. J. Appl. Phys., 114, 213 706 (2013)
  19. I.C. Robin, M. Taupin, R. Derone, P. Ballet, A. Lusson. J. Electron. Mater., 39, 868 (2010)
  20. I.C. Robin, M. Taupin, R. Derone, A. Sollignac, P. Ballet, A. Lusson. Appl. Phys. Lett., 95, 202 104 (2009)
  21. F. Gemain, I.C. Robin, S. Brochen, P. Ballet, O. Gravrand, G. Feuillet. Appl. Phys. Lett., 102, 142 104 (2013)
  22. I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, K.D. Mynbaev, O.E. Fitsych, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, M. Pociask-Bialy, A.V. Voitsekhovskii, E. Sheregii. J. Appl. Phys., 115, 163 501 (2014)
  23. А.И. Ижнин, И.И. Ижнин, К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский, Н.Л. Баженов, В.А. Смирнов, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, Г.Ю. Сидоров. Письма ЖТФ, 35 (3), 103 (2009)
  24. Y. Chang, J.H. Chu, W.G. Tang, W.Z. Shen, D.Y. Tang. Infr. Phys. Technol., 37, 747 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme