Экспериментально исследовано лазерное геттерирование кремниевых пластин. Рассмотрены типичные параметры процесса геттерирования. Проведены микроскопические исследования обработанных лазерным излучением поверхностей кремниевых пластин. При воздействии лазерного излучения на кремниевые полупроводниковые пластины в процессе геттерирования была выделена группа факторов, определяющих условия взаимодействия лазерного луча с поверхностью кремниевой пластины и влияющих на конечный результат обработки. Определены главные факторы, определяющие эффективность геттерирования. Установлены ограничения получения требуемого значения емкости геттерного слоя на поверхностях с недостаточной чистотой поверхности, например, шлифованной или "матовой".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.