"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Доминирующие факторы лазерного геттерирования кремниевых пластин
Бохан Ю.И.1, Каменков В.С.2, Толочко Н.К.3
1Витебский государственный университет им. П.М. Машерова, Витебск, Беларусь
2НПДРДУП "Спектркомплекс", Витебск, Белоруссия
3Белорусский государственный аграрно-технический университет, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 6 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

Экспериментально исследовано лазерное геттерирование кремниевых пластин. Рассмотрены типичные параметры процесса геттерирования. Проведены микроскопические исследования обработанных лазерным излучением поверхностей кремниевых пластин. При воздействии лазерного излучения на кремниевые полупроводниковые пластины в процессе геттерирования была выделена группа факторов, определяющих условия взаимодействия лазерного луча с поверхностью кремниевой пластины и влияющих на конечный результат обработки. Определены главные факторы, определяющие эффективность геттерирования. Установлены ограничения получения требуемого значения емкости геттерного слоя на поверхностях с недостаточной чистотой поверхности, например, шлифованной или "матовой".
  1. В.А. Лабунов, И.Л. Баранов, В.П. Бондаренко, А.М. Дорофеев. Современные методы геттерирования в полупроводниковой электронике. Зарубеж. электрон. техн. М., ЦНИИ "Электроника", 1983, N 11 (270) с. 3
  2. С.В. Оболенский. Матер. ХХХI Междунар. конф. "Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами", Москва, 26-28 мая 2001 (М., МГУ, 2001) c. 152
  3. В.Н. Черняев. Физико-химические процессы в технологии РЭА (М., Высш. шк., 1987)
  4. В.С. Каменков, В.И. Семашко, Н.К. Толочко. Вестн. ВГУ, N 3 (57), 42 (2010)
  5. О.Д. Парфенов. Технология микросхем (М., Высш. шк., 1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.