Выполнен анализ эффективности фотопреобразования eta в высокоэффективных солнечных элементах (СЭ) на основе кремния в зависимости от величины суммарной скорости поверхностной рекомбинации на освещенной и тыльной поверхностях S_s. С единых позиций рассмотрены солнечные элементы на основе кремниевых p-n-переходов и гетеропереходов alpha-Si : H или alpha-SiC : H-Si (так называемых HIT структур). Показано, что общей особенностью указанных солнечных элементов является повышенное значение напряжения разомкнутой цепи V_oc, связанное с дополнительным вкладом тыльной поверхности. В рамках подхода, основанного на анализе физических закономерностей фотопреобразования в солнечных элементах с учетом основных механизмов рекомбинации, включающих рекомбинацию Шокли-Рида-Холла, излучательную рекомбинацию, поверхностную рекомбинацию, рекомбинацию в области пространственного заряда и межзонную рекомбинацию Оже, получены выражения для эффективности фотопреобразования таких солнечных элементов. Проведено сравнение развитой теории с экспериментом, в том числе и для солнечных элементов с рекордными параметрами, в которых величина eta составляет в условиях АМ1.5 25% для солнечных элементов с p-n-переходом и 24.7% для HIT структур. Из сравнения теории с экспериментом найдены значения S_s, достигнутые в результате минимизации рекомбинационных потерь различными способами. Проведено сравнение результатов расчета предельно возможной величины eta_max в кремниевых солнечных элементах с результатами расчета eta_max, приведенными в работах других авторов. Между ними получено хорошее согласие.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.