"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Comparative investigation of GaAsSb/InGaAs type-II and InP/InGaAs type-I doped--channel field--effect transistors
Wu Yi-Chen1, Tsai Jung-Hui2, Chiang Te-Kuang1, Chiang Chung-Cheng2, Wang Fu-Min1
1Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, 811 Kaohsiung, Taiwan
2Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, 824 Kaohsiung County, Taiwan
Поступила в редакцию: 1 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

DC performance of GaAsSb/InGaAs type-II and InP/InGaAs type-I doped-channel field-effect transistors (DCFETs) is demonstrated and compared by two-dimensional simulated analysis. As compared with the traditional InP/InGaAs DCFET, the GaAsSb/InGaAs DCFET exhibits a higher drain current of 8.05 mA, a higher transconductance of 216.24 mS/mm, and a lower gate turn-on voltage of 0.25 V for the presence of a relatively large conduction band discontinuity (Delta Ec~0.4 eV) at GaAsSb/InGaAs heterostructure and the formation of two-dimensional electron gas in the n +-InGaAs doping channel. However, due to the tunneling effect under large gate-to-source bias, it results in considerably large gate leakage current in the GaAsSb/InGaAs DCFET.
  1. Y.J. Chen, W.C. Hsu, Y.W. Chen, Y.S. Lin, R.T. Hsu. Sol. St. Electron., 49, 163 (2005)
  2. T. Suemitsu, T. Ishii, H. Yokoyama, T. Enoki, Y. Ishii, T. Tamamura. Jpn. J. Appl. Phys., 38, L154 (1999)
  3. J.H. Tsai, C.H. Huang, J.J. Ou-Yang, Y.T. Chao, J.C. Jhou, Y.R. Wu. Thin Sol. Films, 547, 267 (2013)
  4. S.J. Yu, W.C. Hsu, Y.J. Chen, C.L. Wu. Sol. St. Electron., 50, 291 (2006)
  5. Y.J. Chen, W.C. Hsu, Y.W. Chen, Y.S. Lin, R.T. Hsu. Sol. St. Electron., 49, 163 (2005)
  6. J.H. Tsai, D.F. Guo, W.S. Lour. Semiconductors, 45, 1231 (2011)
  7. Y. Oda, K. Kurishima, N. Watanabe, M. Uchida, T. Kobayashi. Proc. Int. Conf. Indium Phosphide and Related Mater., 92 (2006)
  8. J.H. Tsai, W.S. Lour, D.F. Guo, W.C. Liu, Y.Z. Wu, Y.F. Dai. Semiconductors, 44, 1096 (2010)
  9. SILVACO 2013 Atals User's Manual Editor I (SILVACO Int. Santa Clara, CA, USA)
  10. J. Hu, X.G. Xu, J.A.H. Stotz, S.P. Watkins, A.E. Curzon, M.L.W. Thewalt, N. Matine, C.R. Bolognesi. Appl. Phys. Lett., 73, 2799 (1998)
  11. M. Peter, N. Herres, F. Fuchs, K. Winkler, K.H. Bachem, J. Wagner. Appl. Phys. Lett., 74, 410 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.