"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с delta-легированными слоями
Хазанова С.В.1, Дегтярев В.Е.1, Тихов C.В.1, Байдусь Н.В.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Теоретически и экспериментально исследованы гетероструктуры InGaAs/GaAs, содержащие квантовые ямы и delta-легированные слои. На основе процедуры самосогласованного решения уравнений Шрёдингера и Пуассона проведены численные расчеты дифференциальной емкости и эффективных профилей концентрации электронов в структурах с различным взаимным расположением квантовой ямы и delta-слоя. Проведено сравнение расчетов с результатами анализа измеренных вольт-фарадных характеристик вышеуказанных структур. Выявлены закономерности поведения профилей наблюдаемой концентрации и вида вольт-фарадных характеристик в зависимости от геометрии структуры, температуры, степени легирования.
  1. И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров и др. ФТП, 42 (9), 1102 (2008)
  2. Р.А. Хабибулин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, А.Н. Клочков, Н.А. Юзеева. ФТП, 45 (5), 666 (2011)
  3. П.Н. Брунков, A.A. Гуткин и др. ФТП, 45 (6), 829 (2011)
  4. H. Kroemer, Wu-Yi Chien, J.S. Harris, jr., D.D. Edwall. Appl. Phys. Lett., 36 (4), 295 (1980)
  5. А.Н. Петровская, В.И. Зубков. ФТП, 43 (10), 1368 (2009)
  6. О.А. Солтанович, Н.М. Шмидт, Е.Б. Якимов. ФТП, 45 (2), 226 (2011)
  7. V.I. Zubkov, M.A. Melnik, A.V. Solomonov, E.O. Tsvelev. Phys. Rev. B, 70, 075 312 (2004)
  8. И.А. Карпович, С.В. Тихов, Л.А. Истомин и др. Вестн. Нижегор. ун-та им. Н.И. Лобачевского, 1, 25 (2008)
  9. Г.П. Пека. Физика поверхности полупроводников (Киев, КГУ, 1967)
  10. P.N. Brunkov, T. Benyattou, G. Guilot. J. Appl. Phys., 80 (2), 864 (1996)
  11. A. Abou-Elnour, K. Schunemann, J. Appl. Phys., 74 (5), 3273 (1993)
  12. С.В. Тихов, Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков, С.В. Хазанова. ФТП, 46 (12), 1532 (2012)
  13. С.В. Тихов, Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков, В.Е. Дегтярев. ФТП, 46 (12), 1561 (2012)
  14. C.В. Тихов, Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков, Б.Н. Звонков, Ю.А. Дроздов, Д.С. Смотрин, В.Г. Тестов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 12, 19 (2012)
  15. Н.С. Волкова, С.В. Тихов, А.П. Горшков, Н.В. Байдусь, В.Е. Дегтярев. Тр. XVII Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (2014) т. 2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.