"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs
Хазанова С.В.1, Дегтярев В.Е.1, Малехонова Н.В.1, Павлов Д.А.1, Байдусь Н.В.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Проведен комплексный анализ гетероструктур с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами InGaAs/GaAs. Методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и энергодисперсионной спектрометрии получены реальные профили состава исследуемых структур. Проведено сравнение с профилем, полученным с помощью компьютерного моделирования. Путем совместного решения уравнений Шрёдингера и Пуассона рассчитаны энергетические состояния в квантово-размерной гетероструктуре исходного и реального профилей состава. Проведен подробный анализ влияния таких факторов, как ширина ям и барьера, степень фонового легирования. Таким образом, изучены оптические характеристики данных структур, влияние на них технологии роста и геометрии структуры. Данный подход позволяет уточнить истинную геометрию ям и барьеров, а также скорректировать параметры структуры и технологии роста для улучшения оптических характеристик.
  1. J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, A.L. Hutchingson, A.Y. Cho. Science, 264, 553 (1994)
  2. В.Л. Зерова, В.В. Капаев, Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, S. Schmidt, Е.А. Зибик, A. Seilmeier, E. Towe. ФТП, 38 (12), 1455 (2004)
  3. Н.В. Байдусь, П.А. Белевский, А.А. Бирюков, В.В. Вайнберг, М.Н. Винославский, А.В. Иконников, Б.Н. Звонков, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин. ФТП, 44 (11), 1543 (2010)
  4. Z.S. Gribnikov, K. Hess, G.A. Kosinovsky. J. Appl. Phys., 77 (4), 1337 (1995)
  5. M. Hytch, C. Gatel, F. Houdellier, E. Snoeck, K. Ishizuka. Microscopy and Analysis, 26 (7), 6 (2012)
  6. S.J. Pennycook, B. Rafferty, P.D. Nellist. Microsc. Microanal., 6, 343 (2000)
  7. П.Н. Брунков, A.A. Гуткин и др. ФТП, 45 (6), 829 (2011)
  8. M. Schowalter, A. Rosenauer, D. Gerthsen. Appl. Phys. Lett., 88, 111 906 (2006)
  9. S.V. Khazanova, M.I. Vasilevskiy. Semicond. Sci. Technol., 25, 085 008 (2010)
  10. С.В. Хазанова, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, Н.В. Малехонова, Д.А. Павлов, А.И. Бобров, В.Е. Дегтярев, Д.С. Смотрин. ФТП, 46 (12), 1510 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.