Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs
Хазанова С.В.1, Дегтярев В.Е.1, Малехонова Н.В.1, Павлов Д.А.1, Байдусь Н.В.2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.
Проведен комплексный анализ гетероструктур с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами InGaAs/GaAs. Методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и энергодисперсионной спектрометрии получены реальные профили состава исследуемых структур. Проведено сравнение с профилем, полученным с помощью компьютерного моделирования. Путем совместного решения уравнений Шрёдингера и Пуассона рассчитаны энергетические состояния в квантово-размерной гетероструктуре исходного и реального профилей состава. Проведен подробный анализ влияния таких факторов, как ширина ям и барьера, степень фонового легирования. Таким образом, изучены оптические характеристики данных структур, влияние на них технологии роста и геометрии структуры. Данный подход позволяет уточнить истинную геометрию ям и барьеров, а также скорректировать параметры структуры и технологии роста для улучшения оптических характеристик.
- J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, A.L. Hutchingson, A.Y. Cho. Science, 264, 553 (1994)
- В.Л. Зерова, В.В. Капаев, Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов, S. Schmidt, Е.А. Зибик, A. Seilmeier, E. Towe. ФТП, 38 (12), 1455 (2004)
- Н.В. Байдусь, П.А. Белевский, А.А. Бирюков, В.В. Вайнберг, М.Н. Винославский, А.В. Иконников, Б.Н. Звонков, А.С. Пилипчук, В.Н. Порошин. ФТП, 44 (11), 1543 (2010)
- Z.S. Gribnikov, K. Hess, G.A. Kosinovsky. J. Appl. Phys., 77 (4), 1337 (1995)
- M. Hytch, C. Gatel, F. Houdellier, E. Snoeck, K. Ishizuka. Microscopy and Analysis, 26 (7), 6 (2012)
- S.J. Pennycook, B. Rafferty, P.D. Nellist. Microsc. Microanal., 6, 343 (2000)
- П.Н. Брунков, A.A. Гуткин и др. ФТП, 45 (6), 829 (2011)
- M. Schowalter, A. Rosenauer, D. Gerthsen. Appl. Phys. Lett., 88, 111 906 (2006)
- S.V. Khazanova, M.I. Vasilevskiy. Semicond. Sci. Technol., 25, 085 008 (2010)
- С.В. Хазанова, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, Н.В. Малехонова, Д.А. Павлов, А.И. Бобров, В.Е. Дегтярев, Д.С. Смотрин. ФТП, 46 (12), 1510 (2012)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
