Вышедшие номера
Непрямые в реальном и импульсном пространстве диполярные экситоны в гетероструктуре GaAs/AlAs
Горбунов А.В.1, Тимофеев В.Б.1
1Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

В диоде Шоттки со структурой из двух узких гетерослоев, GaAs (3.5 нм) и AlAs (5 нм), исследованы в перпендикулярном магнитном поле, в геометрии Фарадея, фотолюминесцентные свойства долгоживущих диполярных экситонов, непрямых не только в реальном, но и в импульсном пространстве. С помощью внешнего перпендикулярного электрического поля удается увеличивать времена жизни таких экситонов до ~1 мкс. Тем не менее, экситонная спиновая подсистема остается неравновесной - время спиновой релаксации экситона оказывается еще длиннее. Степень циркулярной поляризации достигает 80% в поле 6 Тл. С помощью электрического поля можно управлять как ее величиной, так и знаком.