"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии
Жукавин Р.Х.1, Ковалевский К.А.1, Орлов М.Л.1, Цыпленков В.В.1, Бекин Н.А.1, Яблонский А.Н.1, Юнин П.А.1, Pavlov S.G.2, Abrosimov N.V.3, Hubers H.-W.2,4, Radamson H.H.5, Шастин В.Н.1,6
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Institute of Planetary Research, German Aerospace Center (DLR), Berlin, Germany
3Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
4Institut fur Optik und Atomare Physik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
5Royal Institute of Technology (KTH), Kista, Sweden
6Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Представлены результаты измерений интегральной фотолюминесценции терагерцового диапазона частот доноров V группы (фосфор, сурьма, висмут, мышьяк) в объемном кремнии и SiGe/Si гетероструктурах (фосфор) в зависимости от интенсивности возбуждения. Сигнал из объемного кремния также измерялся как функция одноосной деформации. Результаты измерений зависимости интенсивности спонтанного излучения от одноосной деформации достаточно хорошо согласуются с теоретическими расчетами времен релаксации возбужденных состояний доноров в объемном кремнии. Сравнительные измерения спонтанного излучения из различных напряженных гетероструктур показали, что сигнал фотолюминесценции обусловлен легированными донорами кремниевыми областями.
  1. V.N. Smelyanskiy, A.G. Petukhov, V.V. Osipov. Phys. Rev. B, 72, 081 304 (2005)
  2. M. Fuechsle, J.A. Miwa, S. Mahapatra, H. Ryu, S. Lee, O. Warsckow, L.C.L. Hollenberg, G. Klimeck, M.Y. Simmons. Nature Nanotechnology, 7, 242 (2012)
  3. R. Kh. Zhukavin, V.V. Tsyplenkov, K.A. Kovalevsky, V.N. Shastin, S.G. Pavlov, U. Bottger, H.-W. Hubers, H. Riemann, N.V. Abrosimov, N. Notzel. Appl. Phys. Lett., 90, 051 101 (2007)
  4. M.O. Manasreh. Semiconductor quantum wells and superlattices for long-wavelength infrared detectors (Artech house inc., Boston--London, 1993)
  5. R. Kohler, A. Tredicucci, F. Beltram, H.E. Beere, E.H. Linfield, A.G. Davies, D.A. Ritchie, R.C. Jott, F. Rossi. Nature, 417, 156 (2002)
  6. S.A. Lynch, R. Bates, D.J. Paul, D.J. Norris, A.G. Cullis, Z. Ikonic, R.W. Kelsall, P. Harrison, D.D. Arnone, C.R. Pidgeon. Appl. Phys. Lett., 81 (9) 1543 (2002)
  7. N.A. Bekin, S.G. Pavlov. Physica B, 404, 4716 (2009)
  8. M.S. Kagan, I.V. Altukhov, E.G. Chirkova, V.P. Sinis, R.T. Troeger, S.K. Ray, J. Kolodzey. Phys. St. Sol. B, 235 (1), 135 (2003)
  9. А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, И.Н. Яссиевич, Н.Н. Зиновьев. Письма ЖЭТФ, 79 (8), 448 (2004)
  10. V.A. Shalygin, L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, G.A. Melentyev, A.V. Antonov, V.I. Gavrilenko, A.V. Andrianov, A.O. Zakharyin, S. Suihkonen, P.T. Torma, M. Ali, H. Lipsanen. J. Appl. Phys., 106, 123 523 (2009)
  11. P.-C. Lv, X. Zhang, J. Kolodzey, M.A. Odnoblyudov, I.N. Yassievich. J. Appl. Phys., 98, 103 511 (2005)
  12. В.В. Цыпленков, К.А. Ковалевский, В.Н. Шастин. ФТП, 43 (11), 1450 (2009)
  13. N. Debmann, S.G. Pavlov, V.N. Shastin, R.Kh. Zhukavin, V.V. Tsyplenkov, S. Winnerl, M. Mittendorff, N.V. Abrosimov, H. Riemann, H.-W. Hubers, Phys. Rev. B, 89, 035 205 (2014)
  14. К.А. Ковалевский, Р.Х. Жукавин, В.В. Цыпленков, В.Н. Шастин, Н.В. Абросимов, Г. Риман, С.Г. Павлов, Г.В. Хьюберс. ФТП, 47, 199 (2013)
  15. J.S. Christensen, H.H. Radamson, A.Yu. Kuznetzov, B.G. Svensson. J. Appl. Phys., 94, 6533 (2003)
  16. В.В. Цыпленков, Р.Х. Жукавин, В.Н. Шастин. ФТП, 48, 1044 (2014)
  17. Е.М. Гершензон, А.П. Мельников, Р.И. Рабинович, Н.А. Серебрякова. УФН, 132, 353 (1980)
  18. R.Kh. Zhukavin, S.G. Pavlov, K.A. Kovalevsky, H.-W. Hubers, H. Riemann, V.N. Shastin. J. Appl. Phys., 97, 113 708 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.