Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование пластической релаксации в слоях GeSi на подложках Si (001) и (115)

Дроздов Ю.Н.¹, Дроздов М.Н.¹, Юнин П.А.¹, Юрасов Д.В.¹, Новиков А.В.¹, Шалеев М.В.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами рентгеновской дифрактометрии и атомно-силовой микроскопии показано, что релаксация упругих напряжений в слоях GeSi происходит более эффективно на подложках (115)Si, чем на (001)Si. Сделано предположение, что это связано с преимущественной работой одной из плоскостей скольжения типа (111) на срезе (115). На атомно-силовом изображении поверхности GeSi/Si(115) видны однонаправленные линии скольжения в отличие от GeSi/Si(001), где присутствует сетка ортогональных линий и дефекты в местах их пересечения. В результате толстые слои GeSi на (115) имеют пониженную шероховатость поверхности. Описан метод расчета параметров релаксации слоя на подложке (115) по рентгенодифракционным данным.

Ю.Б. Болховитянов, О.П. Пчеляков, С.И. Чикичев. УФН, 171 (7), 689 (2001)
K.H. Lee, Y.H. Tan, A. Jandl, E.A. Fitzgerald, C.S. Tan. J. Electron. Mater., 42 (6), 1133 (2013)
Е.М. Труханов. Поверхность РСНИ, N 1, 43 (2010)
A.E. Romanov, T.J. Baker, S. Nakamura, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 100, 023 522 (2006)
A.E. Romanov, E.C. Young, F. Wu, A. Tyagi, C.S. Gallinat, S. Nakamura, S.P. DenBaars, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 109, 103 522 (2011)
F. Oehler, M.E. Vickers, M.J. Kappers, R.A. Oliver. J. Appl. Phys., 114, 053 520 (2013)
M. Krysko, J.Z. Domagala, R. Czernecki, M. Leszczynski. J. Appl. Phys., 114, 113 512 (2013)
A. Zhylik, A. Benediktovitch, I. Feranchuk, K. Inaba, A. Mikhalychev, A. Ulyanenkov. J. Appl. Cryst., 46, 919 (2013)
M. Frentrup, N. Hatui, T. Wernicke, J. Stellmach, A. Bhattacharya, M. Kneissl. J. Appl. Phys., 114, 213 509 (2013)
Д.В. Юрасов, Ю.Н. Дроздов. ФТП, 42 (5), 579 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель