Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb

Дикарева Н.В.¹, Вихрова О.В.¹, Звонков Б.Н.¹, Малехонова Н.В.², Некоркин С.М.¹, Пирогов А.В.², Павлов Д.А.²

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 23 мая 2014 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении были изготовлены гетероструктуры, содержащие одиночные квантовые ямы GaAsSb/GaAs и двухслойные квантовые ямы GaAsSb/InGaAs. Температура выращивания квантово-размерных слоев составляла 560-570^oC. Структурное совершенство образцов и качество гетерограниц квантовых ям исследовались методом высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии на поперечном срезе. Излучающие свойства гетероструктур изучались посредством фотолюминесценции. Структуры подвергались термическому воздействию, условия которого были выбраны в соответствии с температурой и временем выращивания верхнего ограничивающего слоя InGaP p-типа в процессе формирования лазерных структур GaAs/InGaP с активной областью, содержащей квантово-размерные слои GaAsSb. Обнаружено, что подобное температурное воздействие значительным образом может влиять на излучательные свойства активной области только в случае формирования двухслойной квантовой ямы GaAsSb/InGaAs.

K. Hild, S.J. Sweeney, S. Wright, D.A. Lock, S.R. Jin, I.P. Marko, S.R. Johnson, S.A. Chaparro, S.-Q. Yu, Y.-H. Zhang. Appl. Phys. Lett., 89, 173 509, (2006)
J.F. Klem, O. Blum, S.R. Kurtz, I.J. Fritz, K.D. Choquette. J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (3), 1605 (2000)
S.J. Pennycook, B. Rafferty, P.D. Nellist. Microsc. Microanal., 6, 343 (2000)
С.В. Хазанова, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, Н.В. Малехонова, Д.А. Павлов, А.И. Бобров, В.Е. Дегтярев, Д.С. Смотрин. ФТП, 46 (12), 1510 (2012)
O.M. Khreis, K.P. Homewood, W.P. Gillin, K.E. Singer. J. Appl. Phys., 84, 4017 (1998)
O.M. Khreis. Sol. St. Commun., 132, 767 (2004)
L. Fu, H.H. Tan, M.B. Johnston, M. Gal, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 85, 6786 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель