Вышедшие номера
Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне
Маремьянин К.В.1,2, Крыжков Д.И.1,2, Морозов С.В.1,2, Сергеев С.М.1, Курицын Д.И.1, Гапонова Д.М.1, Алешкин В.Я.1,2, Садофьев Ю.Г.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.

Выполнено исследование фотолюминесценции с временным разрешением квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs в условиях мощного импульсного возбуждения, которое дало возможность в начальные моменты времени после возбуждения наблюдать особенности на спектре фотолюминесценции, соответствующиe как переходам между основными, так и между возбуждeнными состояниями двух туннельно-связанных ям, которые не видны при интегральных измерениях спектров фотолюминесценции. Показано, что высокий уровень накачки приводит к сильному разогреву электронного газа в начальный момент времени, что и позволяет наблюдать межзонные переходы не только между основными, но и между возбужденными состояниями. Характерное время остывания неравновесных носителей составляло ~125 пс.