Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрически детектируемый электронный парамагнитный резонанс точечных центров в наноструктурах на основе 6H-SiC
Баграев Н.Т.1, Гец Д.С.1, Калабухова Е.Н.2, Клячкин Л.Е.1, Маляренко А.М.1, Машков В.А.3, Савченко Д.В.2,4, Шанина Б.Д.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Институт физики Чешской академии наук, Прага, Чехия
2Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Институт физики Чешской академии наук, Прага, Чехия
Поступила в редакцию: 21 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.
Представлены результаты исследований электрически детектируемого электронного парамагнитного резонанса (ЭДЭПР) и классического электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) (X-диапазон) по идентификации мелких и глубоких центров бора, NVSi-дефектов и изолированных кремниевых вакансий, VSi, которые формируются непосредственно в процессе получения планарных наноструктур в условиях инжекции кремниевых вакансий на границе раздела SiO2/n-6H-SiC без какого-либо последующего радиационного облучения. Полученная сандвич-наноструктура представляет собой сверхузкую квантовую яму p-типа проводимости, ограниченную сильно легированными бором delta-барьерами на поверхности n-6H-SiC, которые самоупорядочиваются в процессе нанесения пиролитического окисла и последующей коротковременной диффузии бора. Регистрация ЭДЭПР точечных центров в сандвич-наноструктурах, полученных в рамках холловской геометрии, проводилась путем измерения полевых зависимостей магнетосопротивления без внешнего резонатора, источника и приемника СВЧ излучения, что стало возможным благодаря наличию микрорезонаторов, встроенных в плоскость квантовой ямы, и СВЧ генерации в условиях стабилизированного тока исток-сток из delta-барьеров, содержащих дипольные центры бора. Полученные спектры ЭДЭПР мелких и глубоких центров бора анализируются на основе результатов исследований ЭПР в объеме 6H-SiC [10]. Спектр ЭДЭПР изолированной вакансии проявляет наличие как отрицательно заряженного состояния, VSi- (S=3/2) так и нейтрального в гексагональной, VSi(h), и квазикубической, VSi(k1,k2), позициях (S=1). В свою очередь NVSi-дефекты были обнаружены не только методом ЭДЭПР при 77 K, но и с помощью ЭПР-спектрометра Bruker ELEXSYS E580 на частоте 9.7 ГГц в температурном интервале от 5 до 40 K. Cпектры ЭДЭПР и ЭПР, зарегистрированные на одной и той же сандвич-наноструктуре, практически идентичны и соответствуют центру в триплетном состоянии со спином S=1. Спектр ЭПР, представляющий собой дублет линий малой интенсивности с величиной расщепления Delta B=237.6 мTл, наблюдается на фоне спектра ЭПР от доноров азота, концентрация которого в исходном образце n-6H-SiC составляла 5·1018 см-3, тогда как в спектре ЭДЭПР донорные центры азота не проявляются, поскольку внутри сандвич-наноструктуры они все участвуют в формировании NVSi-дефектов.
- W.J. Choyke. In: Radiation Effects in Semiconductors [Institute of Physics, Conf. Ser., 31, 58 (1977)]; W.J. Choyke, H. Matsunami, G. Pensl. Silicon carbide: recent major advances (Springer, 2004); S.E. Saddow, A.K. Agarwal. Advances in Silicon Carbide Processing and Applications (Artech House, 2004)
- В.А. Ильин. Автореф. канд. дисс. (Л., ЛЭТИ, 1982)
- А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38, 129 (2004)
- Н.М. Павлов, М.И. Иглицын, М.Г. Косаганова, В.Н. Соломатин, Ю.В. Баринов. ФТТ, 13, 2814 (1971)
- Н.М. Павлов, М.И. Иглицын, М.Г. Косаганова, В.Н. Соломатин. ФТП, 9, 1279 (1975)
- И.М. Зарицкий, А.А. Кончиц, Л.А. Шульман. ФТТ, 13, 1895 (1971)
- B.D. Shanina, E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, E.N. Mokhov. Def. Dif. Forum, 103--105, 619 (1992)
- B.D. Shanina, E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, E.N. Mokhov. Def. Dif. Forum, 103--105, 627 (1992)
- E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, E.N. Mokhov, B.D. Shanina. Def. Dif. Forum, 103--105, 655 (1992)
- P.G. Baranov. Def. Dif. Forum, 148--149, 129 (1997)
- А.И. Вейнгер, В.А. Ильин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. ФТП, 15, 1557 (1981).
- P.J. Dean, D. Bimberg, W.J. Choyke. In: Radiation Effects in Semiconductors [Institute of Physics, Conf. Ser., 46, 447 (1979)]
- В.С. Вайнер., В.А. Ильин. ФТТ, 23, 2507 (1981)
- Н.В. Кодрау, В.В. Макаров. ФТП, 15, 1408 (1981)
- F.P. Larkins, A.M. Stoneham. J. Phys. C.: Sol. St. Phys., 3, L112 (1970)
- P.G. Baranov, A.P. Bundakova, A.A. Soltamova, S.B. Orlinskii, I.V. Borovykh, R. Zondervan, R. Verberk, J. Schmidt. Phys. Rev. B, 83, 125 203 (2011)
- И.С. Горбань, А.В. Слободянюк. ФТП, 10, 1125 (1976)
- V.A. Soltamov, A.A. Soltamova, P.G. Baranov, I.I. Proskuryakov. Phys. Rev. Lett., 108, 226 402 (2012)
- Le Si Dang, K.M. Lee, G.D. Watkins, W.J. Choyke. Phys. Rev. Lett., 45, 390 (1980)
- N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, V.L. Sukhanov. Sol. St. Electron., 36, 1741 (1993)
- N.T. Bagraev, A.A. Gippius, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko. Mater. Sci. Forum, 258--263, 1833 (1997)
- N.T. Bagraev, N.G. Galkin, W. Gehlhoff, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko. J. Phys.: Condens. Matter, 20, 164 202 (2008)
- N.T. Bagraev, V.A. Mashkov, E.Yu. Danilovsky, W. Gehlhoff, D.S. Gets, L.E. Klyachkin, A.A. Kudryavtsev, R.V. Kuzmin, A.M. Malyarenko, V.V. Romanov. Appl. Magn. Reson., 39, 113 (2010)
- Н.Т. Баграев, Э.Ю. Даниловский, Л.Е. Клячкин, А.М. Маляренко, В.А. Машков, ФТП, 46, 77 (2012)
- J. Schmidt, I. Solomon. Compt. Rend. Acad., 263, 169 (1966)
- A. Honig. Phys. Rev. Lett., 17, 186 (1966)
- D. Lepine. Phys. Rev. B, 6, 436 (1972)
- D. Kaplan, I. Solomon, N.F. Mott. J. Phys. (Paris), 39, 51 (1978)
- V.V. Kveder, Yu.A. Osip'yan, A.I. Shalynin. J. Phys. (Paris), 44, C4-345 (1983)
- T. Figielski. J. Phys. (Paris), 40, C6-95 (1979)
- V.V. Kveder, Yu.A. Osip'yan, A.I. Shalynin. ЖЭТФ, 83, 699 (1982)
- В.С. Львов, Л.С. Мима, О.В. Третьяк. ЖЭТФ, 83, 1557 (1982)
- Л.С. Власенко. ФТТ, 41, 774 (1994)
- M. Otsuka, T. Matsuoka, L.S. Vlasenko, M.P. Vlasenko, K.M. Itoh. Appl. Phys. Lett., 103, 111 601 (2013)
- M. Suckert, F. Hoehne, L. Dreher, K. Markus, M. Stutzmann, M.S. Brandt, H. Huebl. Molecular Phys., 111, 2690 (2013)
- Н.Т. Баграев, А.И. Гусаров, В.А. Машков. ЖЭТФ, 95, 968 (1989)
- N.T. Bagraev, A.I. Gusarov, V.A. Mashkov. Sov. Phys. JETP, 68, 816 (1989)
- Н.Т. Баграев, В.А. Машков. Изв. АН СССР. Сер. физ., 52, 471 (1988)
- P. London, J. Scheuer, J.-M. Cai, I. Schwarz, A. Retzker, M.B. Plenio, M. Katagiri, T. Teraji, M. Koizumi, J. Isoya, R. Fischer, L.P. McGuinness, B. Naydenov, F. Jelezko. Phys. Rev. Lett., 111, 067 601 (2013)
- C.J. Cochrane, P.M. Lenahan, A.J. Lelis. Appl. Phys. Lett., 100, 023 509 (2012)
- C.J. Cochrane, P.M. Lenahan, A.J. Lelis. Appl. Phys. Lett., 102, 193 507 (2013)
- M. Dobers, K. von Klitzing, G. Weimann. Phys. Rev. B, 38, 5453 (1988)
- Yu.A. Nefyodov, A.V. Shchepetilnikov, I.V. Kukushkin, W. Dietsche, S. Schmult. Phys. Rev. B, 88, 041 307(R) (2011)
- M. Dobers, K. von Klitzing, J. Schneider, G. Weimann, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 61, 1650 (1988).
- M. Buttiker. Science, 325, 278 (2009)
- M.Z. Hasan, C.L. Kane. Rev. Mod. Phys., 82, 3045 (2010)
- L. Ozyuzer, A.E. Koshelev, C. Kurter, N. Gopalsami, Q. Li, M. Tachiki, K. Kadowaki, T. Tamamoto, H. Minami, H. Yamaguchi, T. Tachiki, K.E. Gray, W.K. Kwok, U. Welp. Science, 318, 1291 (2007)
- N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, A.A. Kudryavtsev, A.M. Malyarenko, V.V. Romanov. In: Superconductor, ed. by A. Luiz (SCIYO, 2010) chap. 4, p. 69
- N.T. Bagraev, D.S. Gets, L.E. Klyachkin, A.A. Kudryavtsev, A.M. Malyarenko, V.A. Mashkov, V.V. Romanov. Physica B, 404, 5140 (2009)
- G. Pensl, R. Helbig. Festkoerpeprobleme: Advances in Solid State Physics, v. 30, ed. by U. Roessler (1990) p. 133
- В.С. Балландович, Е.Н. Мохов. ФТП, 29, 370 (1995)
- G.A. Lomakina. Sov. Phys. Solid State, 7, 475 (1965)
- M.M. Anikin, A.A. Lebedev, A.L. Syrkin, A.V. Suvorov. Sov. Phys. Semicond., 19, 69 (1985)
- H.H. Woodbury, G.W. Ludwig. Phys. Rev., 124, 1083 (1961)
- K.M. Lee, Le Si Dang, G.D. Watkins, W.J. Choyke. Phys. Rev. Lett., 45, 390 (1980)
- P.G. Baranov, N.G. Romanov. Appl. Magnetic Resonance, 2, 361 (1991)
- T.L. Petrenko, V.V. Teslenko, E.N. Mochov. Def. Dif. Forum, 103--105, 667 (1992)
- Т.Л. Петренко, В.В. Тесленко, Е.Н. Мохов. ФТП, 26, 1556 (1992)
- R. Muller, M. Feege, S. Greulich-Weber, J.-M. Spaeth. Semicond. Sci. Technol., 8, 1377 (1993)
- M. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. Phys. Rev. В, 22, 2842 (1980)
- H. Kuwabara, S. Yamada. Phys. Status Solidi A, 30, 739 (1975)
- W. Suttrop, G. Pensl, P. Laning. Appl. Phys. A, 51, 231 (1990)
- R. Kubo, K.Tomita. J. Phys. Soc. Jpn., 9, 888 (1954)
- R. Kubo. J. Phys. Soc. Jpn., 9, 935 (1954)
- S. Hikami, A.I. Larkin, Y. Nagaoka. Prog. Theor. Phys., 63, 707 (1980)
- B.L. Altshuler, A.G. Aronov. In: Electron-electron interaction in disordered systems, ed. by L.A. Efros, M. Pollak (Amsterdam: North-Holland, 1985) p. 11
- B. Etienne. In: Advances in Quantum Phenomena, v. 347, ed. by E.G. Beltrametti, J.M. Levy-Lebbond (1995) p. 159
- G.E. Pikus, W. Knap, C. Skierbiszewski, A. Zdunak, E. Litwin-Staszewska, D. Bertho, F. Kobbi, J.L. Robert, F.G. Pikus, S.V. Iordanskii, V. Mosser, K. Zekentes, Yu.B. Lyanda-Geller. Proc. of the 23rd Int. Conf. Physics of Semiconductors (Berlin, 1996), ed. by M. Scheffler, R. Zimmermann (World Scientific, Singapore, 1996) v. 3, p. 2435
- J.B. Miller, D.M. Zumbuhl, C.M. Marcus, Y.B. Lyanda-Geller, D. Goldhaber-Gordon, K. Campman, A.C. Gossard. Phys. Rev. Lett., 90, 076 807 (2003)
- S.A. Studenikin, P.T. Coleridge, N. Ahmed, P.J. Poole, A. Sachrajda. Phys. Rev. B, 68, 035 317 (2003)
- P.G. Baranov, A.P. Bundakova, A.A Soltamova, S.B. Orlinskii, I.V. Borovykh, R. Zondervan, R. Verberk, J. Schmidt. Phys. Rev. B, 83, 125 203 (2011)
- E.N. Kalabukhova, D.V. Savchenko, B.D. Shanina, N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko. Mater. Sci. Forum, 740--742, 389 (2013)
- X.-F. He, N.B. Manson, P.T.H. Fisk. Phys. Rev B, 47, 8816 (2000)
- M.V. Muzafarova, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov, V.I. Sankin, P.G. Baranov. Mater. Sci. Forum, 527--529, 555 (2006).
- J.W. Steeds, S. Charles, T.J. Davis, A. Gilmore, J. Hayes, D. Pickford, J.E. Pickford. Diamond Relat. Mater., 8, 94 (1999)
- G. Davies, M.F. Hamer. Proc. Royal. Soc. (London) Ser. A, 348, 285 (1976)
- A. Scholle, S. Greulich-Weber, E. Rauls, W.G. Schmidt, U. Gerstmann. Mater. Sci. Forum, 645--648, 403 (2010).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
